Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DTA123JKAT146 | 0,2700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Dta123 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | |||||
![]() | Ztx792a | 1.0600 | ![]() | 6496 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | ZTX792 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | ZTX792A-NDR | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 70 V | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 200 Ma, 2a | 300 @ 10ma, 2v | 100 MHz | |||||
DDTC144TUA-7-F | 0,0435 | ![]() | 6883 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTC144 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 MV @ 250 UA, 2,5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 47 Kohms | |||||||
![]() | SLA4031 | - - - | ![]() | 6740 | 0.00000000 | Sanken | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | 12-SIP-Exponierte RegisterKarte | SLA40 | 5W | 12-sip | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SLA4031 DK | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | 120 v | 4a | 10 µA (ICBO) | 4 NPN Darlington (Quad) | 1,5 V @ 2MA, 2a | 2000 @ 2a, 2v | - - - | ||||||
![]() | CPH3210-tl-e-sy | 0,1600 | ![]() | 218 | 0.00000000 | Sanyo | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||
![]() | DTA114EU3HZGT106 | 0,3800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Dta114 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||
![]() | IMZ2AT108 | 0,3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | IMZ2 | 300 MW | SMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN, PNP | 400mv @ 5 mA, 50 mA / 500mv @ 5 mA, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 180 MHz, 140 MHz | ||||||
![]() | RN1103, LF (CT | 0,2000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | RN1103 | 100 MW | SSM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 70 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||||
![]() | EC3H02BA-TL-H | - - - | ![]() | 2851 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | EC3H02 | 100 MW | ECSP1006-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 8.5db | 10V | 70 Ma | Npn | 120 @ 20 mA, 5V | 7GHz | 1 dB @ 1GHz | |||||||
![]() | FJPF13007H1 | - - - | ![]() | 1177 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | FJPF13007 | 40 w | To-220f-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 200 | 400 V | 8 a | - - - | Npn | 3v @ 2a, 8a | 15 @ 2a, 5v | 4MHz | |||||||
![]() | TN3019A_J05Z | - - - | ![]() | 7357 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | TN3019 | 1 w | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 80 v | 1 a | 10NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 100 MHz | |||||||
![]() | RN4987FE, LF (CT | 0,2700 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | RN4987 | 100 MW | Es6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz, 200 MHz | 10kohm | 47kohm | ||||||
![]() | 2N5550RLRA | - - - | ![]() | 9579 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | 2N5550 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 140 v | 600 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 250mv @ 5 mA, 50 mA | 60 @ 10ma, 5V | 300 MHz | ||||||
![]() | Pumh10,115 | 0,2900 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Pumh10 | 300 MW | 6-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 1 µA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 100 mv @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 10ma, 5V | - - - | 2.2ko | 47kohm | |||||
![]() | Jantxv2N3765U4 | - - - | ![]() | 1787 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/396 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 500 MW | U4 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 1,5 a | 100 µA (ICBO) | PNP | 900mv @ 100 mA, 1a | 40 @ 500 mA, 1V | - - - | ||||||||
![]() | BC847BW, 135 | 0,1700 | ![]() | 108 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | BC847XW | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC847 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
![]() | BCW30LT1G | 0,2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCW30 | 300 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 32 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 215 @ 2MA, 5V | - - - | ||||||
![]() | PBSS4420D-QX | 0,1988 | ![]() | 1424 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | PBSS4420 | 360 MW | 6-tsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1727-PBSS4420D-QXTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 20 v | 4 a | 100na | Npn | 420 MV @ 600 Ma, 6a | 300 @ 1a, 2v | 100 MHz | ||||||
![]() | RN2402, LF | 0,2200 | ![]() | 6149 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | RN2402 | 200 MW | S-mini | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 50 @ 10ma, 5v | 200 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||
![]() | 2N3724UB | 21.5859 | ![]() | 5294 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 2N3724 | To-5 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||
![]() | BCX56-10-QX | 0,1242 | ![]() | 2564 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 500 MW | SOT-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1727-BCX56-10-QXTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 180 MHz | |||||||
![]() | 2.5949 | - - - | ![]() | 8456 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Tasche | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | To-204aa, to-3 | 2.59 | 250 w | To-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-6953 | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 250 V | 17 a | 5 µA (ICBO) | Npn | 3v @ 800 mA, 8a | 80 @ 1a, 5V | 25 MHz | |||||
KSH112TF | - - - | ![]() | 4871 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | KSH11 | 1,75 w | D-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 100 v | 2 a | 20 µA | NPN - Darlington | 3v @ 40 mA, 4a | 1000 @ 2a, 3v | 25 MHz | ||||||||
![]() | MD2009DFX | - - - | ![]() | 3900 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | MD2009 | 58 w | To-3Pf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 700 V | 10 a | 200 µA | Npn | 2,8 V @ 1,4a, 5,5a | 5 @ 5.5a, 5V | - - - | ||||||
![]() | NSVMMBTH81LT1G | 0,1137 | ![]() | 4184 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 225 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-NSVMMBTH81LT1GTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - - - | 20V | 50 ma | PNP | 60 @ 5ma, 10V | 600 MHz | - - - | ||||||
![]() | TIP3055 | 1.0100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | TIP3055 | 90 w | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 60 v | 15 a | 700 ähm | Npn | 3v @ 3,3a, 10a | 20 @ 4a, 4V | - - - | ||||||
![]() | RN2904FE (T5L, F, T) | - - - | ![]() | 8069 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | RN2904 | 100 MW | Es6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 100NA (ICBO) | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 47kohm | 47kohm | |||||||
DDC122th-7 | - - - | ![]() | 2589 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | DDC122 | 150 MW | SOT-563 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | - - - | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 200 MHz | 220 Ohm | - - - | ||||||
![]() | Fmmt618-tp | 0,1105 | ![]() | 5966 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt618 | 350 MW | SOT-23 | Herunterladen | 353-FMMT618-TP | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 20 v | 2,5 a | 100NA (ICBO) | Npn | 200mv @ 50 Ma, 2,5a | 300 @ 200 Ma, 2V | 100 MHz | ||||||||
![]() | BC557TFR | - - - | ![]() | 5698 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC557 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 150 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus