SIC
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IGBT -Modul (3267)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) VCE (ON) (max) @ vge, IC Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce
NXH200T120H3Q2F2STNG onsemi NXH200T120H3Q2F2STNG 215.8400
RFQ
 ECAD 8166 0.00000000 Onsemi - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 679 w Standard 56-PIM/Q2Pack (93x47) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 488-NXH200T120H3Q2F2STNG Ear99 8541.29.0095 12 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 650 V 330 a 2,3 V @ 15V, 200a 500 µA NEIN 35.615 NF @ 25 V.
NXH75M65L4Q1SG onsemi NXH75M65L4Q1SG 79.5100
RFQ
 ECAD 3647 0.00000000 Onsemi - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 86 w Standard 56-Pim (93x47) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 488-NXH75M65L4Q1SG Ear99 8541.29.0095 21 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 650 V 59 a 2,22 V @ 15V, 75a 300 µA Ja 5.665 NF @ 30 V
NXH40B120MNQ1SNG onsemi NXH40B120MNQ1SNG 172.4100
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Onsemi - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 156 w Standard 32-Pim (71x37.4) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 488-NXH40B120MNQ1SNG Ear99 8541.29.0095 21 Dreifach, Dual - Gemeinsame Quelle - - - - - - Ja 3.227 NF @ 800 V
NXH400N100H4Q2F2SG onsemi NXH400N100H4Q2F2SG 322.7400
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Onsemi - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 959 w Standard 42-PIM/Q2Pack (93x47) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 488-NXH400N100H4Q2F2SG Ear99 8541.29.0095 12 Drei -Level -Wechselrichter TRABENFELD STOPP 1000 v 409 a 2,3 V @ 15V, 400a 500 µA Ja 26.093 NF @ 20 V
NXH300B100H4Q2F2PG onsemi NXH300B100H4Q2F2PG 203.4500
RFQ
 ECAD 3103 0.00000000 Onsemi - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 194 w Standard 27-PIM (71x37.4) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 488-NXH300B100H4Q2F2PG Ear99 8541.29.0095 12 Dual Gemeinsame Quelle TRABENFELD STOPP 1118 v 73 a 2,25 V @ 15V, 100a 800 µA Ja 6.323 NF @ 20 V
NXH200T120H3Q2F2STG onsemi NXH200T120H3Q2F2STG 198.2658
RFQ
 ECAD 2353 0.00000000 Onsemi - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 679 w Standard 56-PIM/Q2Pack (93x47) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 488-NXH200T120H3Q2F2STG Ear99 8541.29.0095 12 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 1200 V 330 a 2,3 V @ 15V, 200a 500 µA NEIN 35.615 NF @ 25 V.
FF450R12ME4BDLA1 Infineon Technologies FF450R12ME4BDLA1 133.5700
RFQ
 ECAD 8244 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 20 MW Standard AG-ECONOD-3-2 - - - 2156-FF450R12ME4BDLA1 2 Halbbrückke Wechselrichter TRABENFELD STOPP 1200 V 450 a 2,1 V @ 15V, 450a 3 ma Ja 28 NF @ 25 V
F3L225R12W3H3B11BPSA1 Infineon Technologies F3L225R12W3H3B11BPSA1 123.1900
RFQ
 ECAD 4731 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv F3L225 - - - 1 (unbegrenzt) 8
APTGL475U120DAG Microchip Technology APTGL475U120DAG 246.7920
RFQ
 ECAD 5233 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Sp6 Aptgl475 2307 w Standard Sp6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 1200 V 610 a 2,2 V @ 15V, 400a 4 ma NEIN 24.6 NF @ 25 V.
F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 Infineon Technologies F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 62.7292
RFQ
 ECAD 3369 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv F435mr - - - ROHS3 -KONFORM 24
IXSN80N60AU1 IXYS IXSN80N60AU1 - - -
RFQ
 ECAD 7488 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Ixsn80 500 w Standard SOT-227B Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Einzel - - - 600 V 160 a 3v @ 15V, 80a 1 Ma NEIN 8,5 NF @ 25 V.
FF600R17ME4PB11BOSA1 Infineon Technologies FF600R17Me4pb11bosa1 489.9300
RFQ
 ECAD 9750 0.00000000 Infineon -technologien Econodual ™ 3 Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FF600R17 Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 6 Halbbrückke Wechselrichter TRABENFELD STOPP 1700 v 600 a 2,3 V @ 15V, 600A 1 Ma Ja 48 NF @ 25 V.
BSM100GB120DLCHOSA1 Infineon Technologies BSM100GB120DLCHOSA1 176.8650
RFQ
 ECAD 5659 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Lets Kaufen -40 ° C ~ 125 ° C. Chassis -berg Modul BSM100 830 w Standard Modul - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Halbbrücke - - - 1200 V 100 a - - - Ja
BSM75GB120DN2HOSA1 Infineon Technologies BSM75GB120DN2HOSA1 - - -
RFQ
 ECAD 2236 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Veraltet 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul BSM75GB120 625 w Standard Modul - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Halbbrücke - - - 1200 V 105 a 3v @ 15V, 75a 1,5 Ma NEIN 5.5 NF @ 25 V.
BSM15GD120DN2E3224BOSA1 Infineon Technologies BSM15GD120DN2E3224BOSA1 78.2250
RFQ
 ECAD 2492 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Lets Kaufen 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul BSM15G 145 w Standard Modul - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Volle Brucke - - - 1200 V 25 a 3v @ 15V, 15a 500 µA NEIN 1 NF @ 25 V.
