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IGBTs (8343)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Testedingung | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | APT64GA90B | 8.6900 |  | 3014 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | APT64GA90 | Standard | 500 w | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 600 V, 38a, 4,7ohm, 15 V. | Pt | 900 V | 117 a | 193 a | 3,1 V @ 15V, 38a | 1857 µj (EIN), 2311 µJ (AUS) | 162 NC | 18ns/131ns | ||||||||
 | APT75GN120JDQ3 | 36.1000 | | 1729 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Isotop | APT75GN120 | 379 w | Standard | ISOTOP® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 124 a | 2,1 V @ 15V, 75a | 200 µA | NEIN | 4.8 NF @ 25 V. | |||||||||
 | FGA50N100BNTtu | - - - | | 8711 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | FGA50 | Standard | 156 w | To-3p | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600 V, 60A, 10OHM, 15 V. | Npt und griffen | 1000 v | 50 a | 200 a | 2,9 V @ 15V, 60a | - - - | 257 NC | 34ns/243ns | |||||||||
 | APTCV60TLM99T3G | 79.1600 | | 6501 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | SP3 | Aptcv60 | 90 w | Standard | SP3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Drei -Level -Wechselrichter -IGBT, FET | TRABENFELD STOPP | 600 V | 50 a | 1,9 V @ 15V, 30a | 250 µA | Ja | 1,6 NF @ 25 V. | |||||||||
 | STGD7NB120S-1 | - - - | | 5216 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | PowerMesh ™ | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | STGD7 | Standard | 55 w | To-251 (ipak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | 960 V, 7a, 1kohm, 15 V. | - - - | 1200 V | 10 a | 20 a | 2,1 V @ 15V, 7a | 15MJ (AUS) | 29 NC | 570ns/- | ||||||||
 | APTGF150A120T3WG | - - - | | 9900 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | SP3 | 961 w | Standard | SP3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | Npt | 1200 V | 210 a | 3,7 V @ 15V, 150a | 250 µA | Ja | 9.3 NF @ 25 V. | ||||||||||||
 | APTGL120TA120TPG | 294.8500 | | 7669 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp6 | APTGL120 | 517 w | Standard | SP6-P | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | DRIPHASE | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 140 a | 2,15 V @ 15V, 100a | 250 µA | Ja | 6.2 NF @ 25 V | |||||||||
 | APTGT200A60T3AG | 114.4100 | | 9206 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | SP3 | AptGT200 | 750 w | Standard | SP3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | TRABENFELD STOPP | 600 V | 290 a | 1,9 V @ 15V, 200a | 250 µA | Ja | 12.3 NF @ 25 V. | |||||||||
 | FGPF70N30 | - - - | | 7948 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | FGPF7 | Standard | 52 w | To-220f-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | - - - | - - - | 300 V | 160 a | 1,5 V @ 15V, 20a | - - - | 71 NC | - - - | ||||||||||
 | STGF19NC60HD | 2.4700 | | 344 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | PowerMesh ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | STGF19 | Standard | 32 w | To-220fp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 390 V, 12a, 10ohm, 15 V. | 31 ns | - - - | 600 V | 16 a | 60 a | 2,5 V @ 15V, 12a | 85 µJ (EIN), 189 µJ (AUS) | 53 NC | 25ns/97ns | |||||||
 | STGW39NC60VD | 5.8000 | | 527 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | PowerMesh ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | STGW39 | Standard | 250 w | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-5741 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 390 V, 30a, 10ohm, 15 V. | 45 ns | - - - | 600 V | 80 a | 220 a | 2,4 V @ 15V, 30a | 333 µJ (EIN), 537 µJ (AUS) | 126 NC | 33ns/178ns | ||||||
 | STGD6NC60HDT4 | 1.4800 | | 5475 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | PowerMesh ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | STGD6 | Standard | 56 w | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 390 V, 3a, 10ohm, 15 V. | 21 ns | - - - | 600 V | 15 a | 21 a | 2,5 V @ 15V, 3a | 20 µJ (EIN), 68 µJ (AUS) | 13.6 NC | 12ns/76ns | |||||||
| STGF10NC60KD | 1.7000 | | 1 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | PowerMesh ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | STGF10 | Standard | 25 w | To-220fp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-5114-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 390 V, 5a, 10ohm, 15 V. | 22 ns | - - - | 600 V | 9 a | 30 a | 2,5 V @ 15V, 5a | 55 µJ (EIN), 85 µJ (AUS) | 19 NC | 17ns/72ns | ||||||
 | STGF6NC60HD | 1.5400 | | 125 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | PowerMesh ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | STGF6 | Standard | 20 w | To-220fp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 390 V, 3a, 10ohm, 15 V. | 21 ns | - - - | 600 V | 6 a | 21 a | 2,5 V @ 15V, 3a | 20 µJ (EIN), 68 µJ (AUS) | 13.6 NC | 12ns/76ns | |||||||
 | STGP10NC60H | 1.9800 | | 63 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | PowerMesh ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | STGP10 | Standard | 60 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 390 V, 5a, 10ohm, 15 V. | - - - | 600 V | 20 a | 2,5 V @ 15V, 5a | 31,8 µj (Ein), 95 um (AUS) | 19.2 NC | 14,2ns/72ns | |||||||||
