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IGBT -Modul (3267)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Kraft - Max	Eingang	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Strom - Sammler Cutoff (max)	NTC Thermistor	Eingabekapazität (cies) @ vce
CM150DY-28H	- - -	RFQ	7391	Powerex Inc.	IGBTMOD ™	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul		1100 w	Standard	Modul	- - -	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)			Ear99	8541.29.0095	1	Halbbrücke	- - -	1400 v	150 a	4,2 V @ 15V, 150a	1 Ma	NEIN	30 NF @ 10 V
IXGE200N60B	- - -	RFQ	1929	Ixys	Hiperfast ™	Rohr	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Isoplus227 ™	Ixge200	416 w	Standard	Isoplus227 ™	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10	Einzel	- - -	600 V	160 a	2,3 V @ 15V, 120a	200 µA	NEIN	11 NF @ 25 V
FP50R06W2E3B11BOMA1	62.6193	RFQ	7960	Infineon -technologien	Easypim ™ 2b	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C.	Chassis -berg	Modul	FP50R06	175 w	Standard	Modul	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	15	Drei -Phase -wechselrichter	TRABENFELD STOPP	600 V	65 a	1,9 V @ 15V, 50a	1 Ma	Ja	3.1 NF @ 25 V
APTGT100DA170D1G	- - -	RFQ	5133	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Abgebrochen bei Sic	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	D1		695 w	Standard	D1	Herunterladen	ROHS -KONFORM	1 (unbegrenzt)			Ear99	8541.29.0095	1	Einzel	TRABENFELD STOPP	1700 v	200 a	2,4 V @ 15V, 100a	3 ma	NEIN	8,5 NF @ 25 V.
APTGT50DSK60T3G	- - -	RFQ	3355	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	SP3		176 w	Standard	SP3	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1	Dual Buck Chopper	TRABENFELD STOPP	600 V	80 a	1,9 V @ 15V, 50a	250 µA	Ja	3.15 NF @ 25 V.
FZ1000R33HE3C1NOSA1	160.0000	RFQ	1849	Infineon -technologien	IHM-B	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul	FZ1000	1600000 w	Standard	AG-IHVB130-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2	Einzelschalter	TRABENFELD STOPP	3300 v	1000 a	3,1 V @ 15V, 1Ka	5 Ma	NEIN	190 NF @ 25 V.
APTGT100SK170TG	117.5900	RFQ	4991	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Sp4	Aptgt100	560 w	Standard	Sp4	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1	Einzel	TRABENFELD STOPP	1700 v	150 a	2,4 V @ 15V, 100a	250 µA	Ja	9 NF @ 25 V
VS-GB300NH120N	- - -	RFQ	3595	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Doppelter int-a-pak (3 + 4)	GB300	1645 w	Standard	Double Int-a-Pak	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	VSGB300NH120N	Ear99	8541.29.0095	12	Einzel	- - -	1200 V	500 a	2,45 V @ 15V, 300A	5 Ma	NEIN	21.2 NF @ 25 V.
BSM50GD170DLBOSA1	- - -	RFQ	1068	Infineon -technologien	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 125 ° C.	Chassis -berg	Modul	BSM50G	480 w	Standard	Modul	- - -		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10	Volle Brucke	- - -	1700 v	100 a	3,3 V @ 15V, 50A	100 µA	NEIN	3,5 NF @ 25 V.
VS-GA200SA60SP	- - -	RFQ	1004	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	GA200	781 w	Standard	SOT-227	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)		VSGA200SA60SP	Ear99	8541.29.0095	180	Einzel	- - -	600 V		1,3 V @ 15V, 100a	1 Ma	NEIN	16.25 NF @ 30 V
FF1200R17KE3B2NOSA1	- - -	RFQ	8084	Infineon -technologien	IHM-B	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul		6600 w	Standard	A-IHV130-3	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2	2 Unabhängig	- - -	1700 v	1700 a	2,45 V @ 15V, 1,2 ka	5 Ma	NEIN	110 NF @ 25 V
Ixgn200n60b3	44.7500	RFQ	981	Ixys	Genx3 ™	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	Ixgn200	830 w	Standard	SOT-227B	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10	Einzel	Pt	600 V	300 a	1,5 V @ 15V, 100a	50 µA	NEIN	26 NF @ 25 V.
CM200Exs-24s	- - -	RFQ	8376	Powerex Inc.	- - -	Schüttgut	Abgebrochen bei Sic	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Modul		1500 w	Standard	Modul	Herunterladen	ROHS -KONFORM	1 (unbegrenzt)		835-1138	Ear99	8541.29.0095	1	Einzel	- - -	1200 V	200 a	2,15 V @ 15V, 200a	1 Ma	Ja	20 NF @ 10 V
APT50GLQ65JU2	- - -	RFQ	9144	Mikrochip -technologie	- - -	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc		220 w	Standard	ISOTOP®	Herunterladen		1 (unbegrenzt)			Ear99	8541.29.0095	100	Hubschruber Steigern	TRABENFELD STOPP	650 V	80 a	2,3 V @ 15V, 50a	50 µA	NEIN	3.1 NF @ 25 V
FF300R17ME4PBPSA1	283.2550	RFQ	6509	Infineon -technologien	Econodual ™ 3	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C.	Chassis -berg	Modul	FF300R17	20 MW	Standard	Modul	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	6	Halbbrücke	TRABENFELD STOPP	1700 v	600 a	2,3 V @ 15V, 300A	3 ma	Ja	24,5 NF @ 25 V.
