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IGBTs (8343)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Testedingung | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Fgb7n60undf | - - - |  | 9029 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | FGB7N60 | Standard | 83 w | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | 400 V, 7a, 10ohm, 15 V. | 32.3 ns | Npt | 600 V | 14 a | 21 a | 2,3 V @ 15V, 7a | 99 µJ (EIN), 104 µJ (AUS) | 18 NC | 5.9ns/32.3ns | |||||||
 | IRGPC40s | - - - | | 3023 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tasche | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Standard | 160 w | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | - - - | 600 V | 50 a | 1,8 V @ 15V, 31a | ||||||||||||||
 | FZ1200R12KL4CNOSA1 | - - - | | 8633 | 0.00000000 | Infineon -technologien | IHM-B | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 7800 w | Standard | - - - | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000014916 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | Einzelschalter | - - - | 1200 V | 1900 a | 2,6 V @ 15V, 1,2ka | 5 Ma | NEIN | 90 NF @ 25 V | ||||||||||
| FS50R12KT3BOSA1 | 67.3700 | | 5 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-FS50R12KT3BOSA1-448 | 5 | ||||||||||||||||||||||||||
 | IKN06N60RC2ATMA1 | 0,9500 | | 5 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | Ikn06n | Standard | 7.2 w | PG-SOT223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 448-IKN06N60RC2ATMA1DKR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 400 V, 6A, 49OHM, 15 V. | 42 ns | - - - | 600 V | 8 a | 18 a | 2,3 V @ 15V, 6a | 151 µJ (EIN), 104 µJ (AUS) | 31 NC | 8,8ns/174ns | ||||||
| MWI25-12A7 | - - - | | 1851 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | E2 | MWI25 | 225 w | Standard | E2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | Drei -Phase -wechselrichter | Npt | 1200 V | 50 a | 2,7 V @ 15V, 25a | 2 Ma | NEIN | 1,65 NF @ 25 V. | |||||||||
 | NXH400N100H4Q2F2SG | 322.7400 | | 36 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 959 w | Standard | 42-PIM/Q2Pack (93x47) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 488-NXH400N100H4Q2F2SG | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | Drei -Level -Wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 1000 v | 409 a | 2,3 V @ 15V, 400a | 500 µA | Ja | 26.093 NF @ 20 V | |||||||||
| FD600R12KF4NOSA1 | - - - | | 3032 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Econodual ™ 3 | Tablett | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 3900 w | Standard | - - - | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | Einzel | - - - | 1200 V | 600 a | 3,2 V @ 15V, 600A | 8 ma | NEIN | 45 NF @ 25 V. | |||||||||||
| FZ1200R17KE3B2NOSA1 | - - - | | 8392 | 0.00000000 | Infineon -technologien | IHM-B | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 8950 w | Standard | - - - | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000100600 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | Einzelschalter | - - - | 1700 v | 1900 a | 2,45 V @ 15V, 1,2 ka | 5 Ma | NEIN | 110 NF @ 25 V | ||||||||||
| IRGPC50UD2 | - - - | | 7003 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tasche | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Standard | 200 w | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | - - - | 600 V | 55 a | 3v @ 15V, 27a | ||||||||||||||
 | IRG4BC15UD-STRL | - - - | | 3556 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Standard | 49 w | D2pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | IRG4BC15Udstrl | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | 480 V, 7,8a, 75 Ohm, 15 V | 28 ns | - - - | 600 V | 14 a | 42 a | 2,4 V @ 15V, 7,8a | 240 µJ (EIN), 260 µJ (AUS) | 23 NC | 17ns/160ns | |||||||
 | Ixgh10n100AU1 | - - - | | 1881 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Ixgh10 | Standard | 100 w | To-247ad | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ixgh10n100au1-ndr | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 800 V, 10a, 150 Ohm, 15 V | 60 ns | - - - | 1000 v | 20 a | 40 a | 4V @ 15V, 10a | 2mj (AUS) | 52 NC | 100 ns/550 ns | |||||||
 | Ixga15n100c | - - - | | 5409 | 0.00000000 | Ixys | Lightspeed ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Ixga15 | Standard | 150 w | To-263aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 960 V, 15a, 10ohm, 15 V. | - - - | 1000 v | 30 a | 60 a | 3,5 V @ 15V, 15a | 850 µJ (AUS) | 73 NC | 25ns/150ns | ||||||||
 | FGPF4536 | 0,7300 | | 104 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Standard | 28,4 w | To-220f-3 | Herunterladen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - - - | Graben | 360 V | 220 a | 1,8 V @ 15V, 50a | - - - | 47 NC | - - - | ||||||||||||||
 | FZ3600R12HP4PHPSA1 | 1.0000 | | 8803 | 0.00000000 | Infineon -technologien | IHM-B | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C. | Chassis -berg | Modul | FZ3600 | 19000 w | Standard | AG-IHMB190-2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3 | Einzelschalter | Graben | 1200 V | 4930 a | 2,05 V @ 15V, 3,6 ka | 5 Ma | NEIN | ||||||||||
