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IGBTs (8343)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Testedingung | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Ixgr72N60B3H1 | 21.3600 |  | 5609 | 0.00000000 | Ixys | Genx3 ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Ixgr72 | Standard | 200 w | Isoplus247 ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 480 V, 50A, 3OHM, 15 V. | 140 ns | Pt | 600 V | 75 a | 450 a | 1,8 V @ 15V, 60a | 1,4mj (Ein), 1MJ (AUS) | 225 NC | 31ns/152ns | |||||||
 | Ixgt15n120b | - - - | | 8674 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfast ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa | Ixgt15 | Standard | 180 w | To-268aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 960 V, 15a, 10ohm, 15 V. | Pt | 1200 V | 30 a | 60 a | 3,2 V @ 15V, 15a | 1,75 MJ (AUS) | 69 NC | 25ns/180ns | ||||||||
| Ixgt31n60d1 | - - - | | 4699 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa | Ixgt31 | Standard | 150 w | To-268aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 480 V, 31A, 10OHM, 15 V. | 25 ns | - - - | 600 V | 60 a | 80 a | 1,7 V @ 15V, 31a | 6MJ (AUS) | 80 nc | 15ns/400ns | ||||||||
| Ixgt32N60BD1 | - - - | | 3571 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfast ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa | Ixgt32 | Standard | 200 w | To-268aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 480 V, 32a, 4,7ohm, 15 V. | 25 ns | - - - | 600 V | 60 a | 120 a | 2,3 V @ 15V, 32a | 600 µJ (AUS) | 110 NC | 25ns/100 ns | ||||||||
 | Ixgx12n90c | - - - | | 8458 | 0.00000000 | Ixys | HiPerfast ™, LightSpeed ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 Variante | Ixgx12 | Standard | 100 w | Plus247 ™ -3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 720 V, 12A, 22OHM, 15 V. | - - - | 900 V | 24 a | 48 a | 3v @ 15V, 12a | 320 µj (AUS) | 33 NC | 20ns/135ns | ||||||||
 | Ixsh24n60u1 | - - - | | 6369 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfast ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Ixsh24 | Standard | 150 w | To-247ad | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 480 V, 24a, 10ohm, 15 V. | 50 ns | - - - | 600 V | 48 a | 96 a | 2,2 V @ 15V, 24a | 2mj (AUS) | 75 NC | 100 ns/450ns | ||||||||
 | IXSN50N60BD3 | - - - | | 3375 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | IXSN50 | 250 w | Standard | SOT-227B | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzel | - - - | 600 V | 75 a | 2,5 V @ 15V, 50A | 350 µA | NEIN | 3,85 NF @ 25 V. | ||||||||||
| IXSN55N120AU1 | - - - | | 1461 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | Ixsn55 | 500 w | Standard | SOT-227B | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzel | - - - | 1200 V | 110 a | 4V @ 15V, 55a | 1 Ma | NEIN | 8 NF @ 25 V | ||||||||||
| IXSN62N60U1 | - - - | | 2414 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | Ixsn62 | 250 w | Standard | SOT-227B | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzel | Pt | 600 V | 90 a | 2,5 V @ 15V, 50A | 750 µA | NEIN | 4,5 NF @ 25 V. | ||||||||||
| IXSR50N60B | - - - | | 3686 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-247-3 | Ixsr50 | Standard | Isoplus247 ™ | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | - - - | - - - | 600 V | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||
 | IRGI4064DPBF | - - - | | 2351 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Standard | 38 w | To-220ab Full-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V, 8a, 22OHM, 15 V. | 48 ns | Graben | 600 V | 15 a | 24 a | 1,8 V @ 15V, 8a | 20 µJ (EIN), 125 µJ (AUS) | 21 NC | 29ns/84ns | |||||||||
 | STGW19NC60W | - - - | | 3003 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | PowerMesh ™ | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | STGW19 | Standard | 140 w | To-247 Lange Hinese | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 390 V, 12a, 10ohm, 15 V. | - - - | 600 V | 42 a | 2,5 V @ 15V, 12a | 81 µJ (EIN), 125 µJ (AUS) | 53 NC | 25ns/90ns | |||||||||
 | GT10J312 (q) | - - - | | 7639 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | GT10J312 | Standard | 60 w | To-220sm | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 300 V, 10a, 100 Ohm, 15 V | 200 ns | - - - | 600 V | 10 a | 20 a | 2,7 V @ 15V, 10a | - - - | 400 ns/400 ns | ||||||||||
 | GT30J121 (q) | 3.3300 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | GT30J121 | Standard | 170 w | To-3p (n) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 300 V, 30a, 24ohm, 15 V. | - - - | 600 V | 30 a | 60 a | 2,45 V @ 15V, 30a | 1MJ (EIN), 800 µJ (AUS) | 90 ns/300 ns | |||||||||||
 | GT50J121 (q) | - - - | | 6353 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-3pl | GT50J121 | Standard | 240 w | To-3p (lh) | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 300 V, 50a, 13ohm, 15 V. | - - - | 600 V | 50 a | 100 a | 2,45 V @ 15V, 50a | 1,3mj (Ein), 1,34 MJ (AUS) | 90 ns/300 ns | |||||||||||
 | Ixga30n60c3c1 | - - - | | 1290 | 0.00000000 | Ixys | Genx3 ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Ixga30 | Standard | 220 w | To-263aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 300 V, 20a, 5ohm, 15 V. | Pt | 600 V | 60 a | 150 a | 3v @ 15V, 20a | 120 µJ (EIN), 90 µJ (AUS) | 38 NC | 17ns/42ns | ||||||||