FF300R12ME4BOSA1	205.3600	RFQ	5367	Infineon -technologien	Econodual ™ 3	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C.	Chassis -berg	Modul	FF300R12	1600 w	Standard	Modul	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10	2 Unabhängig	TRABENFELD STOPP	1200 V	450 a	2,1 V @ 15V, 300A	3 ma	Ja	18,5 NF @ 25 V.
BSM200GB170DLCHOSA1	- - -	RFQ	8298	Infineon -technologien	Primestack ™	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 125 ° C.	Chassis -berg	Modul	BSM200	1660 w	Standard	Modul	- - -		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10	Halbbrücke	- - -	1700 v	400 a	3,2 V @ 15V, 200a	5 Ma	NEIN	15 NF @ 25 V
FMS6G15US60	- - -	RFQ	7785	Onsemi	- - -	Kasten	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	25 Uhr-aa	Fms6	73 w	DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER	25 Uhr-aa	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30	Drei -Phase -wechselrichter	- - -	600 V	15 a	2,7 V @ 15V, 15a	250 µA	Ja	935 PF @ 30 V
APTGT75A120TG	- - -	RFQ	9116	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Sp4		350 w	Standard	Sp4	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1	Halbbrücke	TRABENFELD STOPP	1200 V	100 a	2,1 V @ 15V, 75a	250 µA	Ja	5.34 NF @ 25 V
VS-GT100DA120UF	41,5000	RFQ	1995	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	Hexfred®	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	GT100	890 w	Standard	SOT-227	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10	Einzel	Graben	1200 V	187 a	2,55 V @ 15V, 100a	100 µA	NEIN	6.15 NF @ 25 V.
APTGT150A170G	- - -	RFQ	9825	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Veraltet	- - -	Chassis -berg	Sp6		890 w	Standard	Sp6	- - -		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1	Halbbrücke	TRABENFELD STOPP	1700 v	250 a	2,4 V @ 15V, 150a	350 µA	NEIN	13.5 NF @ 25 V.
FS400R07A1E3S7BOMA1	360.8100	RFQ	15	Infineon -technologien	Hybridpack ™	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul	FS400R07	1250 w	DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER	Ag-Hybrid1-1	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	16	Vollbrückke Wechselrichter	TRABENFELD STOPP	705 v	500 a	1,7 V @ 15V, 400a	100 µA	Ja	28 NF @ 25 V
APTGF90A60TG	- - -	RFQ	8709	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Sp4		416 w	Standard	Sp4	Herunterladen	ROHS -KONFORM	1 (unbegrenzt)			Ear99	8541.29.0095	1	Halbbrücke	Npt	600 V	110 a	2,5 V @ 15V, 90a	250 µA	Ja	4.3 NF @ 25 V
MWI50-12A7T	- - -	RFQ	3062	Ixys	- - -	Kasten	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	E2	MWI50	350 w	Standard	E2	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	6	Drei -Phase -wechselrichter	Npt	1200 V	85 a	2,7 V @ 15V, 50a	4 ma	Ja	3.3 NF @ 25 V
MG150P12E2	173.4683	RFQ	600	Yangjie -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	- - -	Chassis -berg	Modul			DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER	- - -	- - -	ROHS -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	4617-mg150p12e2	Ear99		6	Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse	- - -	1200 V	150 a	- - -		Ja
APTGT100A120TG	127.5600	RFQ	2819	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Sp4	Aptgt100	480 w	Standard	Sp4	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1	Halbbrücke	TRABENFELD STOPP	1200 V	140 a	2,1 V @ 15V, 100a	250 µA	Ja	7.2 NF @ 25 V
APTGLQ400A120T6G	378.7425	RFQ	6977	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Sp6	APTGLQ400	1900 w	Standard	Sp6	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1	Halbbrücke	TRABENFELD STOPP	1200 V	700 a	2,4 V @ 15V, 400a	200 µA	Ja	24.6 NF @ 25 V.
APTGT150A60T3AG	105.0300	RFQ	1279	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	SP3	APTGT150	600 w	Standard	SP3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1	Halbbrücke	TRABENFELD STOPP	600 V	225 a	1,9 V @ 15V, 150a	250 µA	Ja	9.2 NF @ 25 V.
CM200DY-24NF	- - -	RFQ	5579	Powerex Inc.	IGBTMOD ™	Schüttgut	Abgebrochen bei Sic	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul		1130 w	Standard	Modul	Herunterladen	ROHS -KONFORM	1 (unbegrenzt)		835-1012	Ear99	8541.29.0095	1	Halbbrücke	- - -	1200 V	200 a	2,5 V @ 15V, 200a	1 Ma	NEIN	47 NF @ 10 V.
APTGL475U120DAG	246.7920	RFQ	5233	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	Sp6	Aptgl475	2307 w	Standard	Sp6	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1	Einzel	TRABENFELD STOPP	1200 V	610 a	2,2 V @ 15V, 400a	4 ma	NEIN	24.6 NF @ 25 V.

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

IGBT -Modul (3267)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²