 | FGA40T65UQDF | - - - | | 6336 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | FGA40T65 | Standard | 231 w | To-3pn | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400 V, 40a, 6OHM, 15 V. | 89 ns | Npt | 650 V | 80 a | 120 a | 1,67 V @ 15V, 40a | 989 µj (EIN), 310 µJ (AUS) | 306 NC | 32ns/271ns | |||||||
| MIXA450PF1200TSF | 179.9600 | | 5193 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | Mixa450 | 2100 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | -MIXA450PF1200TSF | Ear99 | 8541.29.0095 | 3 | Halbbrücke | Pt | 1200 V | 650 a | 2,15 V @ 15V, 450a | 1 Ma | Ja | |||||||||
 | IRG4PSC71UDPBF | - - - | | 2444 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-274aa | Standard | 350 w | Super-247 ™ (to-274aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 480 V, 60a, 5ohm, 15 V. | 82 ns | - - - | 600 V | 85 a | 200 a | 2v @ 15V, 60a | 3,26 MJ (EIN), 2,27MJ (AUS) | 340 NC | 90 ns/245ns | ||||||||
| APTGLQ300SK120G | 197.0700 | | 5772 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | APTGLQ300 | 1500 w | Standard | Sp6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Buck Chopper | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 500 a | 2,42 V @ 15V, 300A | 200 µA | NEIN | 17.6 NF @ 25 V. | ||||||||||
 | STGD5NB120SZT4 | 2.1900 | | 2965 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | PowerMesh ™ | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | STGD5 | Standard | 75 w | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 960 V, 5a, 1kohm, 15 V. | - - - | 1200 V | 10 a | 10 a | 2v @ 15V, 5a | 2,59MJ (EIN), 9MJ (AUS) | 690 ns/12,1 µs | |||||||||
| CM20TF-24H | - - - | | 6876 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD ™ | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 250 w | Standard | Modul | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Drei -Phase -wechselrichter | - - - | 1200 V | 20 a | 3,4 V @ 15V, 20a | 1 Ma | NEIN | 4 NF @ 10 V | ||||||||||
| IxBT2N250-tr | 16.8549 | | 6267 | 0.00000000 | Ixys | Bimosfet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa | Ixbt2 | Standard | 32 w | To-268 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 238-IXBT2N250-TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 2000v, 2a, 47ohm, 15V | 920 ns | - - - | 2500 V | 5 a | 13 a | 3,5 V @ 15V, 2a | - - - | 10.6 NC | 30ns/70ns | |||||||
| APTGF50DH120T3G | - - - | | 7750 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | SP3 | 312 w | Standard | SP3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Asymmetrische Brücke | Npt | 1200 V | 70 a | 3,7 V @ 15V, 50A | 250 µA | Ja | 3.45 NF @ 25 V. | ||||||||||||
| FZ1800R17KF4NOSA1 | 1.0000 | | 62 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 13500 w | Standard | Modul | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | 3 Unabhängig | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 3560 a | 2,1 V @ 15V, 2,4ka | 5 Ma | NEIN | 150 NF @ 25 V | ||||||||||||||
| BSM150GB120DN2FE325HOSA1 | - - - | | 8607 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | BSM150 | - - - | Veraltet | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
 | MG400V2YS60A | - - - | | 4004 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD ™ | Schüttgut | Veraltet | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 4300 w | Standard | Modul | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | - - - | 1700 v | 400 a | 3,4 V @ 15V, 400a | 1 Ma | Ja | 45 NF @ 10 V | |||||||||||
| APTGF75SK60D1G | - - - | | 6033 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | D1 | 355 w | Standard | D1 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Npt | 600 V | 100 a | 2,45 V @ 15V, 75a | 500 µA | NEIN | 3.3 NF @ 25 V | |||||||||||
| BSM100GD60DLCBOSA1 | - - - | | 8395 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C. | Chassis -berg | Modul | BSM100 | 430 w | Standard | Modul | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Volle Brucke | - - - | 600 V | 130 a | 2,45 V @ 15V, 100a | 500 µA | NEIN | 4.3 NF @ 25 V | |||||||||
 | APT33GF120LRDQ2G | - - - | | 7682 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-264-3, to-264aa | APT33GF120 | Standard | 357 w | To-264 [l] | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 800 V, 25a, 4,3 Ohm, 15 V. | Npt | 1200 V | 64 a | 75 a | 3v @ 15V, 25a | 1.315 mj (EIN), 1.515MJ (AUS) | 170 nc | 14ns/185ns | |||||||||
| AFGHL30T65RQDN | 4.9500 | | 8686 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | AFGHL30 | Standard | 230,8 w | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-AFGHL30T65RQDN | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400 V, 15a, 2,5 Ohm, 15 V. | 39 ns | Feldstopp | 650 V | 42 a | 120 a | 1,82 V @ 15V, 30a | 340 µJ (EIN), 320 µJ (AUS) | 37 NC | 18ns/68ns |
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