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IGBTs (8343)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Testedingung | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | APTGT150SK170D1G | - - - |  | 8504 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | D1 | 780 w | Standard | D1 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1700 v | 280 a | 2,4 V @ 15V, 150a | 4 ma | NEIN | 13 NF @ 25 V | |||||||||||
| APTGT200A120D3G | 264.8800 | | 9479 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | D-3-Modul | AptGT200 | 1040 w | Standard | D3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 300 a | 2,1 V @ 15V, 200a | 6 Ma | NEIN | 14 NF @ 25 V | |||||||||
| APTGT200DH60G | 182.8400 | | 5060 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp6 | AptGT200 | 625 w | Standard | Sp6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Asymmetrische Brücke | TRABENFELD STOPP | 600 V | 290 a | 1,9 V @ 15V, 200a | 250 µA | NEIN | 12.3 NF @ 25 V. | |||||||||
| APTGT25SK120D1G | - - - | | 7342 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | - - - | Chassis -berg | D1 | 140 w | Standard | D1 | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 40 a | 2,1 V @ 15V, 25a | 5 Ma | NEIN | 1,8 NF @ 25 V. | |||||||||||
| APTGT300A120D3G | 315.1700 | | 4568 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | D-3-Modul | Aptgt300 | 1250 w | Standard | D3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 440 a | 2,1 V @ 15V, 300A | 8 ma | NEIN | 20 NF @ 25 V | |||||||||
| APTGT300A120G | 303.2725 | | 5852 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp6 | Aptgt300 | 1380 w | Standard | Sp6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 420 a | 2,1 V @ 15V, 300A | 500 µA | NEIN | 21 NF @ 25 V | |||||||||
| APTGT300A60G | 217.6800 | | 8144 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp6 | Aptgt300 | 1150 w | Standard | Sp6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | TRABENFELD STOPP | 600 V | 430 a | 1,8 V @ 15V, 300A | 350 µA | NEIN | 24 NF @ 25 V. | |||||||||
| APTGT300SK120D3G | - - - | | 9551 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | D-3-Modul | 1250 w | Standard | D3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 440 a | 2,1 V @ 15V, 300A | 8 ma | NEIN | 20 NF @ 25 V | |||||||||||
| APTGT30A170D1G | - - - | | 4509 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | - - - | Chassis -berg | D1 | 210 w | Standard | D1 | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | TRABENFELD STOPP | 1700 v | 45 a | 2,4 V @ 15V, 30a | 3 ma | NEIN | 2,5 NF @ 25 V. | |||||||||||
| APTGT30DSK60T3G | - - - | | 6698 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | SP3 | 90 w | Standard | SP3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Dual Buck Chopper | TRABENFELD STOPP | 600 V | 50 a | 1,9 V @ 15V, 30a | 250 µA | Ja | 1,6 NF @ 25 V. | |||||||||||
| APTGT30H170T3G | 114.6200 | | 9479 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SP3 | Aptgt30 | 210 w | Standard | SP3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Vollbrückke Wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 1700 v | 45 a | 2,4 V @ 15V, 30a | 250 µA | Ja | 2,5 NF @ 25 V. | |||||||||
| APTGT400SK120G | 239.4300 | | 4232 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp6 | APTGT400 | 1785 w | Standard | Sp6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 560 a | 2,1 V @ 15V, 400a | 750 µA | NEIN | 28 NF @ 25 V | |||||||||
| APTGT400SK60D3G | - - - | | 2549 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | D-3-Modul | 1250 w | Standard | D3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 600 V | 500 a | 1,9 V @ 15V, 400a | 500 µA | NEIN | 24 NF @ 25 V. | |||||||||||
 | APTGT450A60G | 276.5700 | | 3474 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp6 | APTGT450 | 1750 w | Standard | Sp6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | TRABENFELD STOPP | 600 V | 550 a | 1,8 V @ 15V, 450a | 500 µA | NEIN | 37 NF @ 25 V. | |||||||||
| APTGT450DU60G | - - - | | 5648 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp6 | 1750 w | Standard | Sp6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Dual Gemeinsame Quelle | TRABENFELD STOPP | 600 V | 550 a | 1,8 V @ 15V, 450a | 500 µA | NEIN | 37 NF @ 25 V. | |||||||||||
