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IGBTs (8343)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Testedingung | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MUBW30-12E6K | - - - |  | 3129 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | E1 | MUBW | 130 w | DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER | E1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse | - - - | 1200 V | 30 a | 3,6 V @ 15V, 30a | 1 Ma | Ja | 1.18 NF @ 25 V. | ||||||||||
| RGW60TS65EHRC11 | 7.1200 | | 5127 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGW60 | Standard | 178 w | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RGW60TS65EHRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400 V, 15a, 10ohm, 15 V. | 146 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 64 a | 120 a | 1,9 V @ 15V, 30a | 84 NC | 37ns/101ns | |||||||
 | Ngd8205nt4g | - - - | | 9706 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NGD8205 | Logik | 125 w | Dpak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 300 V, 9A, 1kohm, 5 V. | - - - | 390 v | 20 a | 50 a | 1,9 V @ 4,5 V, 20a | - - - | -/5 µs | ||||||||||
 | AUIRGP66524D0 | - - - | | 4191 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | AUIRGP66524 | Standard | 214 w | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 400 V, 24a, 10ohm, 15 V. | 176 ns | - - - | 600 V | 60 a | 72 a | 1,9 V @ 15V, 24a | 915 µj (EIN), 280 µJ (AUS) | 80 nc | 30ns/75ns | |||||||
 | Ixgx82n120b3 | - - - | | 1614 | 0.00000000 | Ixys | Genx3 ™ | Rohr | Aktiv | - - - | K. Loch | To-247-3 Variante | Ixgx82 | Standard | 1250 w | Plus247 ™ -3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600 V, 80A, 2OHM, 15 V. | Pt | 1200 V | 230 a | 500 a | 3,2 V @ 15V, 82a | 5MJ (EIN), 3,3mj (AUS) | 350 NC | 30ns/210ns | ||||||||
 | IXDR30N120 | - - - | | 6790 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Ixdr30 | Standard | 200 w | Isoplus247 ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600 V, 30a, 47OHM, 15 V. | Npt | 1200 V | 50 a | 60 a | 2,9 V @ 15V, 30a | 4,6mj (Ein), 3,4mj (AUS) | 120 NC | - - - | ||||||||
 | STGWA40IH65DF | 4.9500 | | 2170 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Ich h | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | STGWA40 | Standard | 238 w | To-247 Lange Hinese | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-18497 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 40a, 22 Ohm, 15 V | TRABENFELD STOPP | 650 V | 80 a | 120 a | 2v @ 15V, 40a | 190 ähm (AUS) | 114 NC | -/210ns | |||||||
 | F3L400R07ME4B23BOSA1 | 277.9700 | | 1307 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Econodual ™ 3 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C. | Chassis -berg | Modul | F3L400 | 1150 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 2 Unabhängig | TRABENFELD STOPP | 650 V | 450 a | 1,95 V @ 15V, 400A | 1 Ma | Ja | 26 NF @ 25 V. | |||||||||
| RGW60TS65HRC11 | 6.3700 | | 4916 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGW60 | Standard | 178 w | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RGW60TS65HRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400 V, 15a, 10ohm, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 650 V | 64 a | 120 a | 1,9 V @ 15V, 30a | 84 NC | 36ns/107ns | ||||||||
 | STGW8M120DF3 | 4.4900 | | 1 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | M | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | STGW8 | Standard | 167 w | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-17619 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600 V, 8a, 33OHM, 15 V. | 103 ns | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 16 a | 32 a | 2,3 V @ 15V, 8a | 390 µj (EIN), 370 µJ (AUS) | 32 NC | 20ns/126ns | ||||||
 | RGTH80TS65GC13 | 5.7400 | | 2093 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGTH80 | Standard | 234 w | To-247g | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RGTH80TS65GC13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 600 | 400 V, 40a, 10ohm, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 650 V | 70 a | 160 a | 2,1 V @ 15V, 40a | - - - | 79 NC | 34ns/120ns | |||||||
 | GSID150A120S5C1 | - - - | | 1331 | 0.00000000 | Semiq | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | Gsid150 | 1087 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 1560-1230 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | Drei -Phase -wechselrichter | - - - | 1200 V | 285 a | 2,1 V @ 15V, 150a | 1 Ma | Ja | 21.2 NF @ 25 V. | ||||||||
 | ISL9V2040S3S | 1.0000 | | 5345 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | ECOSPARK® | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Logik | 130 w | D2pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 300 V, 1kohm, 5V | - - - | 430 v | 10 a | 1,9 V @ 4V, 6a | - - - | 12 NC | -/3,64 µs | ||||||||||||
 | STGP30NC60K | - - - | | 9188 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | PowerMesh ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | STGP30 | Standard | 185 w | To-220 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 480 V, 20a, 10ohm, 15 V. | - - - | 600 V | 60 a | 125 a | 2,7 V @ 15V, 20a | 350 µJ (EIN), 435 µJ (AUS) | 96 NC | 29ns/120ns | ||||||||
