SIC
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Bipolar (BJT) (35082)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS Feuchtigitesempfindlich (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
JANSM2N2222AUA/TR Microchip Technology JANSM2N2222AUA/Tr 156.9608
RFQ
 ECAD 5223 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/255 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 650 MW Ua - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jansm2N222222AUA/Tr Ear99 8541.21.0095 1 50 v 800 mA 50na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
KTC3198-Y-M0 A2G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-Y-M0 A2G - - -
RFQ
 ECAD 5263 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Box (TB) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 500 MW To-92 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 1801-KTC3198-Y-M0A2GTB Veraltet 1 50 v 150 Ma 100NA (ICBO) Npn 250mv @ 10 mA, 100 mA 120 @ 150 mA, 6 V 80MHz
PDTC143EMB315 NXP USA Inc. PDTC143EMB315 0,0300
RFQ
 ECAD 119 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8541.21.0075 1
PDTC114ET-QVL Nexperia USA Inc. Pdtc114et-qvl 0,0247
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PDTC114 250 MW To-236ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 50 v 100 ma 1 µA NPN - VORGEPANNT 150 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5ma, 5v 230 MHz 10 Kohms 10 Kohms
BUX32 Harris Corporation Bux32 - - -
RFQ
 ECAD 2583 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 150 w To-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0075 3 800 V 8 a 200 µA Npn 2v @ 2a, 8a 8 @ 6a, 3v 60 MHz
MPS6521 Fairchild Semiconductor MPS6521 0,0400
RFQ
 ECAD 116 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 625 MW To-92 (to-226) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 5.000 25 v 100 ma 50na (ICBO) Npn 500mv @ 5ma, 50 mA 300 @ 2MA, 10V - - -
2N5550/D26Z Fairchild Semiconductor 2N5550/D26Z 0,0200
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 625 MW To-92-3 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 15.000 140 v 600 mA 100NA (ICBO) Npn 250mv @ 5 mA, 50 mA 60 @ 10ma, 5V 300 MHz
IGB03N120H2ATMA1616 Infineon Technologies IGB03N120H2ATMA1616 - - -
RFQ
 ECAD 8180 0.00000000 Infineon -technologien * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 1
2SC4520S-TD-E onsemi 2SC4520S-TD-E 0,2000
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Onsemi * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0075 1.000
D44D2 Harris Corporation D44D2 - - -
RFQ
 ECAD 2720 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 2.1 w To-220 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 110 40 v 6 a 10 µA NPN - Darlington 1,5 V @ 5ma, 5a 2000 @ 1a, 2v - - -
BC550 Fairchild Semiconductor BC550 0,0400
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 500 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 2.000 45 V 100 ma 15NA (ICBO) Npn 600mv @ 5ma, 100 mA 110 @ 2MA, 5V 300 MHz
KSC5030FRTU Fairchild Semiconductor KSC5030FRTU 0,9000
RFQ
 ECAD 7247 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet - - - K. Loch TO-3P-3 Full Pack 60 w To-3Pf Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 300 800 V 6 a 10 µA (ICBO) Npn 2v @ 600 mA, 3a 10 @ 600 mA, 5V - - -
RN2117(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2117 (TE85L, F) 0,3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 RN2117 100 MW SSM Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 250 ua, 5 mA 30 @ 10ma, 5v 200 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
BC856BWE6327BTSA1 Infineon Technologies BC856BWE6327BTSA1 - - -
RFQ
 ECAD 7273 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 BC856 250 MW Pg-SOT323 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 65 V 100 ma 15NA (ICBO) PNP 650 mv @ 5ma, 100 mA 220 @ 2MA, 5V 250 MHz
RN1903,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1903, LXHF (CT 0,3600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1903 200 MW US6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100 ma 500NA 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 70 @ 10ma, 5V 250 MHz 22kohm 22kohm
