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Bipolar (BJT) (35082)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Gewinnen Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
CP247-MJ11016-WN Central Semiconductor Corp CP247-MJ11016-WN - - -
RFQ
 ECAD 1079 0.00000000 Central Semiconductor Corp - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Sterben CP247 200 w Sterben - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1514-CP247-MJ11016-Wn Ear99 8541.29.0095 1 120 v 30 a 1ma NPN - Darlington 4v @ 300 mA, 30a 1000 @ 20a, 5V 4MHz
TIP32B PBFREE Central Semiconductor Corp TIP32B PBFREE 0,6296
RFQ
 ECAD 1160 0.00000000 Central Semiconductor Corp - - - Schüttgut Lets Kaufen -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 TIP32 40 w To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 80 v 3 a 300 µA PNP 1,2 V @ 375 Ma, 3a 25 @ 1a, 4V 3MHz
KSB1015YTU Fairchild Semiconductor KSB1015Ytu 0,4500
RFQ
 ECAD 735 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack 25 w To-220f-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 735 60 v 3 a 100 µA (ICBO) PNP 1v @ 300 mA, 3a 100 @ 500 mA, 5V 9MHz
MPSA13_D75Z onsemi MPSA13_D75Z - - -
RFQ
 ECAD 5074 0.00000000 Onsemi - - - Band & Box (TB) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads MPSA13 625 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 30 v 1.2 a 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1,5 V @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 100 mA, 5V 125 MHz
2SD2389 Sanken 2SD2389 - - -
RFQ
 ECAD 6239 0.00000000 Sanken - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 80 w To-3p Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2SD2389 DK Ear99 8541.29.0075 500 150 v 8 a 100 µA (ICBO) NPN - Darlington 2,5 V @ 6ma, 6a 5000 @ 6a, 4V 80MHz
2N2219 PBFREE Central Semiconductor Corp 2N2219 PBFREE 2.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Central Semiconductor Corp - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 800 MW To-39 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 500 30 v 800 mA 10NA (ICBO) Npn 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V 250 MHz
UNR42170RA Panasonic Electronic Components UNR42170RA - - -
RFQ
 ECAD 1939 0.00000000 Panasonische Elektronische Komponenten - - - Klebeband (CT) Schneiden Veraltet K. Loch 3-sip UNR421 300 MW NS-B1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 5.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 250 mV @ 300 µA, 10 mA 160 @ 5ma, 10V 150 MHz 22 Kohms
FJN3309RTA Fairchild Semiconductor Fjn3309rta 0,0200
RFQ
 ECAD 156 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads Fjn330 300 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 2.000 40 v 100 ma 100NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 1ma, 10 mA 100 @ 1ma, 5V 250 MHz 4.7 Kohms
2N5685 Microchip Technology 2N5685 80.5800
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 2N5685 300 w To-204ad (to-3) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 60 v 50 a 500 ähm Npn 5v @ 10a, 50a 30 @ 5ma, 2v - - -
MJE703G onsemi MJE703G - - -
RFQ
 ECAD 9743 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-225aa, to-126-3 MJE703 40 w To-126 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 80 v 4 a 100 µA PNP - Darlington 2,8 V @ 40 Ma, 2a 750 @ 2a, 3v - - -
2SC3669-Y,T2PASF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3669-y, T2PASF (m - - -
RFQ
 ECAD 5810 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch SC-71 2SC3669 1 w MSTM Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0075 1 80 v 2 a 1 µA (ICBO) Npn 500mv @ 50 Ma, 1a 70 @ 500 mA, 2V 100 MHz
PDTD123YT,215 Nexperia USA Inc. PDTD123YT, 215 0,3300
RFQ
 ECAD 188 0.00000000 Nexperia USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PDTD123 250 MW To-236ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 500 mA 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA 70 @ 50 Ma, 5V 2.2 Kohms 10 Kohms
2SA1785E-AN onsemi 2SA1785e-an 0,2400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Onsemi * Schüttgut Aktiv Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1
HN1C03F-B(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1C03F-B (TE85L, F) 0,1485
RFQ
 ECAD 6796 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-74, SOT-457 HN1C03 300 MW Sm6 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 20V 300 ma 100NA (ICBO) 2 NPN (Dual) 100 mv @ 3ma, 30 mA 350 @ 4ma, 2v 30 MHz
