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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | SIC -Programmierbar |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CAT24C16YI-G | - - - |  | 6470 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | Cat24C16 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V. | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 400 kHz | Nicht Flüchtig | 16Kbit | 900 ns | Eeprom | 2k x 8 | I²c | 5 ms | |||
 | S711E20E0VFUE3 | 30.2300 | | 117 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 2102-1n | 21.7700 | | 328 | 0.00000000 | Rochester Electronics, LLC | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
 | MR2764a-35/bza | 99.4600 | | 5 | 0.00000000 | Rochester Electronics, LLC | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
| SMJ27C512-45JM | 14.1800 | | 609 | 0.00000000 | Texas Instrumente | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 32-LCC (J-Lead) | SMJ27C512 | Eprom - OTP | 4,75 V ~ 5,25 V. | 32-PLCC (11.43x13.97) | - - - | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 0000.00.0000 | 1 | Nicht Flüchtig | 512Kbit | 45 ns | Eprom | 64k x 8 | Parallel | - - - | |||||
 | CAT24C64WGI | 0,2900 | | 1 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | CAT24C64 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V. | 8-soic | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 MHz | Nicht Flüchtig | 64Kbit | 400 ns | Eeprom | 8k x 8 | I²c | 5 ms | |||
| LC3564CM-70U-TLM-E | 1.4000 | | 35 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 0000.00.0000 | 1.000 | |||||||||||||||||||
| 5962-8687522ua | - - - | | 3036 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-Flatpack | 5962-8687522 | SRAM - Dual -Port, Synchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 48-Fpack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 800-5962-8687522UA | Veraltet | 9 | Flüchtig | 8kbit | 35 ns | Sram | 1k x 8 | Parallel | 35ns | |||||
| 5962-8976404mxa | - - - | | 3534 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | K. Loch | 48-DIP (0,600 ", 15,24 mm) | 5962-8976404 | SRAM - Dual -Port, Synchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 48-Seitig | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 800-5962-8976404mxa | Veraltet | 8 | Flüchtig | 32Kbit | 55 ns | Sram | 4k x 8 | Parallel | 55ns | ||||
 | CY7C136E-55NXC | 13.0000 | | 1181 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 52-BQFP | Cy7c136 | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 52-PQFP (10x10) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 2832-CY7C136E-55NXC | Ear99 | 8542.32.0041 | 96 | Flüchtig | 16Kbit | 55 ns | Sram | 2k x 8 | Parallel | 55ns | |||||
 | S25FL116K0XMFB040 | 1.9300 | | 6 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Automobil, AEC-Q100, FL1-K | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | S25FL116 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2832-S25FL116K0XMFB040 | Ear99 | 8542.32.0071 | 260 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi - quad i/o | 3 ms | |||||
 | CY7C1041DV33-10VXI | 7.7400 | | 4 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Breit) | CY7C1041 | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 44-soj | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 65 | Flüchtig | 4mbit | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 10ns | ||||||
| CG8073AA | - - - | | 2740 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
| CG8170AAT | - - - | | 6419 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
| CG8650AAT | - - - | | 7100 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
| CG8704AFT | - - - | | 6296 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
| S99GL064N0030 | - - - | | 6090 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
 | 24LC64T-E/SN16KVAO | - - - | | 3676 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | 24lc64 | Eeprom | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-soic | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 3.300 | 400 kHz | Nicht Flüchtig | 64Kbit | 900 ns | Eeprom | 8k x 8 | I²c | 5 ms | ||||
| 25LC080D-E/SN16KVAO | - - - | | 2947 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Automobil, AEC-Q100 | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | 25LC080 | Eeprom | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-soic | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 10 MHz | Nicht Flüchtig | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | Spi | 5 ms | |||||
 | BR93A56RF-WME2 | 1.4100 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,173 ", 4,40 mm Breit) | BR93A56 | Eeprom | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 2 MHz | Nicht Flüchtig | 2kbit | Eeprom | 128 x 16 | Mikrowire | 5 ms | ||||
 | DS1250W-100+ | 91.3355 | | 7847 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrierert | - - - | Rohr | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | K. Loch | 32-DIP-Modul (0,600 ", 15,24 mm) | DS1250W | NVSRAM (NICTFLÜCHTIGES SRAM) | 3v ~ 3,6 V | 32-edip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 11 | Nicht Flüchtig | 4mbit | 100 ns | NVSRAM | 512k x 8 | Parallel | 100ns | ||||
| MT53D4G16D8AL-062 WT: E TR | - - - | | 3057 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D4G16 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | MT53D4G16D8AL-062WT: ETR | Veraltet | 2.000 | 1,6 GHz | Flüchtig | 64Gbit | Dram | 4g x 16 | - - - | - - - | ||||||||
 | EM6HC16EWKG-10H | 2.2538 | | 3693 | 0.00000000 | ETRON Technology, Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-VFBGA | EM6HC16 | SDRAM - DDR3 | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-FBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 2174-EM6HC16EWKG-10HTR | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.500 | 933 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | S29GL512S11DHA023 | 10.6300 | | 6 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Automobil, AEC-Q100, GL-S | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | S29GL512 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-FBGA (9x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2832-S29GL512S11DHA023TR | 48 | Nicht Flüchtig | 512mbit | 110 ns | Blitz | 32m x 16 | Parallel | 60ns | Nicht Verifiziert | ||||||
 | SM662GEB BESS | 13.8000 | | 7824 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | Ferri-emmc® | Tablett | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | 100 lbga | Flash - Nand (TLC) | - - - | 100-bga (14x18) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 1984-sm662gebbess | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 980 | Nicht Flüchtig | - - - | Blitz | EMMC | - - - | ||||||
 | W25Q80EWUXBE | - - - | | 2958 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-UFDFN Exposed Pad | W25Q80 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 1,95 V. | 8-uson (2x3) | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 256-W25Q80EWUXBE | Veraltet | 1 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | 6 ns | Blitz | 1m x 8 | Spi - quad i/o | 30 µs, 800 µs | ||||
| 7132LA35PDGI | - - - | | 1757 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | 800-7132LA35PDGI | Veraltet | 1 | |||||||||||||||||||||
 | IS46LD32128A-25BPLA1 | - - - | | 2362 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-VFBGA | IS46LD32128 | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 168-VFBGA (12x12) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46LD32128A-25BPLA1 | Veraltet | 1 | 400 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 5.5 ns | Dram | 128 mx 32 | Hsul_12 | 15ns |
2000+
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30.000.000
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