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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | DATENBLATT | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TE02462T | 0,4500 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | NZT45H8 | 0,6100 | ![]() | 215 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | 1,5 w | SOT-223-4 | Herunterladen | Ear99 | 8542.39.0001 | 491 | 60 v | 8 a | 10 µA (ICBO) | PNP | 1v @ 400 mA, 8a | 40 @ 4a, 1V | 40 MHz | ||||||||
![]() | DXTP03200BP5Q-13 | 0,2363 | ![]() | 4744 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | 740 MW | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DXTP03200BP5Q-13TR | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 200 v | 2 a | 50na (ICBO) | PNP | 275mv @ 400 mA, 2a | 100 @ 1a, 5V | 105 MHz | ||||||
![]() | JANSF2N3057A | 127.0302 | ![]() | 9453 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/391 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206ab, bis 46-3 Metall Kann | 500 MW | To-46 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JANSF2N3057A | 1 | 80 v | 1 a | 10na | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||
![]() | PBSS5140U, 115 | - - - | ![]() | 2134 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PBSS5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||
![]() | BC847W, 115 | - - - | ![]() | 3403 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BC84 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||
![]() | 2N5660U3 | 97.5900 | ![]() | 2361 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 2 w | U3 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N5660U3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 v | 2 a | 200na | Npn | 800mv @ 400 mA, 2a | 40 @ 500 mA, 5V | - - - | ||||||
![]() | BC817-16B5003 | 0,0200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC817 | 500 MW | PG-SOT23-3-11 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 170 MHz | ||||
![]() | MJ11014 | 5.0000 | ![]() | 1818 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 200 w | To-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-MJ11014 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 90 v | 30 a | 1ma | NPN - Darlington | 4v @ 300 mA, 30a | 1000 @ 20a, 5V | - - - | ||||
![]() | MPS750RLRP | - - - | ![]() | 3761 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | MPS750 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | ||||||||||||||||
![]() | MMSS8550HE3-H-TP | 0,2500 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Micro Commercial co | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMSS8050 | 625 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 353-MMSS8550HE3-H-TPTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 25 v | 1,5 a | 100na | PNP | 500mv @ 80 mA, 800 mA | 200 @ 800 mA, 1V | 100 MHz | |||
PMST3906,135 | 0,0200 | ![]() | 1006 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 14.774 | 40 v | 200 ma | 50na (ICBO) | PNP | 400mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 250 MHz | |||||||||
![]() | KSD560Rtu | - - - | ![]() | 2573 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | KSD560 | 1,5 w | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 100 v | 5 a | 1 µA (ICBO) | NPN - Darlington | 1,5 V @ 3ma, 3a | 2000 @ 3a, 2v | - - - | ||||
![]() | 2SAR567F3TR | 1.2100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-udfn exponiert pad | 1 w | Huml2020l3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-2SAR567F3TRCT | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 120 v | 2,5 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 200mv @ 80 mA, 800 mA | 120 @ 100 mA, 5V | 220 MHz | ||||
![]() | TIP36A | 3.3200 | ![]() | 495 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-218-3 | 125 w | To-218 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2368-tip36a | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 25 a | - - - | PNP | - - - | 10 @ 15a, 4V | 3MHz | ||||||
![]() | PHPT60410NYX | 0,1900 | ![]() | 118 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-100, SOT-669 | 1,3 w | LFPAK56, Power-SO8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-PHPT60410NYX-954 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.550 | 40 v | 10 a | 100na | Npn | 460mv @ 500 mA, 10a | 230 @ 500 mA, 2V | 128 MHz | |||||
![]() | 2SB1136R | 0,7800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Sanyo | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | 2 w | To-220ml | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 50 v | 12 a | 100 µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 600 mA, 6a | 100 @ 1a, 2v | 10 MHz | |||||
![]() | 2pd602aql, 215 | 0,0300 | ![]() | 2210 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | 2pd60 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||
2N1715s | 20.3850 | ![]() | 4044 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N1715s | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 750 Ma | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | ||||||||
![]() | NJVMJK44H11TWG | 1.0500 | ![]() | 3375 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-1023, 4-LFPAK | NJVMJK44 | 20 w | Lfpak4 (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 80 v | 8 a | 1 µA | Npn | 1v @ 400 mA, 8a | 60 @ 2a, 1V | 85 MHz | ||||
![]() | RN2704, lf | 0,3100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | RN2704 | 200 MW | USV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 47kohm | 47kohm | ||||
![]() | BC856BW-AU_R1_000A1 | 0,1900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC856 | 250 MW | SOT-323 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-BC856BW-Au_R1_000A1DKR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 200 MHz | |||
PMBTA92-QVL | 0,0359 | ![]() | 5051 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1727-PMBTA92-QVLTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 300 V | 100 ma | 250na (ICBO) | PNP | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 40 @ 10 ma, 10V | 50 MHz | ||||||
![]() | NSCD21LT3G | - - - | ![]() | 2732 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 488-NSCD21LT3GTR | Veraltet | 5.000 | ||||||||||||||||||
PBSS5140U, 135 | 0,0500 | ![]() | 13 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 350 MW | SOT-323 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5,793 | 40 v | 1 a | 100na | PNP | 500mv @ 100 mA, 1a | 300 @ 100 mA, 5V | 150 MHz | |||||||||
![]() | BCX19,235 | - - - | ![]() | 4304 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 620 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | ||||||||
![]() | BC807-40QA147 | - - - | ![]() | 6566 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | MJD45H11TF-ON | - - - | ![]() | 3144 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 1,75 w | To-252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 80 v | 8 a | 10 µA | PNP | 1v @ 400 mA, 8a | 40 @ 4a, 1V | 40 MHz | |||||
ADTA114YUAQ-7 | 0,0531 | ![]() | 9321 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | ADTA114 | 330 MW | SOT-323 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-atta114yuaq-7tr | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 68 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | |||||
![]() | BFN19E6327HTSA1 | - - - | ![]() | 2049 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 1 w | Pg-sot89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 300 V | 200 ma | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 40 @ 10 ma, 10V | 100 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus