SIC
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Bipolar (BJT) (35082)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
PN2222ARP Fairchild Semiconductor PN2222Arp - - -
RFQ
 ECAD 7038 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv - - - K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) PN2222 625 MW To-92-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 1 40 v 1 a 10na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V 300 MHz
MPS750 onsemi MPS750 - - -
RFQ
 ECAD 7014 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper MPS750 625 MW To-92 (to-226) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 5.000 40 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200 Ma, 2a 75 @ 1a, 2v 75 MHz
2N6542 Microchip Technology 2N6542 56.0700
RFQ
 ECAD 9853 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - K. Loch To-204aa, to-3 100 w To-204ad (to-3) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N6542 Ear99 8541.29.0095 1 300 V 5 a - - - PNP - - - - - - - - -
DXT790AP5-13 Diodes Incorporated DXT790AP5-13 0,6000
RFQ
 ECAD 73 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung PowerDi ™ 5 DXT790 3.2 w PowerDi ™ 5 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 5.000 40 v 3 a 20na PNP 450 MV @ 300 Ma, 3a 300 @ 10ma, 2v 100 MHz
FJAF6810AYDTBTU Fairchild Semiconductor FJAF6810AYDTBTU 0,5100
RFQ
 ECAD 4819 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3 Full Pack 60 w To-3Pf - - - ROHS3 -KONFORM 2156-FJAF6810ayDTBTU-FS Ear99 8541.29.0095 30 750 V 10 a 1ma Npn 3v @ 1,5a, 6a 5 @ 6a, 5V - - -
BC846DS NXP USA Inc. BC846DS 1.0000
RFQ
 ECAD 5637 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen 0000.00.0000 1
JAN2N3724 Microchip Technology Jan2N3724 - - -
RFQ
 ECAD 4140 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann To-39 (bis 205ad) - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1 30 v - - - Npn - - - - - - - - -
DTA114EE3HZGTL Rohm Semiconductor DTA114EEEE3HZGTL 0,4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm Semiconductor Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 Dta114 150 MW Emt3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 846-dta114ee3HZgtltr Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5ma, 5v 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
PUMD3-QF Nexperia USA Inc. Pumd3-qf 0,0402
RFQ
 ECAD 4024 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pumd3 200 MW 6-tssop Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 1727-Pumd3-Qftr Ear99 8541.21.0095 10.000 50V 100 ma 100na 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 100 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5ma, 5v 230 MHz, 180 MHz 10kohm 10kohm
2SD2257(CANO,A,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257 (Cano, a, q) - - -
RFQ
 ECAD 7754 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack 2SD2257 2 w To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 100 v 3 a 10 µA (ICBO) Npn 1,5 V @ 1,5 Ma, 1,5a 2000 @ 2a, 2v - - -
KSC2330YH2TA Fairchild Semiconductor KSC2330YH2TA 0,2100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) 1 w To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0075 1 300 V 100 ma 100NA (ICBO) Npn 500mv @ 1ma, 10 mA 120 @ 20 mA, 10V 50 MHz
DSS3515M-7B Diodes Incorporated DSS3515M-7b 0,0873
RFQ
 ECAD 2554 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-Ufdfn DSS3515 250 MW X1-DFN1006-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 15 v 500 mA 100NA (ICBO) PNP 250mv @ 50 mA, 500 mA 150 @ 100 mA, 2V 340 MHz
DTC143EE3HZGTL Rohm Semiconductor DTC143EEEE3HZGTL 0,4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm Semiconductor Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 DTC143 150 MW Emt3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 10ma, 5v 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
2N6294 Microchip Technology 2N6294 30.4200
RFQ
 ECAD 6100 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-213aa, to-66-2 50 w To-66 (to-213aa) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N6294 Ear99 8541.29.0095 1 60 v 4 a 500 ähm NPN - Darlington 3v @ 40 mA, 4a 750 @ 2a, 3v - - -
BC817K-25VL Nexperia USA Inc. BC817K-25VL 0,0342
RFQ
 ECAD 2327 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BC817 250 MW To-236ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) Npn 700 mv @ 50 mA, 500 mA 160 @ 100 mA, 1V 100 MHz
2N6287 Microchip Technology 2N6287 63.8001
RFQ
