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Bipolar (BJT) (35082)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | UNR511800L | - - - |  | 1269 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | UNR511 | 150 MW | Smini3-G1 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 20 @ 5ma, 10V | 80 MHz | 510 Ohm | 5.1 Kohms | ||||
 | DTC123Jetl | 0,3500 | | 14 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC123 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | |||
 | PBSS5240T | 0,0480 | | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-PBSS5240TTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||
 | MMBT4124 | - - - | | 7141 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBT4124 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 25 v | 200 ma | 50na (ICBO) | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 2MA, 1V | 300 MHz | ||||
 | 2N3904TF | 0,3700 | | 22 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N3904 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 40 v | 200 ma | - - - | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | ||||
 | MPS6717 | - - - | | 6703 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | MPS671 | 1 w | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MPS6717OS | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 80 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 10 mA, 250 mA | 50 @ 250 mA, 1V | - - - | |||
 | FZT968ta | 0,9900 | | 93 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT968 | 3 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 12 v | 6 a | 10NA (ICBO) | PNP | 450 MV @ 250 mA, 6a | 300 @ 500 mA, 1V | 80MHz | ||||
 | BC857S | - - - | | 8346 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BC857 | 300 MW | SC-88 (SC-70-6) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 200 ma | 15NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 125 @ 2MA, 5V | 200 MHz | |||||
 | BD138G | 0,9000 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | BD138 | 1,25 w | To-126 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 60 v | 1,5 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150 mA, 2V | - - - | ||||
| FZT605ta | 0,6800 | | 7 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT605 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 120 v | 1,5 a | 10 µA | NPN - Darlington | 1,5 V @ 1ma, 1a | 2000 @ 1a, 5V | 150 MHz | ||||
 | PDTC143EM, 315 | 0,2100 | | 10 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | PDTC143 | 250 MW | SOT-883 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||
 | RN2103 (T5L, F, T) | 0,2800 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | RN2103 | 100 MW | SSM | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 70 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||
 | BC847BPNHX | - - - | | 5022 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BC847 | 270 MW | 6-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 1727-BC847BPNHX | Veraltet | 1 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | NPN, PNP | 300 mV @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||
 | KSD1588Ytu | 1.5100 | | 932 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | KSD1588 | 2 w | To-220f-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 v | 7 a | 10 µA (ICBO) | Npn | 500mv @ 500 mA, 5a | 100 @ 3a, 1V | - - - | ||||
| BC547B A1 | - - - | | 1117 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 500 MW | To-92 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC547BA1TB | Veraltet | 1 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | - - - | 200 @ 2MA, 5V | - - - | |||||||
 | PHPT60606PYX | 0,6700 | | 2501 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-100, SOT-669 | PHPT60606 | 1,35 w | LFPAK56, Power-SO8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.500 | 60 v | 6 a | 100na | PNP | 525mv @ 600 mA, 6a | 120 @ 500 mA, 2V | 110 MHz | ||||
 | MMBTA92,215 | 0,2900 | | 47 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBTA92 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 300 V | 100 ma | 250na (ICBO) | PNP | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 25 @ 30 Ma, 10V | 50 MHz | ||||
 | RN1966FE (TE85L, F) | 0,3800 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | RN1966 | 100 MW | Es6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 100NA (ICBO) | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7kohm | 47kohm | |||||
| PDTA144EM, 315 | 0,3000 | | 10 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | PDTA144 | 250 MW | SOT-883 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 5V | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||
 | 2n2060 | 34.8327 | | 8653 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2n206 | 600 MW | To-78-6 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 2n2060ms | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 500 mA | 10 µA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 300mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 10ma, 5v | - - - | |||||
 | PBSS5330XZ | 0,3500 | | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | PBSS5330 | 550 MW | SOT-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 30 v | 3 a | 100NA (ICBO) | PNP | 240mv @ 100 mA, 2a | 175 @ 1a, 2v | 100 MHz | ||||
 | BCR48PNH6327XTSA1 | 0,0975 | | 2435 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BCR48 | 250 MW | Pg-sot363-po | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 70 mA, 100 mA | - - - | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 100 MHz, 200 MHz | 47kohms, 2.2kohms | 47kohm | |||
 | ULN2803ANG4 | - - - | | 5230 | 0.00000000 | Texas Instrumente | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm) | ULN2803 | - - - | 18-Pdip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | 50V | 500 mA | - - - | 8 NPN Darlington | 1,6 V @ 500 µA, 350 mA | - - - | - - - | ||||
 | BD233-BP | - - - | | 1828 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | BD233 | 1,25 w | To-126 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 45 V | 2 a | 100 µA (ICBO) | Npn | 600mv @ 100 mA, 1a | 40 @ 150 mA, 2V | 3MHz | |||||
 | PN4888 | - - - | | 7056 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | PN488 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 150 v | 100 ma | - - - | PNP | 500mv @ 1ma, 10 mA | 40 @ 10 ma, 10V | - - - | ||||
| Jantxv2N7373 | - - - | | 9155 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/613 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-254-3, to-254aa (Gerade Leads) | 4 w | To-254aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 5 a | 50 µA | Npn | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 70 @ 2,5a, 5V | - - - | |||||
 | SMBT35200MT1G | 0,2358 | | 7509 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SMBT35200 | 625 MW | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 35 V | 2 a | 100na | PNP | 310mv @ 20 mA, 2a | 100 @ 1,5a, 1,5 V. | 100 MHz | ||||
 | BCM856BS/ZLH | - - - | | 6092 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BCM856 | 6-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | |||||||||||||
 | RN1673 (TE85L, F) | - - - | | 6017 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN1673 | 300 MW | US6 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 100NA (ICBO) | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 120 @ 1ma, 5V | - - - | 47kohm | - - - | |||||
| PN2907AG | - - - | | 6342 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | PN290 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 60 v | 600 mA | 10NA (ICBO) | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 200 MHz |
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