| RGWX5TS65EHRC11 | 11.4700 | | 8732 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGWX5TS65 | Standard | 348 w | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RGWX5TS65EHRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400 V, 37,5a, 10ohm, 15 V. | 100 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 132 a | 300 a | 1,9 V @ 15V, 75A | 213 NC | 59ns/243ns | |||||||
| RGWX5TS65HRC11 | 8.5600 | | 4632 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGWX5TS65 | Standard | 348 w | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RGWX5TS65HRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400 V, 37,5a, 10ohm, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 650 V | 132 a | 300 a | 1,9 V @ 15V, 75A | 213 NC | 62ns/237ns | ||||||||
 | RGTH00TK65GC11 | 6.8200 | | 405 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-3Pfm, SC-93-3 | RGTH00 | Standard | 72 w | To-3Pfm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 50A, 10OHM, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 650 V | 35 a | 200 a | 2,1 V @ 15V, 50a | - - - | 94 NC | 39ns/143ns | ||||||||
 | IKD15N60RFAATMA1 | 1.4998 | | 6682 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobile, AEC-Q101, Trenchstop ™ | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IKD15N60 | Standard | 240 w | PG-to252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001205248 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400 V, 15a, 15ohm, 15 V. | 74 ns | Graben | 600 V | 30 a | 45 a | 2,5 V @ 15V, 15a | 270 µJ (EIN), 250 µJ (AUS) | 90 nc | 13ns/160ns | ||||||
 | RGTH80TS65GC11 | 4.3500 | | 153 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGTH80 | Standard | 234 w | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400 V, 40a, 10ohm, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 650 V | 70 a | 160 a | 2,1 V @ 15V, 40a | - - - | 79 NC | 34ns/120ns | ||||||||
 | Ixsh35n140a | - - - | | 4206 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Ixsh35 | Standard | 300 w | To-247ad | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 960 V, 35A, 3OHM, 15 V. | Pt | 1400 v | 70 a | 140 a | 4V @ 15V, 35a | 4MJ (AUS) | 120 NC | 40ns/150ns | |||||||||
| RGTH40TK65DGC11 | 5.9600 | | 4329 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-3Pfm, SC-93-3 | RGTH40 | Standard | 56 w | To-3Pfm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 20A, 10OHM, 15 V. | 58 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 23 a | 80 a | 2,1 V @ 15V, 20a | - - - | 40 NC | 22ns/73ns | |||||||
 | RGT50TM65DGC9 | 3.5200 | | 9904 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RGT50 | Standard | 47 w | To-220nfm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V, 25a, 10ohm, 15 V. | 58 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 21 a | 75 a | 2,1 V @ 15V, 25a | - - - | 49 NC | 27ns/88ns | |||||||
| RGT8TM65DGC9 | 2.1000 | | 897 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RGT8TM65 | Standard | 16 w | To-220nfm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V, 4a, 50 Ohm, 15 V | 40 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 5 a | 12 a | 2,1 V @ 15V, 4a | - - - | 13.5 NC | 17ns/69ns | |||||||
 | RGT16BM65DTL | 2.1500 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RGT16 | Standard | 94 w | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400 V, 8a, 10ohm, 15 V. | 42 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 16 a | 24 a | 2,1 V @ 15V, 8a | - - - | 21 NC | 13ns/33ns | |||||||
 | APTGF180H60G | - - - | | 4862 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Sp6 | 833 w | Standard | Sp6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Vollbrückke Wechselrichter | Npt | 600 V | 220 a | 2,5 V @ 15V, 180a | 300 µA | NEIN | 8.6 NF @ 25 V. | ||||||||||||
| NCG100F475NF120 | - - - | | 9213 | 0.00000000 | Onsemi | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | NCG100 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-NCG100F475NF120TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||
 | APTGLQ200H120G | 378.5700 | | 3108 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp6 | APTGLQ200 | 1000 w | Standard | Sp6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Volle Brucke | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 350 a | 2,4 V @ 15V, 200a | 100 µA | NEIN | 12.3 NF @ 25 V. | |||||||||
 | DD1200S12H4HOSA1 | 852.4250 | | 5727 | 0.00000000 | Infineon -technologien | IHM-B | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C. | Chassis -berg | Modul | DD1200 | 1200000 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | 2 Unabhängig | - - - | 1200 V | 1200 a | 2,35 V @ 15V, 1200a | NEIN | |||||||||||
| 50MT060WH | - - - | | 2289 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | 12-MTP-Modul | 50MT060 | 658 w | Standard | 12-MTP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | Halbbrücke | Pt | 600 V | 114 a | 3,2 V @ 15V, 100a | 400 µA | NEIN | 7.1 NF @ 30 V | ||||||||||
| APTGLQ100A120TG | 120.9600 | | 3598 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | APTGLQ100 | 520 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 170 a | 2,42 V @ 15V, 100a | 50 µA | Ja | 6.15 NF @ 25 V. |
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