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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BCR 139T E6327 | - - - | ![]() | 7580 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | BCR 139 | 250 MW | PG-SC75-3D | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 120 @ 5MA, 5V | 150 MHz | 22 Kohms | ||||
2SA1770S-AN | - - - | ![]() | 9850 | 0.00000000 | Sanyo | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | SC-71 | 2SA1770 | 1 w | 3-nmp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 160 v | 1,5 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 Ma, 5V | 120 MHz | |||||
![]() | NESG340033-T1B-A | 0,3100 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||
![]() | BC238BBU | 0,0200 | ![]() | 5464 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 500 MW | To-92-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 2156-BC238BBU-FS | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 25 v | 100 ma | 15na | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 180 @ 2MA, 5V | 250 MHz | ||||||
![]() | Bu406d | 3.0600 | ![]() | 192 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 60 w | To-220 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2368-bu406d | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 v | 7 a | 15 Ma | Npn | 1V @ 650 Ma, 5a | 15 @ 2a, 5v | 10 MHz | ||||||
DDTA114TCA-7-F | 0,0386 | ![]() | 1616 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Ddta (r1-nur-serie) ca | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA114 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 100 µA, 1 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 10 Kohms | |||||
![]() | DTC123JE3TL | 0,3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Dta143z | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC123 | 150 MW | Emt3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VORGEPANNT + DIODE | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | ||||
![]() | PDTA143XT, 215 | 0,0200 | ![]() | 547 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-PDTA143xt, 215-954 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 2SB883 | 1.2100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | JANSR2N2221AUA | 150.3406 | ![]() | 2179 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/255 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 650 MW | Ua | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansr2N2221AUA | 1 | 50 v | 800 mA | 50na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||
![]() | PBLS1504Y-QX | 0,1055 | ![]() | 6104 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PBLS1504 | 200 MW | 6-tssop | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1727-PBLS1504Y-QXTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V, 15 V | 100 mA, 500 mA | 1 µA, 100NA | 1 NPN Voreingensmen, 1 PNP | 150 mV @ 500 µA, 10 mA / 250 mV @ 50 mA, 500 mA | 60 @ 5MA, 5V / 200 @ 10ma, 2V | 280 MHz | 22kohm | 22kohm | |||
![]() | TIP116 | 0,5000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 50 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-Tip116 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 80 v | 2 a | 2ma | PNP - Darlington | 2,5 V @ 8ma, 2a | 1000 @ 1a, 4V | - - - | ||||
![]() | 2SC4270-4-TB-E | 0,0800 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||
![]() | PEMF21,115 | - - - | ![]() | 7225 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PEMF2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | |||||||||||||||||
![]() | 2N3629 | 509.6550 | ![]() | 6682 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Bolzenhalterung | To-211ma, to-211ac, to-61-4, Stud | 30 w | To-61 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N3629 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 5 a | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - | ||||||
![]() | KSD1413TU | - - - | ![]() | 9860 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | KSD1413 | 2 w | To-220f-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 40 v | 3 a | 20 µA (ICBO) | NPN - Darlington | 1,5 V @ 4ma, 2a | 2000 @ 1a, 2v | - - - | |||||
![]() | KSC3265OMTF | 0,0400 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 25 v | 800 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 400 mv @ 20 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 120 MHz | |||||||
![]() | BC857AE6327 | 0,0400 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC857 | 330 MW | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.460 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 125 @ 2MA, 5V | 250 MHz | ||||
![]() | PBHV8515QA147 | 0,1000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | |||||||||||||||||
![]() | 2N6259 | 4.9500 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | To-204aa, to-3 | To-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-2N6259 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | |||||||
![]() | PBSS4260QA147 | - - - | ![]() | 5606 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | |||||||||||||||||
![]() | BC856BMTF | - - - | ![]() | 3208 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC856 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 150 MHz | ||||
![]() | MPQ7091 | 0,6700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | BCX55-16-TP | 0,0971 | ![]() | 4207 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BCX55 | 500 MW | SOT-89 | Herunterladen | 353-BCX55-16-TP | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 130 MHz | ||||||
![]() | BC846BPNH-QX | 0,0305 | ![]() | 6827 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BC846 | 200 MW | 6-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | NPN, PNP | 300 mV @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||
![]() | PIMP31-QX | 0,4400 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | PIMP31 | 290 MW | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 500 mA | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 100 MV @ 2,5 mA, 50 mA | 70 @ 50 Ma, 5V | 140 MHz | 1kohm | 10kohm | |||
![]() | PMD11K80 | 2.0000 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | To-204aa, to-3 | To-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-PMD11K80 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 80 v | 12 a | - - - | PNP - Darlington | - - - | - - - | - - - | |||||
![]() | SS8050-C-BP | - - - | ![]() | 7176 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | SS8050 | 1 w | To-92 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 353-SS8050-C-BP | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 25 v | 1,5 a | 100na | Npn | 500mv @ 80 mA, 800 mA | 120 @ 100 mA, 1V | 190 MHz | ||||
![]() | 2SC6000 (TE16L1, NQ) | - - - | ![]() | 4731 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SC6000 | 20 w | Pw-mold | - - - | 264-2SC6000 (TE16L1NQ) TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 50 v | 7 a | 100NA (ICBO) | Npn | 180 MV @ 83 Ma, 2,5a | 250 @ 2,5a, 2V | - - - | ||||||
![]() | 2SA952-ta | 0,2400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Renesas | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-2SA952-TA-1833 | 1 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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