BC856A-7-F Diodes Incorporated BC856A-7-F 0,2000
RFQ
 ECAD 188 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BC856 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 65 V 100 ma 15na PNP 650 mv @ 5ma, 100 mA 125 @ 2MA, 5V 200 MHz
KSA3010RTU onsemi KSA3010Rtu - - -
RFQ
 ECAD 6042 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 KSA30 60 w To-3p Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 450 120 v 6 a 10 µA (ICBO) PNP 2,5 V @ 500 mA, 5a 55 @ 1a, 5v 30 MHz
BULB903EDT4 STMicroelectronics Bulb903edt4 - - -
RFQ
 ECAD 3547 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - - - - - - - Bulb903 - - - - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 - - - Npn - - - - - - - - -
PBSS302NZ,135 Nexperia USA Inc. PBSS302NZ, 135 0,6500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa PBSS302 2 w SOT-223 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 4.000 20 v 5.8 a 100NA (ICBO) Npn 250 MV @ 290 Ma, 5,8a 250 @ 2a, 2v 140 MHz
KSC1008GTA onsemi KSC1008GTA - - -
RFQ
 ECAD 6383 0.00000000 Onsemi - - - Klebeband (CT) Schneiden Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads KSC1008 800 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 60 v 700 Ma 100NA (ICBO) Npn 400 mv @ 50 mA, 500 mA 200 @ 500 Ma, 2V 50 MHz
MMBT200A onsemi MMBT200A - - -
RFQ
 ECAD 8255 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBT20 350 MW SOT-23-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 45 V 500 mA 50na PNP 400mv @ 20 mA, 200 mA 300 @ 10 mA, 1V 250 MHz
JANSL2N3636UB/TR Microchip Technology JANSL2N3636UB/Tr - - -
RFQ
 ECAD 8915 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 1,5 w UB - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 175 v 10 µA 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 50 @ 50 Ma, 10 V - - -
2SCR293PT100 Rohm Semiconductor 2SCR293PT100 0,1856
RFQ
 ECAD 7739 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa 2SCR293 2 w Mpt3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 30 v 1 a 100NA (ICBO) Npn 350 MV @ 25ma, 500 mA 270 @ 100 mA, 2V 320 MHz
BFU550A235 NXP USA Inc. BFU550A235 - - -
RFQ
 ECAD 6904 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 10.000
BFP520FE6327 Infineon Technologies BFP520Fe6327 0,1600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Flache Leitungen 100 MW 4-tsfp Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 3.000 22.5db 3,5 v 40 ma Npn 70 @ 20 mA, 2V 45 GHz 0,95 dB bei 1,8 GHz
MMST3904HE3-TP Micro Commercial Co MMST3904HE3-TP 0,2000
RFQ
 ECAD 9311 0.00000000 Micro Commercial co Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 MMST3904 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 200 ma 50na Npn 300mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 10 Ma, 1V 250 MHz
BC846B Taiwan Semiconductor Corporation BC846B 0,0337
RFQ
 ECAD 5564 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BC846 200 MW SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 1801-BC846BTR Ear99 8541.21.0075 9.000 65 V 100 ma 100NA (ICBO) Npn 500 mV @ 5ma, 100 mA 200 @ 2MA, 5V 100 MHz
2N6192 Microchip Technology 2N6192 15.5610
RFQ
 ECAD 9403 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv 2N6192 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1
SBC847BWT1G-M02 onsemi SBC847BWT1G-M02 0,0600
RFQ
 ECAD 243 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 310 MW SC-70-3 (SOT323) - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-SBC847BWT1G-M02 Ear99 8541.21.0095 1 45 V 100 ma 15NA (ICBO) Npn 600mv @ 5ma, 100 mA 200 @ 2MA, 5V 300 MHz
JANTXV2N3960UB Microsemi Corporation Jantxv2N3960UB - - -
RFQ
 ECAD 5193 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/399 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 2N3960 400 MW UB Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 100 12 v 10 µA (ICBO) Npn 300 mV @ 3ma, 30 mA 60 @ 10 ma, 1V - - -
BC847CDLP-7 Diodes Incorporated BC847CDLP-7 0,3700
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-xfdfn exponiert Pad BC847 350 MW X2-DFN1310-6 (Typ B) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 ma 15na 2 NPN (Dual) 600mv @ 5ma, 100 mA 420 @ 2MA, 5V 100 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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