| STGP10NC60K | - - - | | 9090 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | PowerMesh ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | STGP10 | Standard | 60 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-5119-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 390 V, 5a, 10ohm, 15 V. | - - - | 600 V | 20 a | 30 a | 2,5 V @ 15V, 5a | 55 µJ (EIN), 85 µJ (AUS) | 19 NC | 17ns/72ns | |||||||
 | STG3P2M10N60B | - - - | | 1586 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Semitop® | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Semitop®2 | STG3P2 | 56 w | Einphasenbrückenreichrichter | Semitop®2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | Drei -Phase -wechselrichter | - - - | 600 V | 19 a | 2,5 V @ 15V, 7a | 10 µA | NEIN | 720 PF @ 25 V. | |||||||||
 | STGE50NB60HD | - - - | | 6171 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | PowerMesh ™ | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | STGE50 | 300 w | Standard | Isotop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 497-5269-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | Einzel | - - - | 600 V | 100 a | 2,8 V @ 15V, 50a | 250 µA | NEIN | 4,5 NF @ 25 V. | ||||||||
| STGW30NC120HD | 5.1600 | | 3019 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | PowerMesh ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | STGW30 | Standard | 220 w | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-5314-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 960 V, 20A, 10OHM, 15 V. | 152 ns | - - - | 1200 V | 60 a | 2,75 V @ 15V, 20a | 1,66MJ (EIN), 4,44 MJ (AUS) | 110 NC | 29ns/275ns | |||||||
| FGA180N30DTU | - - - | | 6180 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | FGA180 | Standard | 480 w | To-3p | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | - - - | 21 ns | - - - | 300 V | 180 a | 450 a | 1,4 V @ 15V, 40a | - - - | 185 NC | - - - | ||||||||
| FGPF7N60RUFDTU | - - - | | 5067 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | FGPF7 | Standard | 41 w | To-220f-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 300 V, 7a, 30ohm, 15 V. | 65 ns | - - - | 600 V | 14 a | 21 a | 2,8 V @ 15V, 7a | 230 µJ (EIN), 100 µJ (AUS) | 24 NC | 60ns/60ns | ||||||||
| APT30GP60BG | 7.9500 | | 3316 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power MOS 7® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | APT30GP60 | Standard | 463 w | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V, 30a, 5ohm, 15 V. | Pt | 600 V | 100 a | 100 a | 2,7 V @ 15V, 30a | 260 µJ (EIN), 250 µJ (AUS) | 90 nc | 13ns/55ns | ||||||||
| APT25GN120BG | 6.7700 | | 7601 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | APT25GN120 | Standard | 272 w | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 800 V, 25a, 1ohm, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 67 a | 75 a | 2,1 V @ 15V, 25a | 2,15 µj (AUS) | 155 NC | 22ns/280ns | ||||||||
| APT25GP120BDQ1G | - - - | | 1553 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power MOS 7® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | APT25GP120 | Standard | 417 w | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 600 V, 25a, 5ohm, 15 V. | Pt | 1200 V | 69 a | 90 a | 3,9 V @ 15V, 25a | 500 µJ (EIN), 440 UJ (AUS) | 110 NC | 12ns/70ns | ||||||||
| APT25GP90BG | - - - | | 8000 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power MOS 7® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | APT25GP90 | Standard | 417 w | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 600 V, 25a, 5ohm, 15 V. | Pt | 900 V | 72 a | 110 a | 3,9 V @ 15V, 25a | 370 µj (AUS) | 110 NC | 13ns/55ns | ||||||||
| APT30GP60JDQ1 | - - - | | 6073 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Power MOS 7® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | APT30GP60 | 245 w | Standard | ISOTOP® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Pt | 600 V | 67 a | 2,7 V @ 15V, 30a | 500 µA | NEIN | 3.2 NF @ 25 V | |||||||||
| APT35GN120BG | 8.4700 | | 3180 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | APT35GN120 | Standard | 379 w | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 800 V, 35A, 2,2 Ohm, 15 V. | Npt, Grabenfeld Stopp | 1200 V | 94 a | 105 a | 2,1 V @ 15V, 35a | 2.315 MJ (AUS) | 220 NC | 24ns/300ns | ||||||||
| APT35GP120BG | 15.7000 | | 1418 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power MOS 7® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | APT35GP120 | Standard | 543 w | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 600 V, 35A, 5OHM, 15 V. | Pt | 1200 V | 96 a | 140 a | 3,9 V @ 15V, 35a | 750 µJ (EIN), 680 µJ (AUS) | 150 nc | 16ns/94ns | ||||||||
| APT35GP120J | - - - | | 3760 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power MOS 7® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Isotop | APT35GP120 | 284 w | Standard | ISOTOP® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Pt | 1200 V | 64 a | 3,9 V @ 15V, 35a | 250 µA | NEIN | 3.24 NF @ 25 V. | |||||||||
| APT40GP90BG | 15.8800 | | 2 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power MOS 7® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | APT40GP90 | Standard | 543 w | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 600 V, 40a, 5ohm, 15 V. | Pt | 900 V | 100 a | 160 a | 3,9 V @ 15V, 40a | 825 µj (AUS) | 145 NC | 16ns/75ns |
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