 | STGD10NC60SDT4 | 2.4500 | | 1 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | PowerMesh ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | STGD10 | Standard | 60 w | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 390 V, 5a, 10ohm, 15 V. | 22 ns | - - - | 600 V | 18 a | 25 a | 1,65 V @ 15V, 5a | 60 µJ (EIN), 340 µJ (AUS) | 18 NC | 19ns/160ns | |||||||
 | IXGB200N60B3 | - - - | | 5180 | 0.00000000 | Ixys | Genx3 ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-264-3, to-264aa | IXGB200 | Standard | 1250 w | Plus264 ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 300 V, 100a, 1ohm, 15 V. | Pt | 600 V | 75 a | 600 a | 1,5 V @ 15V, 100a | 1,6mj (Ein), 2,9mj (AUS) | 750 NC | 44ns/310ns | ||||||||
 | STGB35N35LZT4 | - - - | | 8134 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | PowerMesh ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | STGB35 | Logik | 176 w | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 300 V, 15a, 5 V. | - - - | 345 v | 40 a | 80 a | 1,7 V @ 4,5 V, 15a | - - - | 49 NC | 1,1 µs/26,5 µs | ||||||||
 | Ixbf20n300 | 56.1580 | | 1388 | 0.00000000 | Ixys | Bimosfet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | I4 -PAC ™ -5 (3 Leads) | Ixbf20 | Standard | 150 w | Isoplus i4-pac ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | - - - | 1,35 µs | - - - | 3000 v | 34 a | 150 a | 3,2 V @ 15V, 20a | - - - | 105 NC | - - - | |||||||
| Ixbh12n300 | 34,3000 | | 279 | 0.00000000 | Ixys | Bimosfet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Ixbh12 | Standard | 160 w | To-247ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 623293 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | - - - | 1,4 µs | - - - | 3000 v | 30 a | 100 a | 3,2 V @ 15V, 12a | - - - | 62 NC | - - - | ||||||
| Ixbk55n300 | 107.9000 | | 9638 | 0.00000000 | Ixys | Bimosfet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-264-3, to-264aa | Ixbk55 | Standard | 625 w | To-264aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | - - - | 1,9 µs | - - - | 3000 v | 130 a | 600 a | 3,2 V @ 15V, 55a | - - - | 335 NC | - - - | |||||||
| STGD18N40LZT4 | 1.0565 | | 6662 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Automobile, AEC-Q101, PowerMesh ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | STGD18 | Logik | 125 w | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 300 V, 10a, 5 V. | - - - | 420 v | 25 a | 40 a | 1,7 V @ 4,5 V, 10a | - - - | 29 NC | 650 ns/13,5 µs | ||||||||
| STGW30N120KD | - - - | | 6084 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | PowerMesh ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | STGW30 | Standard | 220 w | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-7015-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 960 V, 20A, 10OHM, 15 V. | 84 ns | - - - | 1200 V | 60 a | 100 a | 3,85 V @ 15V, 20a | 2,4mj (Ein), 4,3mj (AUS) | 105 NC | 36ns/251ns | ||||||
 | Fgh30n120ftdtu | - - - | | 1460 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | FGH30 | Standard | 339 w | To-247-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 150 | - - - | 730 ns | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 60 a | 90 a | 2v @ 15V, 30a | - - - | 208 NC | - - - | ||||||||
| STGD10NC60HDT4 | - - - | | 5756 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | PowerMesh ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | STGD10 | Standard | 62 w | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 390 V, 5a, 10ohm, 15 V. | 22 ns | - - - | 600 V | 20 a | 30 a | 2,5 V @ 15V, 5a | 31,8 µj (Ein), 95 um (AUS) | 19.2 NC | 14,2ns/72ns | |||||||
| Ixgr24n120c3d1 | 10.0634 | | 5691 | 0.00000000 | Ixys | Genx3 ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Ixgr24 | Standard | 200 w | Isoplus247 ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600 V, 20a, 5ohm, 15 V. | 220 ns | Pt | 1200 V | 48 a | 96 a | 4,2 V @ 15V, 20a | 1,37MJ (EIN), 470 µJ (AUS) | 79 NC | 16ns/93ns | |||||||
| IXGX120N120A3 | 39,6000 | | 2089 | 0.00000000 | Ixys | Genx3 ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 Variante | Ixgx120 | Standard | 830 w | Plus247 ™ -3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 960 V, 100a, 1OHM, 15 V. | Pt | 1200 V | 240 a | 600 a | 2,2 V @ 15V, 100a | 10MJ (EIN), 33MJ (AUS) | 420 NC | 40ns/490ns | ||||||||
 | APT100GT60JRDQ4 | - - - | | 3354 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Thunderbolt IGBT® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Isotop | APT100 | 500 w | Standard | ISOTOP® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Npt | 600 V | 148 a | 2,5 V @ 15V, 100a | 50 µA | NEIN | 5.15 NF @ 25 V | |||||||||
| APT200GN60JDQ4 | 47.5500 | | 49 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Isotop | APT200 | 682 w | Standard | ISOTOP® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | APT200GN60JDQ4MI | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 600 V | 283 a | 1,85 V @ 15V, 200a | 50 µA | NEIN | 14.1 NF @ 25 V. |
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