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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
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DDTC114YCAQ-7-F | 0,0524 | ![]() | 3474 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Ddtc (r1 ≠ r2 -serie) ca. | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC114 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DDTC114YCAQ-7-FTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | |||||||
![]() | KTC3198-BL-M0 A2G | - - - | ![]() | 7823 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 500 MW | To-92 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 1801-KTC3198-BL-M0A2GTB | Veraltet | 1 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 3000 @ 150 mA, 6V | 80MHz | |||||||||
![]() | Jankcaf2N3810 | - - - | ![]() | 5691 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500 /336 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2N3810 | 350 MW | To-78-6 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankcaf2N3810 | 100 | 60 v | 50 ma | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 250 mV @ 100 µA, 1 mA | 150 @ 1ma, 5V | - - - | |||||||||
2N6609 PBFREE | 10.5900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Rohr | Lets Kaufen | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 150 w | To-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | 140 v | 16 a | 10 ma | PNP | 1,4 V @ 800 Ma, 8a | 15 @ 8a, 4V | - - - | ||||||||
![]() | JANS2N3764 | - - - | ![]() | 7866 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/396 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206ab, bis 46-3 Metall Kann | 500 MW | To-46 (to-206ab) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 v | 1,5 a | 10 µA (ICBO) | PNP | 900mv @ 100 mA, 1a | 30 @ 1a, 1,5 V. | - - - | ||||||||
![]() | PN2222ta | 0,4500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PN2222 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 30 v | 600 mA | 10NA (ICBO) | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10mV | 300 MHz | ||||||
![]() | PMD13K80 | 2.6000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | To-204aa, to-3 | To-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-PMD13K80 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 80 v | 8 a | - - - | PNP - Darlington | - - - | - - - | - - - | |||||||
![]() | BC817-16WHE3-TP | 0,2400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Micro Commercial co | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC817 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 500 mA, 1V | 100 MHz | |||||||
![]() | SMBT 3904U E6327 | - - - | ![]() | 1353 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | SMBT 3904 | 330 MW | PG-SC74-6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40V | 200 ma | 50na (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | |||||||
![]() | KSA709GTA | - - - | ![]() | 3660 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 800 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 150 v | 700 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 400mv @ 20 mA, 200 mA | 200 @ 50 Ma, 2V | 50 MHz | |||||||||
![]() | PHPT60610PYX | - - - | ![]() | 8194 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-100, SOT-669 | 1,5 w | LFPAK56, Power-SO8 | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 60 v | 10 a | 100na | PNP | 470mv @ 1a, 10a | 120 @ 500 mA, 2V | 85 MHz | ||||||||||
JantX2N1613 | - - - | ![]() | 3710 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/181 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 800 MW | To-39 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 30 v | 500 mA | 10 µA (ICBO) | Npn | 1,5 V @ 15ma, 150 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||
![]() | Mmdtc124ee-aq | 0,0404 | ![]() | 5145 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | MMDTC124 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 8541.21.0000 | 3.000 | 50 v | 30 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | - - - | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||||
DT955-7 | 0,4200 | ![]() | 900 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | DT955 | SOT-223-3 | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||
![]() | Jan2N2432AUB | 217.8806 | ![]() | 2021 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | UB | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 30 v | 100 ma | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | |||||||||
![]() | MNS2N3501 | 6.3840 | ![]() | 1300 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150 MnS2N3501 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | FJP52000TU | 1.0000 | ![]() | 5408 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | BC848BL3-TP | 0,0438 | ![]() | 6967 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | BC848 | 150 MW | DFN1006-3 | Herunterladen | 353-BC848BL3-TP | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 30 v | 100 ma | 1ma | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||
![]() | BFR750L3RHE6327 | 0,3200 | ![]() | 37 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | 360 MW | PG-TSLP-3 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 944 | 21db | 4,7 v | 90 Ma | Npn | 160 @ 60 mA, 3V | 37 GHz | 0,6 db ~ 1,1 db bei 1,8 GHz ~ 6 GHz | |||||||
![]() | MPS2222Arlrpg | - - - | ![]() | 6202 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | MPS222 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 40 v | 600 mA | 10NA (ICBO) | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 300 MHz | |||||||
![]() | BC857AHE3-TP | 0,2400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Micro Commercial co | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC857 | 310 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 353-BC857AHE3-TPTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15na | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 125 @ 2MA, 5V | 200 MHz | |||||
![]() | MPS5179 | - - - | ![]() | 9849 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 200 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 774 | - - - | 12V | 50 ma | Npn | 25 @ 3ma, 1V | 2GHz | - - - | |||||||||
![]() | D45C12 | - - - | ![]() | 7952 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | D45C | 30 w | To-220 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | 80 v | 4 a | 100na | PNP | 500mv @ 50 Ma, 1a | 40 @ 200 Ma, 1V | 40 MHz | ||||||
![]() | DTA113ZU3T106 | 0,2000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Dta113 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | - - - | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 1 Kohms | 10 Kohms | |||||
![]() | Jantxv2N3635UB | - - - | ![]() | 3206 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/357 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1,5 w | 3-smd | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 1 a | 10 µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 10 V | - - - | |||||||
![]() | BC856SH-QX | 0,0305 | ![]() | 3372 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BC856 | 270 MW | 6-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 1727-BC856sh-QX | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 300 mV @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||
![]() | PHPT61002PYCLH, 115 | - - - | ![]() | 1285 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | PHPT610030NK, 115 | 1.0000 | ![]() | 4313 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | MMBTA42W_R1_00001 | 0,2100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MMBTA42 | 150 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-MMBTA42W_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 300 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 40 @ 30 ma, 10V | 50 MHz | |||||
![]() | PBSS5160T, 215 | 0,0600 | ![]() | 9141 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PBSS5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
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