FF1400R12IP4BOSA1 Infineon Technologies FF1400R12IP4BOSA1 930.8700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon -technologien Primepack ™ 3 Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C. Chassis -berg Modul FF1400 765000 w Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2 2 Unabhängig TRABENFELD STOPP 1200 V 1400 a 2.05 V @ 15V, 1400a 5 Ma Ja 82 NF @ 25 V
FD250R65KE3KNOSA1 Infineon Technologies FD250R65KE3KNOSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 3342 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv -50 ° C ~ 125 ° C. Chassis -berg Modul FD250R65 4800 w Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2 Einzel - - - 6500 v 250 a 3,4 V @ 15V, 250a 5 Ma NEIN 69 NF @ 25 V.
APTGT30X60T3G Microchip Technology APTGT30X60T3G 76.3606
RFQ
 ECAD 2894 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg SP3 Aptgt30 90 w Standard SP3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Drei -Phase -wechselrichter TRABENFELD STOPP 600 V 50 a 1,9 V @ 15V, 30a 250 µA Ja 1,6 NF @ 25 V.
FS800R07A2E3IBPSA1 Infineon Technologies FS800R07A2E3IBPSA1 - - -
RFQ
 ECAD 5466 0.00000000 Infineon -technologien Hybridpack ™ 2 Tablett Abgebrochen bei Sic FS800R07 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.39.0001 3
BSM200GD60DLCBOSA1 Infineon Technologies BSM200GD60DLCBOSA1 - - -
RFQ
 ECAD 8187 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C. Chassis -berg Modul BSM200 700 w Standard Modul - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Volle Brucke - - - 600 V 226 a 2,45 V @ 15V, 200a 500 µA NEIN 9 NF @ 25 V
BSM15GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies BSM15GD120DN2BOSA1 82.8670
RFQ
 ECAD 1306 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Lets Kaufen 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul BSM15GD120 145 w Standard Modul - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Drei -Phase -wechselrichter - - - 1200 V 25 a 3v @ 15V, 15a 500 µA NEIN 100 PF @ 25 V.
BSM100GB120DN2KHOSA1 Infineon Technologies BSM100GB120DN2KHOSA1 - - -
RFQ
 ECAD 7097 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Veraltet 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul BSM100 700 w Standard Modul - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Halbbrücke - - - 1200 V 145 a 3v @ 15V, 100a 2 Ma NEIN 6,5 NF @ 25 V.
BSM75GD60DLCBOSA1 Infineon Technologies BSM75GD60DLCBOSA1 - - -
RFQ
 ECAD 1238 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C. Chassis -berg Modul BSM75G 330 w Standard Modul - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Volle Brucke - - - 600 V 95 a 2,45 V @ 15V, 75a 500 µA NEIN 3.3 NF @ 25 V
MG1275S-BA1MM Littelfuse Inc. MG1275S-BA1MM - - -
RFQ
 ECAD 7572 0.00000000 Littelfuse Inc. - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg S-3-Modul 630 w Standard S3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 100 Halbbrücke - - - 1200 V 105 a 1,8 V @ 15V, 75A (Typ) 500 µA NEIN 5.52 NF @ 25 V.
FS75R12KE3BOSA1 Infineon Technologies FS75R12KE3BOSA1 - - -
RFQ
 ECAD 5014 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FS75R12 350 w Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Drei -Phase -wechselrichter Npt 1200 V 105 a 2,15 V @ 15V, 75A 5 Ma Ja 5.3 NF @ 25 V
CM150RL-12NF Powerex Inc. CM150RL-12NF - - -
RFQ
 ECAD 5723 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD ™ Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 730 w Standard Modul - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse - - - 600 V 150 a 2,2 V @ 15V, 150a 1 Ma NEIN 23 NF @ 10 V
DDB6U180N16RRB37BOSA1 Infineon Technologies DDB6U180N16RRB37BOSA1 - - -
RFQ
 ECAD 6622 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Modul DDB6U180 Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10
FF225R65T3E3P6BPMA1 Infineon Technologies FF225R65T3E3P6BPMA1 1.0000
RFQ
 ECAD 3831 0.00000000 Infineon -technologien XHP ™ 3 Tablett Aktiv 125 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FF225R65 1000 w Standard AG-XHP3K65 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 6 2 Unabhängig TRABENFELD STOPP 5900 v 225 a 3,4 V @ 15V, 225a 5 Ma NEIN 65.6 NF @ 25 V.
F3L11MR12W2M1B74BOMA1 Infineon Technologies F3L11MR12W2M1B74BOMA1 198.0200
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Infineon -technologien EasyPack ™ Tablett Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul F3L11MR12 20 MW Standard Ag-Easy2b-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 15 Drei -Level -Wechselrichter TRABENFELD STOPP 1200 V 100 a 1,5 V @ 15V, 100a 9 µA Ja 21.7 NF @ 25 V.
VS-EMG050J60N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-EMG050J60N - - -
RFQ
 ECAD 6340 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) Chassis -berg Emipak2 EMG050 338 w Standard Emipak2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen VSEMG050J60N Ear99 8541.29.0095 56 Halbbrücke - - - 600 V 88 a 2,1 V @ 15V, 50a 100 µA Ja 9.5 NF @ 30 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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