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IGBT -Modul (3267)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Kraft - Max	Eingang	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Strom - Sammler Cutoff (max)	NTC Thermistor	Eingabekapazität (cies) @ vce
VS-GB90DA60U	- - -	RFQ	9603	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Rohr	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4	GB90	625 w	Standard	SOT-227	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	VS-GB90DA60UGI	Ear99	8541.29.0095	160	Einzel	Npt	600 V	147 a	2,8 V @ 15V, 100a	100 µA	NEIN
CMLogu50H60T3FG	- - -	RFQ	7704	Mikrochip -technologie	*	Tablett	Veraltet								- - -				150-CMLogu50H60T3FG	Veraltet		1
IRG7U150HF12B	- - -	RFQ	1723	Infineon -technologien	- - -	Kasten	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	POWIR® 62 Modul	IRG7U	900 w	Standard	Powir® 62	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	15	Halbbrücke	- - -	1200 V	300 a	2v @ 15V, 150a	1 Ma	NEIN	14 NF @ 25 V
BSM75GAL120DN2HOSA1	- - -	RFQ	5287	Infineon -technologien	- - -	Tablett	Veraltet	150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul	BSM75GAL120	625 w	Standard	Modul	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10	Einzelschalter	- - -	1200 V	105 a	3v @ 15V, 75a	1,4 Ma	NEIN	5.5 NF @ 25 V.
MUBW25-12T7	- - -	RFQ	9696	Ixys	- - -	Kasten	Aktiv	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Chassis -berg	E2	MUBW25	170 w	DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER	E2	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	6	Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse	Graben	1200 V	45 a	2,15 V @ 15V, 25a	2,7 Ma	Ja	1,8 NF @ 25 V.
MIO600-65E11	- - -	RFQ	3468	Ixys	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Chassis -berg	E11	Mio		Standard	E11	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1	Einzelschalter	Npt	6500 v	600 a	4,2 V @ 15V, 600A	120 Ma	NEIN	150 NF @ 25 V
FZ1200R12KF4NOSA1	- - -	RFQ	7347	Infineon -technologien	IHM-B	Tablett	Veraltet	150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul		7800 w	Standard	- - -	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2	Einzelschalter	- - -	1200 V	1200 a	3,2 V @ 15V, 1,2ka	16 Ma	NEIN	90 NF @ 25 V
DF400R12KE3	- - -	RFQ	5846	Infineon -technologien	- - -	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul		2000 w	Standard	Modul	Herunterladen					Ear99	8542.29.0095	1	Einzel	TRABENFELD STOPP	1200 V	580 a	2,15 V @ 15V, 400A	5 Ma	NEIN	28 NF @ 25 V
APTGT35A120D1G	- - -	RFQ	5031	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Abgebrochen bei Sic	- - -	Chassis -berg	D1		205 w	Standard	D1	- - -	ROHS -KONFORM	1 (unbegrenzt)			Ear99	8541.29.0095	1	Halbbrücke	TRABENFELD STOPP	1200 V	55 a	2,1 V @ 15V, 35a	5 Ma	NEIN	2,5 NF @ 25 V.
Higfed1bosa1	- - -	RFQ	6279	Infineon -technologien	- - -	Tablett	Veraltet	- - -	- - -	- - -	Higfed1		- - -	- - -	- - -		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	SP000713564	Veraltet	0000.00.0000	1	- - -	- - -			- - -
NXH80T120L2Q0S2G	- - -	RFQ	9746	Onsemi	- - -	Tablett	Veraltet				NXH80T				Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	24
FS150R12KT4B11BOSA1	289.0000	RFQ	9	Infineon -technologien	Econopack ™ 3	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C.	Chassis -berg	Modul	FS150R12	750 w	Standard	Modul	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10	Drei -Phase -wechselrichter	TRABENFELD STOPP	1200 V	150 a	2,1 V @ 15V, 150a	1 Ma	Ja	9.35 NF @ 25 V.
NXH450B100H4Q2F2PG	225.0600	RFQ	35	Onsemi	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul		234 w	Standard	56-Pim (93x47)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen	488-NXH450B100H4Q2F2PG	Ear99	8541.29.0095	12	2 Unabhängig	- - -	1000 v	101 a	2,25 V @ 15V, 150a	600 µA	Ja	9.342 NF @ 20 V
APTGT50DA170D1G	- - -	RFQ	7140	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Abgebrochen bei Sic	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	D1		310 w	Standard	D1	Herunterladen	ROHS -KONFORM	1 (unbegrenzt)			Ear99	8541.29.0095	1	Einzel	TRABENFELD STOPP	1700 v	70 a	2,4 V @ 15V, 50a	6 Ma	NEIN	4.4 NF @ 25 V
FAM65CR51DZ2	- - -	RFQ	4956	Onsemi	- - -	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	12-Ssip-Exponierte-Pad, Gebildete-Leads	Fam65	160 w	Standard	APMCD-B16	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	12	2 Unabhängig	- - -	650 V	33 a	- - -		NEIN	4.86 NF @ 400 V
BSM15GD120DN2E3224BDLA1	- - -	RFQ	8226	Infineon -technologien	- - -	Tablett	Lets Kaufen	150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul	BSM15G	145 w	Standard	Modul	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10	Volle Brucke	- - -	1200 V	25 a	3v @ 15V, 15a	500 µA	NEIN	1 NF @ 25 V.
