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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | SIC -Programmierbar |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT28F01012 | 187.2000 |  | 32 | 0.00000000 | Intel | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 32-LCC (J-Lead) | MT28F01012 | Blitz | 4,5 V ~ 5,5 V. | 32-PLCC | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 2156-MT28F01012 | 3a001 | 8542.32.0051 | 1 | Nicht Flüchtig | 1Mbit | 120 ns | Blitz | 128k x 8 | Parallel | 120ns | ||||
 | CY7C1518JV18-250BZC | - - - | | 9900 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | Cy7C1518 | SRAM - Synchron, DDR II | 1,7 V ~ 1,9 V. | 165-FBGA (15x17) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | Flüchtig | 72Mbit | Sram | 4m x 18 | Parallel | - - - | ||||
 | CY7C1370DV25-200BZI | 14.0400 | | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Nobl ™ | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | CY7C1370 | SRAM - Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2,625 V. | 165-FBGA (13x15) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | Flüchtig | 18mbit | 3 ns | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | |||
| MT53E128M16D1Z19MWC1 | 10.3800 | | 7120 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | - - - | 557-MT53E128M16D1Z19MWC1 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | MT29F128G08CFAAAWP-IT: a | - - - | | 4883 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | Parallel | - - - | ||||||
| MTFC32GAZAQHD-WT TR | 14.3400 | | 1213 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-VFBGA | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 153-VFBGA (11,5x13) | - - - | 557-mtfc32Gazaqhd-wttr | 2.000 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | EMMC_5.1 | - - - | |||||||||
 | S29GL01GT10DHI020 | 16.3300 | | 232 | 0.00000000 | Infineon -technologien | GL-t | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | S29GL01 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-FBGA (9x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 260 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 100 ns | Blitz | 128 MX 8 | Parallel | 60ns | ||||
| MT29C4G96maagbackd-5 Wt Tr | - - - | | 5160 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 137-VFBGA | MT29C4G96 | Flash - NAND, Mobile LPDRam | 1,7 V ~ 1,95 V. | 137-VFBGA (13x10.5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 4Gbit (NAND), 4GBIT (LPDRAM) | Blitz, Ram | 256 MX 16 (NAND), 128 MX 32 (LPDRAM) | Parallel | - - - | |||||
 | FM25L16B-G | 1.5300 | | 1 | 0.00000000 | Infineon -technologien | F-RAM ™ | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | FM25L16 | Fram (Ferroelektrischer Ram) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.940 | 20 MHz | Nicht Flüchtig | 16Kbit | Fram | 2k x 8 | Spi | - - - | ||||
| S26HS01GTGABHM023 | 28.5950 | | 5109 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Semper ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-vbga | Flash - Nor (SLC) | 1,7 V ~ 2 V | 24-FBGA (8x8) | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 5.45 ns | Blitz | 128 MX 8 | Hyperbus | 1,7 ms | ||||||
| S25FL216K0PXEI909 | 0,3938 | | 2510 | 0.00000000 | Infineon -technologien | FL2-K | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Sterben | S25FL216 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | Wafer | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 25 | 65 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi - dual i/o | 5 ms | ||||
| SM662PEB-BDST | - - - | | 1350 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | SM662 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||
 | CAT28F020H-12T | - - - | | 9503 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | CAT28F020 | Blitz | 4,5 V ~ 5,5 V. | 32-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8542.32.0071 | 500 | Nicht Flüchtig | 2mbit | 120 ns | Blitz | 256k x 8 | Parallel | 120ns | ||||||
 | CY7C1020DV33-10VXIT | - - - | | 1905 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Breit) | CY7C1020 | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 44-soj | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | Flüchtig | 512Kbit | 10 ns | Sram | 32k x 16 | Parallel | 10ns | ||||
 | CY7C036AV-25AXC | - - - | | 7208 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | CY7C036 | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 90 | Flüchtig | 288Kbit | 25 ns | Sram | 16k x 18 | Parallel | 25ns | ||||
 | IDT71T75802S100PFG8 | - - - | | 7854 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IDT71T75 | SRAM - Synchron, SDR (ZBT) | 2.375 V ~ 2,625 V. | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 71T75802S100PFG8 | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | 100 MHz | Flüchtig | 18mbit | 5 ns | Sram | 1m x 18 | Parallel | - - - | |||
| MSM5117400F-60TDR1L | - - - | | 3841 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - - - | - - - | MSM51 | Dram | 4,5 V ~ 5,5 V. | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | Flüchtig | 16mbit | 30 ns | Dram | 4m x 4 | Parallel | 110ns | Nicht Verifiziert | ||||
| CG8019AA | - - - | | 8941 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 234 | ||||||||||||||||||
 | 752369-581-C | 132,5000 | | 9153 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-752369-581-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | W957D6HBCX7I TR | - - - | | 8808 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | W957D6 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 54-VFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 5.000 | 133 MHz | Flüchtig | 128mbit | 70 ns | Psram | 8m x 16 | Parallel | - - - | |||
 | SST39VF1601C-70-4C-B3KE-T | 1.9650 | | 5773 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | SST39 MPF ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | SST39VF1601 | Blitz | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 2.500 | Nicht Flüchtig | 16mbit | 70 ns | Blitz | 1m x 16 | Parallel | 10 µs | ||||
 | IS61LPS12836ec-200b3li | 8.3815 | | 5512 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IS61LPS12836 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 165-tfbga (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 3.1 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | |||
 | M24C16-Wmn6p | 0,2600 | | 5 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Schüttgut | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | M24C16 | Eeprom | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | Nicht Flüchtig | 16Kbit | 900 ns | Eeprom | 2k x 8 | I²c | 5 ms | |||
 | 7014S12Pfg | 42.5850 | | 1892 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-LQFP | 7014S12 | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 64-TQFP (14x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 45 | Flüchtig | 36Kbit | 12 ns | Sram | 4k x 9 | Parallel | 12ns | ||||
 | CAT25040VI-GT3JN | - - - | | 2492 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | CAT25040 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 3.000 | Nicht Flüchtig | 4kbit | Eeprom | 512 x 8 | Spi | 5 ms | |||||
| A3565145-C | 17.5000 | | 4782 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-A3565145-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 24AA16H-I/MS | 0,4350 | | 7016 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118 ", 3,00 mm Breit) | 24AA16 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V. | 8-msop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | Nicht Flüchtig | 16Kbit | 900 ns | Eeprom | 2k x 8 | I²c | 5 ms | |||
 | W25N02JWZIC | 5.1852 | | 2972 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | W25N02 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 8-Wson (8x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 256-W25N02JWZIC | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 480 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 2Gbit | 8 ns | Blitz | 256 mx 8 | Spi - quad i/o, dtr | 700 µs | ||
 | LE24C023M-TLM-E | - - - | | 6473 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,173 ", 4,40 mm Breit) | Le24c | Eeprom | 2,7 V ~ 5,5 V. | 8-MFP | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 1.000 | 400 kHz | Nicht Flüchtig | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | I²c | 10 ms |
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