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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Jan2N6287 | 57.6289 | ![]() | 3303 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/505 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 2N6287 | 175 w | To-204aa (to-3) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 20 a | 1ma | PNP - Darlington | 3v @ 200 Ma, 20a | 1250 @ 10a, 3V | - - - | ||||||
![]() | 2SD2097TV2R | - - - | ![]() | 8936 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | 3-sip | 2SD2097 | 1 w | ATV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 20 v | 5 a | 500NA (ICBO) | Npn | 1v @ 100 mA, 4a | 180 @ 500 mA, 2V | 150 MHz | ||||||
DDTA143EUA-7 | 0,1000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTA143 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||||
![]() | 1014-6a | - - - | ![]() | 1686 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | 200 ° C (TJ) | Chassis -berg | 55LV | 19W | 55LV | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 7db ~ 7,5 dB | 50V | 1a | Npn | - - - | 1 GHz ~ 1,4 GHz | - - - | ||||||||
MJE2955T | 1.1400 | ![]() | 2172 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MJE2955 | 75 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 v | 10 a | 700 ähm | PNP | 8v @ 3,3a, 10a | 20 @ 4a, 4V | 2MHz | |||||||
![]() | RN2303 (TE85L, F) | 0,2700 | ![]() | 367 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | RN2303 | 100 MW | SC-70 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 70 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||||
Jantxv2N2904 | 13.3532 | ![]() | 1416 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/290 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2n2904 | 800 MW | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 v | 600 mA | 1 µA | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||
![]() | 2SA1037-Q | 0,0160 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 200 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-2SA1037-QTR | Ear99 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 5 mA | 120 @ 1ma, 6v | 120 MHz | ||||||||
![]() | BCX5216E6433HTMA1 | - - - | ![]() | 2006 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BCX52 | 2 w | Pg-sot89 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 125 MHz | |||||||
![]() | 2SC5706-PE | - - - | ![]() | 7072 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tasche | Veraltet | - - - | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | 2SC5706 | 800 MW | Tp | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 500 | 100 v | 5 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 240mv @ 100 mA, 2a | 200 @ 500 Ma, 2V | 400 MHz | ||||||
![]() | BC557B, 116 | - - - | ![]() | 9390 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC55 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
![]() | XP0121000L | 0,1500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | XP0121 | 150 MW | Smini5-G1 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 160 @ 5ma, 10V | 150 MHz | 47kohm | - - - | ||||||
![]() | PDTC143XS, 126 | - - - | ![]() | 3635 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PDTC143 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 100 mV @ 500 µA, 10 mA | 50 @ 10ma, 5v | 4.7 Kohms | 10 Kohms | ||||||
![]() | BD442stu | - - - | ![]() | 2148 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | BD442 | 36 w | To-126-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.920 | 80 v | 4 a | 100 µA | PNP | 800mv @ 200 Ma, 2a | 40 @ 500 mA, 1V | 3MHz | ||||||
![]() | 2SB1205T-e | 0,8500 | ![]() | 945 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | 2SB1205 | 1 w | Tp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 20 v | 5 a | 500NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 60 mA, 3a | 200 @ 500 Ma, 2V | 320 MHz | ||||||
2SA1707S-an | - - - | ![]() | 5696 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | SC-71 | 2SA1707 | 1 w | 3-nmp | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 50 v | 3 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 700mv @ 100 mA, 2a | 140 @ 100 mA, 2V | 150 MHz | ||||||||
![]() | BA12004BF-E2 | - - - | ![]() | 3056 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) | BA12004 | 620 MW | 16-so-sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 60 v | 500 mA | - - - | 7 NPN Darlington | 1,6 V @ 500 µA, 350 mA | 1000 @ 350 mA, 2V | - - - | ||||||
![]() | TIPL770-S | - - - | ![]() | 2325 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 50 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 15.000 | 400 V | 2,5 a | 5 ähm | Npn | 2,5 V @ 500 Ma, 2,5a | 20 @ 500 mA, 5V | 12 MHz | ||||||||
![]() | BC846alt3g | 0,1400 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC846 | 300 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
![]() | 2N5401 | 0,1200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2368-2N5401 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 150 v | 600 mA | 50na (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 60 @ 10ma, 5V | 300 MHz | ||||||||
![]() | CMPT4403 TR PBFREE | 1.0500 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | CMPT4403 | 350 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 600 mA | - - - | PNP | 750 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 200 MHz | ||||||
![]() | DME50C010R | - - - | ![]() | 6771 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd (5 Leitungen), Flache Blei | DME50 | 150 MW | Smini5-F3-B | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 100 µA | NPN, PNP Kopplementär Darlington | 300mv @ 10 mA, 100 mA / 500mv @ 10 mA, 100 mA | 210 @ 2MA, 10V | 150 MHz | |||||||
![]() | MJD2955-1g | - - - | ![]() | 2461 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | MJD29 | 1,75 w | I-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | 60 v | 10 a | 50 µA | PNP | 8v @ 3,3a, 10a | 20 @ 4a, 4V | 2MHz | |||||||
![]() | KST56MTF | - - - | ![]() | 8099 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | KST56 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 80 v | 500 mA | 100na | PNP | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 50 @ 100 mA, 1V | 50 MHz | |||||||
![]() | PN5179_D26Z | - - - | ![]() | 8180 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PN517 | 350 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 15 dB | 12V | 50 ma | Npn | 25 @ 3ma, 1V | 2GHz | 5db @ 200MHz | |||||||
![]() | PN4209 | - - - | ![]() | 4398 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 1514-PN4209 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 15 v | 200 ma | 10na | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 10ma, 300mV | 850 MHz | ||||||||
![]() | RN4983FE, LF (CT | 0,2700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | RN4983 | 100 MW | Es6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 100NA (ICBO) | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 70 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 22kohm | 22kohm | ||||||
![]() | 44086H | - - - | ![]() | 1068 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Nicht Anwendbar | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
KSH112GTM | - - - | ![]() | 1445 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | KSH11 | 1,75 w | D-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 100 v | 2 a | 20 µA | NPN - Darlington | 3v @ 40 mA, 4a | 1000 @ 2a, 3v | 25 MHz | ||||||||
![]() | NJVMJD45H11T4G-VF01 | - - - | ![]() | 3646 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NJVMJD45 | 1,75 w | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 80 v | 8 a | 1 µA | PNP | 1v @ 400 mA, 8a | 40 @ 4a, 1V | 90 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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