BSM15GP120B2BOSA1	- - -	RFQ	8094	Infineon -technologien	- - -	Tablett	Lets Kaufen	-40 ° C ~ 125 ° C.	Chassis -berg	Modul	BSM15G	180 w	DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER	Modul	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10	Volle Brucke	- - -	1200 V	35 a	2,55 V @ 15V, 15a	500 µA	Ja	1 NF @ 25 V.
IRG7T400SD12B	- - -	RFQ	6406	Infineon -technologien	- - -	Kasten	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	POWIR® 62 Modul	Irg7t	2140 w	Standard	Powir® 62	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	SP001542008	Ear99	8541.29.0095	15	Einzel	- - -	1200 V	780 a	2,2 V @ 15V, 400a	4 ma	NEIN	58,5 NF @ 25 V.
FS50R12KE3BPSA1	120.2700	RFQ	14	Infineon -technologien	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul	FS50R12	270 w	Standard	AG-ECONO2B	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	15	Vollbrückke Wechselrichter	- - -	1200 V	75 a	2,15 V @ 15V, 50a	5 Ma	Ja	3,5 NF @ 25 V.
FF3MR20KM1HSHPSA1	1.0000	RFQ	3324	Infineon -technologien	- - -	Tablett	Aktiv	- - -	Chassis -berg	Modul			Standard	AG-62MMHB	- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10	Halbbrücke	TRABENFELD STOPP	2000 v		- - -		NEIN
APTGT75DSK60T3G	- - -	RFQ	3703	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	SP3		250 w	Standard	SP3	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1	Dual Buck Chopper	TRABENFELD STOPP	600 V	100 a	1,9 V @ 15V, 75A	250 µA	Ja	4.62 NF @ 25 V.
FP50R07N2E4B11BOSA1	- - -	RFQ	7095	Infineon -technologien	Econopim ™ 2	Schüttgut	Abgebrochen bei Sic	-40 ° C ~ 150 ° C.	Chassis -berg	Modul	FP50R07		Standard	Modul	Herunterladen		Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10	Drei -Phase -wechselrichter	TRABENFELD STOPP	650 V	70 a	1,95 V @ 15V, 50a	1 Ma	Ja	3.1 NF @ 25 V
APTGT50H60T3G	74.5800	RFQ	16	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	SP3	APTGT50	176 w	Standard	SP3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1	Vollbrückke Wechselrichter	TRABENFELD STOPP	600 V	80 a	1,9 V @ 15V, 50a	250 µA	Ja	3.15 NF @ 25 V.
APTGT50DA120D1G	- - -	RFQ	5210	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Abgebrochen bei Sic	- - -	Chassis -berg	D1		270 w	Standard	D1	- - -	ROHS -KONFORM	1 (unbegrenzt)			Ear99	8541.29.0095	1	Einzel	TRABENFELD STOPP	1200 V	75 a	2,1 V @ 15V, 50a	5 Ma	NEIN	3.6 NF @ 25 V
MG1750S-BN4mm	- - -	RFQ	2894	Littelfuse Inc.	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Chassis -berg	S-3-Modul		320 w	Standard	S3	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)		-MG1750S-BN4mm	Ear99	8541.29.0095	50	Halbbrücke	TRABENFELD STOPP	1700 v	75 a	2,45 V @ 15V, 50a	3 ma	NEIN	4,5 NF @ 25 V.
APTGT30H60T3G	- - -	RFQ	2473	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	SP3		90 w	Standard	SP3	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1	Vollbrückke Wechselrichter	TRABENFELD STOPP	600 V	50 a	1,9 V @ 15V, 30a	250 µA	Ja	1,6 NF @ 25 V.
FP50R12KT4PBPSA1	150.3600	RFQ	8778	Infineon -technologien	Econopim ™ 2	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C.	Chassis -berg	Modul	FP50R12	20 MW	DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER	Modul	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10	Drei -Phase -wechselrichter	TRABENFELD STOPP	1200 V	100 a	2,15 V @ 15V, 25a	1 Ma	Ja	1,45 NF @ 25 V.
VS-GB150TH120U	- - -	RFQ	6104	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Doppelter int-a-pak (3 + 4)	GB150	1147 w	Standard	Double Int-a-Pak	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Vsgb150th120u	Ear99	8541.29.0095	12	Halbbrücke	- - -	1200 V	280 a	3,6 V @ 15V, 150a	5 Ma	NEIN	12.7 NF @ 30 V
FP50R12KS4CBOSA1	205.6510	RFQ	1282	Infineon -technologien	- - -	Schüttgut	Lets Kaufen	-40 ° C ~ 125 ° C.	Chassis -berg	Modul	FP50R12	360 w	Standard	Modul	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10	Einzel	- - -	1200 V	70 a	3,7 V @ 15V, 50A	5 Ma	Ja	3.3 NF @ 25 V
IRG5K75HF06A	- - -	RFQ	5067	Infineon -technologien	- - -	Kasten	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	POWIR® 34 MODUL	IRG5K75	330 w	Standard	Powir® 34	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	SP001548060	Ear99	8541.29.0095	20	Halbbrücke	- - -	600 V	140 a	2,1 V @ 15V, 75a	1 Ma	NEIN	3.6 NF @ 25 V

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

IGBT -Modul (3267)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²