FJN4303RBU onsemi FJN4303RBU - - -
RFQ
 ECAD 5253 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) FJN430 300 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 1.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 56 @ 5ma, 5V 200 MHz 22 Kohms 22 Kohms
DTA114Y onsemi Dta114y 0,0200
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 Onsemi * Schüttgut Aktiv Dta114 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.21.0095 1
2SC4632LS-RA11 Sanyo 2SC4632LS-RA11 - - -
RFQ
 ECAD 6056 0.00000000 Sanyo * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 1
2SD1835-BP Micro Commercial Co 2SD1835-BP - - -
RFQ
 ECAD 7382 0.00000000 Micro Commercial co - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 2SD1835 750 MW To-92 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 353-2SD1835-BP Ear99 8541.21.0075 1.000 50 v 2 a 100NA (ICBO) Npn 400mv @ 50 mA, 1a 100 @ 100 mA, 2V 150 MHz
BD680ASTU Fairchild Semiconductor BD680ASTU 0,3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-225aa, to-126-3 14 w To-126-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 1 80 v 4 a 500 ähm PNP - Darlington 2,8 V @ 40 Ma, 2a 750 @ 2a, 3v - - -
D45D3 Harris Corporation D45D3 - - -
RFQ
 ECAD 9669 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 2.1 w To-220 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 124 60 v 6 a 10 µA PNP - Darlington 1,5 V @ 3ma, 3a 2000 @ 1a, 2v - - -
PBHV8110DA-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PBHV8110DA-AU_R1_000A1 0,3200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PBHV8110 1,25 w SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 3.000 100 v 1 a 500NA (ICBO) Npn 450 mv @ 100 mA, 1a 140 @ 150 mA, 2V 100 MHz
BC807K-16,215 Nexperia USA Inc. BC807K-16,215 - - -
RFQ
 ECAD 7856 0.00000000 Nexperia USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen 0000.00.0000 1
BCP55-16-AQ Diotec Semiconductor BCP55-16-AQ 0,1499
RFQ
 ECAD 4116 0.00000000 DITEC -halbleiter - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 2 w SOT-223 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 2796-BCP55-16-Aqtr 8541.29.0000 4.000 60 v 1 a Npn 500 V @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 2V 100 MHz
NTE32 NTE Electronics, Inc NTE32 2.2400
RFQ
 ECAD 2257 0.00000000 NTE Electronics, Inc - - - Tasche Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 900 MW To-92l Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar 2368-NTE32 Ear99 8541.21.0095 1 160 v 1 a 1 µA (ICBO) PNP 1,5 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 200 Ma, 5V 15 MHz
FZ1800R16KF4S1NOSA1 Infineon Technologies FZ1800R16KF4S1NOSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 4921 0.00000000 Infineon -technologien * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 1
KST5087MTF Fairchild Semiconductor KST5087MTF - - -
RFQ
 ECAD 9487 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet - - - Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-KST5087MTF-600039 1 50 v 50 ma 50na (ICBO) PNP 300 mV @ 1ma, 10 mA 250 @ 10ma, 5V 40 MHz
MJ15004 Solid State Inc. MJ15004 2.9500
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Solid State Inc. - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 250 w To-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 2383-MJ15004 Ear99 8541.10.0080 10 140 v 20 a 100 µA PNP 1v @ 500 mA, 5a 25 @ 5a, 2v 2MHz
BCX71GE6327 Infineon Technologies BCX71GE6327 0,0400
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 330 MW Pg-SOT23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 7.454 45 V 100 ma 20na (ICBO) PNP 550 MV @ 1,25 mA, 50 mA 120 @ 2MA, 5V 250 MHz
MMBTA94-TP Micro Commercial Co MMBTA94-TP 0,1568
RFQ
 ECAD 2240 0.00000000 Micro Commercial co - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBTA94 350 MW SOT-23 Herunterladen 353-MMBTA94-TP Ear99 8541.21.0095 1 400 V 100 ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 5ma, 50 mA 80 @ 10ma, 5V 50 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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