 ECAD 4031 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 2N6287 175 w To-204aa (to-3) Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2N6287ms Ear99 8541.29.0095 1 100 v 20 a 1ma PNP - Darlington 3v @ 200 Ma, 20a 1500 @ 1a, 3V - - -
CP647-MJ11015-WR Central Semiconductor Corp CP647-MJ11015-WR - - -
RFQ
 ECAD 8147 0.00000000 Central Semiconductor Corp - - - Tablett Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Sterben CP647 Sterben Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0040 1 120 v 30 a 1ma PNP - Darlington 4v @ 300 mA, 30a 200 @ 30a, 5V - - -
NSBC144WDXV6T1G onsemi NSBC144WDXV6T1G 0,0698
RFQ
 ECAD 3002 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 NSBC144 500 MW SOT-563 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 100 ma 500NA 2 NPN - Voresingenben (Dual) 250mv @ 5ma, 10 mA 80 @ 5ma, 10V - - - 47kohm 22kohm
KSA940H2TU Fairchild Semiconductor KSA940H2TU - - -
RFQ
 ECAD 1692 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 1,5 w To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 50 150 v 1,5 a 10 µA (ICBO) PNP 1,5 V @ 50 Ma, 500 mA 40 @ 500 mA, 10 V. 4MHz
RN2907,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2907, LF (CT 0,2700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2907 200 MW US6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 500NA 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 200 MHz 10kohm 47kohm
BC327-16,112 NXP USA Inc. BC327-16,112 - - -
RFQ
 ECAD 3249 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BC32 625 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1.000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 700 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 mA, 1V 80MHz
KSC2688OS onsemi KSC2688OS - - -
RFQ
 ECAD 6230 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-225aa, to-126-3 KSC2688 1,25 w To-126 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 250 300 V 200 ma 100 µA (ICBO) Npn 1,5 V @ 5ma, 50 mA 60 @ 10 ma, 10V 80MHz
D882-Y-TP Micro Commercial Co D882-y-tp - - -
RFQ
 ECAD 1362 0.00000000 Micro Commercial co - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 D882 1,25 w D-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 353-d882-y-tptr Ear99 8541.29.0095 2.500 30 v 3 a 10 µA Npn 500mv @ 200 Ma, 2a 160 @ 1a, 2v 90 MHz
2SA2018E3HZGTL Rohm Semiconductor 2SA2018E3HZgtl 0,4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm Semiconductor Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 2SA2018 150 MW Emt3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 12 v 500 mA 100NA (ICBO) Npn 250mv @ 10ma, 200 mA 270 @ 10ma, 2v 260 MHz
PMBT6428,215 Nexperia USA Inc. PMBT6428,215 0,1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PMBT6428 250 MW To-236ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 10NA (ICBO) Npn 600mv @ 5ma, 100 mA 250 @ 100 µA, 5V 700 MHz
NZT6729-ON onsemi NZT6729-ON - - -
RFQ
 ECAD 7801 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa 1 w SOT-223-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 4.000 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 10 mA, 250 mA 50 @ 250 mA, 1V - - -
MJB44H11T4-A STMicroelectronics MJB44H11T4-A 1.3200
RFQ
 ECAD 8796 0.00000000 Stmicroelektronik Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MJB44 50 w D²pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 80 v 10 a 10 µA Npn 1v @ 400 mA, 8a 40 @ 4a, 1V - - -
JANSR2N3439L Microchip Technology JANSR2N3439L 274.4800
RFQ
 ECAD 8072 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/368 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 800 MW To-5 - - - UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 350 V 2 µA 2 µA Npn 500mv @ 4ma, 50 mA 40 @ 20 mA, 10V - - -
2N3014 onsemi 2n3014 - - -
RFQ
 ECAD 3560 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet - - - K. Loch To-206AC, bis 52-3 Metall Kann 2n301 300 MW To-52-3 - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 250 20 v 200 ma 300na Npn 350 mv @ 10 mA, 100 mA 30 @ 30 Ma, 400mV 350 MHz
PDTD113ZS,126 NXP USA Inc. PDTD113ZS, 126 - - -
RFQ
 ECAD 3923 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Box (TB) Veraltet K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads PDTD113 500 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 50 v 500 mA 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA 70 @ 50 Ma, 5V 1 Kohms 10 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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