| APTGT450SK60G | 197.0100 | | 2759 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp6 | APTGT450 | 1750 w | Standard | Sp6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 600 V | 550 a | 1,8 V @ 15V, 450a | 500 µA | NEIN | 37 NF @ 25 V. | |||||||||
 | APTGT50A120T1G | 64.1000 | | 8679 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp1 | APTGT50 | 277 w | Standard | Sp1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 75 a | 2,1 V @ 15V, 50a | 250 µA | Ja | 3.6 NF @ 25 V | |||||||||
 | APTGT50DDA120T3G | 76.7900 | | 1444 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | SP3 | APTGT50 | 270 w | Standard | SP3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2266-aptgt50DDA120T3G | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Dual Boost Chopper | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 75 a | 2,1 V @ 15V, 50a | 250 µA | Ja | 3.6 NF @ 25 V | ||||||||
| APTGT50SK120D1G | - - - | | 4134 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | - - - | Chassis -berg | D1 | 270 w | Standard | D1 | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 75 a | 2,1 V @ 15V, 50a | 5 Ma | NEIN | 3.6 NF @ 25 V | |||||||||||
| APTGT50SK170D1G | - - - | | 5103 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | - - - | Chassis -berg | D1 | 310 w | Standard | D1 | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1700 v | 70 a | 2,4 V @ 15V, 50a | 6 Ma | NEIN | 4.4 NF @ 25 V | |||||||||||
| APTGT580U60D4G | - - - | | 8448 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | D4 | 1600 w | Standard | D4 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 600 V | 760 a | 1,9 V @ 15V, 600A | 1 Ma | NEIN | 37 NF @ 25 V. | |||||||||||
 | APTGT600SK60G | 225.2700 | | 4587 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp6 | Aptgt600 | 2300 w | Standard | Sp6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 600 V | 700 a | 1,8 V @ 15V, 600A | 750 µA | NEIN | 49 NF @ 25 V. | |||||||||
 | FGH60N60SFTU | - - - | | 3740 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | FGH60 | Standard | 378 w | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 60a, 5ohm, 15 V. | Feldstopp | 600 V | 120 a | 180 a | 2,9 V @ 15V, 60a | 1,79 MJ (EIN), 670 µJ (AUS) | 198 NC | 22ns/134ns | ||||||||
 | FGA70N30TDTU | - - - | | 4576 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | FGA70 | Standard | 201 w | To-3pn | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | - - - | 21 ns | Graben | 300 V | 160 a | 1,5 V @ 15V, 20a | - - - | 125 NC | - - - | |||||||||
 | FGPF30N30TDTU | - - - | | 7132 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | FGPF3 | Standard | 44,6 w | To-220f-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 200 V, 20a, 20ohm, 15 V | 22 ns | Graben | 300 V | 80 a | 1,5 V @ 15V, 10a | - - - | 65 NC | 22ns/130ns | |||||||||
| CM75RL-12NF | - - - | | 5661 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD ™ | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 430 w | Standard | Modul | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse | - - - | 600 V | 75 a | 2,2 V @ 15V, 75A | 1 Ma | NEIN | 11.3 NF @ 10 V | ||||||||||||
| CM75TF-24H | - - - | | 9148 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD ™ | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 600 w | Standard | Modul | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Drei -Phase -wechselrichter | - - - | 1200 V | 75 a | 3,4 V @ 15V, 75a | 1 Ma | NEIN | 15 NF @ 10 V | ||||||||||
| CM75TU-24H | - - - | | 6489 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD ™ | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 600 w | Standard | Modul | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Drei -Phase -wechselrichter | - - - | 1200 V | 75 a | 3,7 V @ 15V, 75a | 1 Ma | NEIN | 11 NF @ 10 V | |||||||||||
| MG400J2YS61A | - - - | | 2763 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD ™ | Schüttgut | Veraltet | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 2160 w | Standard | Modul | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | - - - | 600 V | 400 a | 2,2 V @ 15V, 400a | 1 Ma | NEIN | 85 NF @ 10 V | ||||||||||||
| MG600J2YS61A | - - - | | 3779 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD ™ | Schüttgut | Veraltet | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 2770 w | Standard | Modul | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | - - - | 600 V | 600 a | 2,5 V @ 15V, 600A | 1 Ma | NEIN | 125 NF @ 10 V |
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