SIC
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IGBTs (8343)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Testedingung Reverse Recovery Time (TRR) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce
FF800R12KE7HPSA1 Infineon Technologies FF800R12KE7HPSA1 357.5600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Infineon -technologien Trenchstop ™ Tablett Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul Standard Ag-62mm Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 1200 V 800 a 1,75 V @ 15V, 800A 100 µA NEIN 122 NF @ 25 V
IXYH40N90C3D1 IXYS Ixyh40n90c3d1 11.1000
RFQ
 ECAD 306 0.00000000 Ixys GenX3 ™, XPT ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixyh40 Standard 500 w To-247 (ixth) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Q7763666 Ear99 8541.29.0095 30 450 V, 40a, 5ohm, 15 V. 100 ns - - - 900 V 90 a 180 a 2,5 V @ 15V, 40a 1,9MJ (EIN), 1MJ (AUS) 74 NC 27ns/78ns
IXBT42N300HV IXYS IxBT42N300HV 55.2300
RFQ
 ECAD 3538 0.00000000 Ixys Bimosfet ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixbt42 Standard 500 w To-268HV (IXBT) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 1500 V, 42a, 20ohm, 15 V. 1,7 µs - - - 3000 v 104 a 400 a 3v @ 15V, 42a - - - 200 NC 72ns/445ns
FGPF4536 Fairchild Semiconductor FGPF4536 0,7300
RFQ
 ECAD 104 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-220-3 Full Pack Standard 28,4 w To-220f-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 - - - Graben 360 V 220 a 1,8 V @ 15V, 50a - - - 47 NC - - -
MIXA450PF1200TSF IXYS MIXA450PF1200TSF 179.9600
RFQ
 ECAD 5193 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul Mixa450 2100 w Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen -MIXA450PF1200TSF Ear99 8541.29.0095 3 Halbbrücke Pt 1200 V 650 a 2,15 V @ 15V, 450a 1 Ma Ja
IXGA15N100C IXYS Ixga15n100c - - -
RFQ
 ECAD 5409 0.00000000 Ixys Lightspeed ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixga15 Standard 150 w To-263aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 960 V, 15a, 10ohm, 15 V. - - - 1000 v 30 a 60 a 3,5 V @ 15V, 15a 850 µJ (AUS) 73 NC 25ns/150ns
IXST24N60BD1 IXYS Ixst24n60bd1 - - -
RFQ
 ECAD 8170 0.00000000 Ixys - - - Kasten Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixst24 Standard 150 w To-268aa Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 480 V, 24a, 33OHM, 15 V. 25 ns - - - 600 V 48 a 96 a 2,5 V @ 15V, 24a 1,3mj (AUS) 41 NC 50 ns/150ns
APTGF75SK60D1G Microsemi Corporation APTGF75SK60D1G - - -
RFQ
 ECAD 6033 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg D1 355 w Standard D1 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Einzel Npt 600 V 100 a 2,45 V @ 15V, 75a 500 µA NEIN 3.3 NF @ 25 V
IXGH10N100AU1 IXYS Ixgh10n100AU1 - - -
RFQ
 ECAD 1881 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixgh10 Standard 100 w To-247ad Herunterladen Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ixgh10n100au1-ndr Ear99 8541.29.0095 30 800 V, 10a, 150 Ohm, 15 V 60 ns - - - 1000 v 20 a 40 a 4V @ 15V, 10a 2mj (AUS) 52 NC 100 ns/550 ns
MG400V2YS60A Powerex Inc. MG400V2YS60A - - -
RFQ
 ECAD 4004 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD ™ Schüttgut Veraltet -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 4300 w Standard Modul Herunterladen 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 Halbbrücke - - - 1700 v 400 a 3,4 V @ 15V, 400a 1 Ma Ja 45 NF @ 10 V
APT33GF120LRDQ2G Microchip Technology APT33GF120LRDQ2G - - -
RFQ
 ECAD 7682 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa APT33GF120 Standard 357 w To-264 [l] Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 800 V, 25a, 4,3 Ohm, 15 V. Npt 1200 V 64 a 75 a 3v @ 15V, 25a 1.315 mj (EIN), 1.515MJ (AUS) 170 nc 14ns/185ns
AFGHL30T65RQDN onsemi AFGHL30T65RQDN 4.9500
RFQ
 ECAD 8686 0.00000000 Onsemi Automobil, AEC-Q101 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 AFGHL30 Standard 230,8 w To-247-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 488-AFGHL30T65RQDN Ear99 8541.29.0095 450 400 V, 15a, 2,5 Ohm, 15 V. 39 ns Feldstopp 650 V 42 a 120 a 1,82 V @ 15V, 30a 340 µJ (EIN), 320 µJ (AUS) 37 NC 18ns/68ns
BSM100GD60DLCBOSA1 Infineon Technologies BSM100GD60DLCBOSA1 - - -
RFQ
 ECAD 8395 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C. Chassis -berg Modul BSM100 430 w Standard Modul - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Volle Brucke - - - 600 V 130 a 2,45 V @ 15V, 100a 500 µA NEIN 4.3 NF @ 25 V
NGD8205NT4G onsemi Ngd8205nt4g - - -
RFQ
 ECAD 9706 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 NGD8205 Logik 125 w Dpak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 300 V, 9A, 1kohm, 5 V. - - - 390 v 20 a 50 a 1,9 V @ 4,5 V, 20a - - - -/5 µs
AUIRGP66524D0 Infineon Technologies AUIRGP66524D0 - - -
RFQ
 ECAD 4191 0.00000000 Infineon -technologien - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 AUIRGP66524 Standard 214 w To-247ac Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 400 400 V, 24a, 10ohm, 15 V. 176 ns - - - 600 V 60 a 72 a 1,9 V @ 15V, 24a 915 µj (EIN), 280 µJ (AUS) 80 nc 30ns/75ns
STGWA40IH65DF STMicroelectronics STGWA40IH65DF 4.9500
RFQ
 ECAD 2170 0.00000000 Stmicroelektronik Ich h Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 STGWA40 Standard 238 w To-247 Lange Hinese Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 497-18497 Ear99 8541.29.0095 30 400 V, 40a, 22 Ohm, 15 V TRABENFELD STOPP 650 V 80 a 120 a 2v @ 15V, 40a 190 ähm (AUS) 114 NC -/210ns
IXGX82N120B3 IXYS Ixgx82n120b3 - - -
RFQ
 ECAD 1614 0.00000000 Ixys Genx3 ™ Rohr Aktiv - - - K. Loch To-247-3 Variante Ixgx82 Standard 1250 w Plus247 ™ -3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 600 V, 80A, 2OHM, 15 V. Pt 1200 V 230 a 500 a 3,2 V @ 15V, 82a 5MJ (EIN), 3,3mj (AUS) 350 NC 30ns/210ns
RGW60TS65EHRC11 Rohm Semiconductor RGW60TS65EHRC11 7.1200
RFQ
 ECAD 5127 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 RGW60 Standard 178 w To-247n Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 846-RGW60TS65EHRC11 Ear99 8541.29.0095 450 400 V, 15a, 10ohm, 15 V. 146 ns TRABENFELD STOPP 650 V 64 a 120 a 1,9 V @ 15V, 30a 84 NC 37ns/101ns
STGWA40N120KD STMicroelectronics STGWA40N120KD - - -
RFQ
 ECAD 9704 0.00000000 Stmicroelektronik PowerMesh ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 STGWA40 Standard 240 w To-247 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 960 V, 30a, 10ohm, 15 V. 84 ns - - - 1200 V 80 a 120 a 3,85 V @ 15V, 30a 3,7MJ (EIN), 5,7MJ (AUS) 126 NC 48ns/338ns
IXDR30N120 IXYS IXDR30N120 - - -
RFQ
 ECAD 6790 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixdr30 Standard 200 w Isoplus247 ™ Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 600 V, 30a, 47OHM, 15 V. Npt 1200 V 50 a 60 a 2,9 V @ 15V, 30a 4,6mj (Ein), 3,4mj (AUS) 120 NC - - -
DD1200S12H4HOSA1 Infineon Technologies DD1200S12H4HOSA1 852.4250
RFQ
 ECAD 5727 0.00000000 Infineon -technologien IHM-B Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C. Chassis -berg Modul DD1200 1200000 w Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2 2 Unabhängig - - - 1200 V 1200 a 2,35 V @ 15V, 1200a NEIN
STGP30H65DFB2 STMicroelectronics STGP30H65DFB2 1.3390
RFQ
 ECAD 2832 0.00000000 Stmicroelektronik Hb2 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 STGP30 Standard 167 w To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 497-STGP30H65DFB2 Ear99 8541.29.0095 1.000 400 V, 30a, 6,8 Ohm, 15 V. 115 ns TRABENFELD STOPP 650 V 50 a 90 a 2,1 V @ 15V, 30a 270 µJ (EIN), 310 µJ (AUS) 90 nc 18,4ns/71ns
MUBW30-12E6K IXYS MUBW30-12E6K - - -
RFQ
 ECAD 3129 0.00000000 Ixys - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg E1 MUBW 130 w DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER E1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse - - - 1200 V 30 a 3,6 V @ 15V, 30a 1 Ma Ja 1.18 NF @ 25 V.
RGW60TS65HRC11 Rohm Semiconductor RGW60TS65HRC11 6.3700
RFQ
 ECAD 4916 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 RGW60 Standard 178 w To-247n Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 846-RGW60TS65HRC11 Ear99 8541.29.0095 450 400 V, 15a, 10ohm, 15 V. TRABENFELD STOPP 650 V 64 a 120 a 1,9 V @ 15V, 30a 84 NC 36ns/107ns
APTGLQ200H120G Microchip Technology APTGLQ200H120G 378.5700
RFQ
 ECAD 3108 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Sp6 APTGLQ200 1000 w Standard Sp6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Volle Brucke TRABENFELD STOPP 1200 V 350 a 2,4 V @ 15V, 200a 100 µA NEIN 12.3 NF @ 25 V.
IKD15N60RFAATMA1 Infineon Technologies IKD15N60RFAATMA1 1.4998
RFQ
 ECAD 6682 0.00000000 Infineon -technologien Automobile, AEC-Q101, Trenchstop ™ Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 IKD15N60 Standard 240 w PG-to252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001205248 Ear99 8541.29.0095 2.500 400 V, 15a, 15ohm, 15 V. 74 ns Graben 600 V 30 a 45 a 2,5 V @ 15V, 15a 270 µJ (EIN), 250 µJ (AUS) 90 nc 13ns/160ns
APTGF180H60G Microchip Technology APTGF180H60G - - -
RFQ
 ECAD 4862 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Veraltet - - - Chassis -berg Sp6 833 w Standard Sp6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Vollbrückke Wechselrichter Npt 600 V 220 a 2,5 V @ 15V, 180a 300 µA NEIN 8.6 NF @ 25 V.
GSID150A120S5C1 SemiQ GSID150A120S5C1 - - -
RFQ
 ECAD 1331 0.00000000 Semiq - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul Gsid150 1087 w Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen 1560-1230 Ear99 8541.29.0095 2 Drei -Phase -wechselrichter - - - 1200 V 285 a 2,1 V @ 15V, 150a 1 Ma Ja 21.2 NF @ 25 V.
RGTH00TK65GC11 Rohm Semiconductor RGTH00TK65GC11 6.8200
RFQ
 ECAD 405 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-3Pfm, SC-93-3 RGTH00 Standard 72 w To-3Pfm Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 400 V, 50A, 10OHM, 15 V. TRABENFELD STOPP 650 V 35 a 200 a 2,1 V @ 15V, 50a - - - 94 NC 39ns/143ns
RGT50TM65DGC9 Rohm Semiconductor RGT50TM65DGC9 3.5200
RFQ
 ECAD 9904 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack RGT50 Standard 47 w To-220nfm Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 400 V, 25a, 10ohm, 15 V. 58 ns TRABENFELD STOPP 650 V 21 a 75 a 2,1 V @ 15V, 25a - - - 49 NC 27ns/88ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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