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Bipolar (BJT) (35082)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BCW32LT1 | 0,0200 |  | 423 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | BCW32 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||
 | PDTA113ZS, 126 | - - - | | 3139 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PDTA113 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 35 @ 5ma, 5V | 1 Kohms | 10 Kohms | ||||
 | 2N2405 | 19.1919 | | 5309 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N2405 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||
 | UNR411800A | - - - | | 8244 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | K. Loch | 3-sip | UNR411 | 300 MW | NS-B1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 20 @ 5ma, 10V | 80 MHz | 510 Ohm | 5.1 Kohms | |||||
 | BST51,115 | 0,6300 | | 45 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BST51 | 1,3 w | SOT-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 v | 1 a | 50na | NPN - Darlington | 1,3 V @ 500 µA, 500 mA | 2000 @ 500 mA, 10V | 200 MHz | ||||
 | SMSD1001T3 | 0,0200 | | 300 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8542.39.0001 | 10.000 | |||||||||||||||||
 | MJD45H11-001 | - - - | | 5457 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | MJD45 | 1,75 w | I-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 75 | 80 v | 8 a | 1 µA | PNP | 1v @ 400 mA, 8a | 40 @ 4a, 1V | 90 MHz | ||||
 | DMC9610M0R | - - - | | 7206 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SOT-665 | DMC9610m | 125 MW | SSMINI5-F4-B | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 250 mV @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | - - - | 2.2ko | 47kohm | ||||
 | BCW31,215 | 0,2700 | | 92 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCW31 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 32 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 210mv @ 2,5 mA, 50 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||
 | BCX5616ta | 0,4000 | | 25 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BCX5616 | 1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 150 MHz | ||||
 | 2SA204600L | - - - | | 3148 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2SA2046 | 400 MW | Mini3-G1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 20 v | 1,5 a | - - - | PNP | 150 mV @ 25ma, 500 mA | 160 @ 100 mA, 2V | 170 MHz | ||||||
| TIP36B | - - - | | 7131 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-218-3 | 125 w | To-218 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 80 v | 25 a | - - - | PNP | - - - | 10 @ 15a, 4V | 3MHz | |||||
 | MPSA06RL | - - - | | 3155 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | MPSA06 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 80 v | 500 mA | 100na | Npn | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | ||||
| 2n2919l | 35.7371 | | 9077 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | 200 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2n2919 | 350 MW | To-78-6 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 30 ma | 10 µA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 300 mV @ 100 µA, 1 mA | 150 @ 1ma, 5V | - - - | ||||
 | 2SD2150-S-TP | - - - | | 9799 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SD2150 | 500 MW | SOT-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 20 v | 3 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 100 mA, 2a | 270 @ 100 mA, 2V | 290 MHz | |||||
| MPSA65_D75Z | - - - | | 7018 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | MPSA65 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 30 v | 1.2 a | 100NA (ICBO) | PNP - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 20000 @ 100ma, 5V | 100 MHz | |||||
 | Umg4ntr | 0,4700 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | Umg4 | 150 MW | Umt5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | - - - | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 10kohm | - - - | |||
 | Fmmt591aqtc | 0,1234 | | 7442 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 500 MW | SOT-23-3 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 31-FMMT591AQTCTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 40 v | 1 a | 100na | PNP | 500mv @ 100 mA, 1a | 300 @ 100 mA, 5V | 150 MHz | ||||||
 | JantX2N5237S | 21.7588 | | 1697 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/394 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N5237 | 1 w | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 120 v | 10 a | 10 µA | Npn | 2,5 V @ 1a, 10a | 40 @ 5a, 5V | - - - | ||||
| Jan2N3421s | 16.5053 | | 7535 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/393 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N3421 | 1 w | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 3 a | 5 ähm | Npn | 500mv @ 200 Ma, 2a | 40 @ 1a, 2v | - - - | ||||
| ZTX603STZ | 0,3682 | | 4367 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX603 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 80 v | 1 a | 10 µA | NPN - Darlington | 1v @ 1ma, 1a | 2000 @ 1a, 5V | 150 MHz | ||||
 | NTE171 | 1.6600 | | 48 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-202 Long Tab | 1,67 w | To-202 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2368-NTE171 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 100 ma | 10 µA (ICBO) | Npn | - - - | 30 @ 20 Ma, 10V | 50 MHz | ||||||
| DDTC124TCA-7-F | 0,0386 | | 3718 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC124 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | ||||
| JankCap2N3637 | - - - | | 3492 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/357 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JankCap2N3637 | 100 | 175 v | 1 a | 10 µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 10 V | - - - | ||||||||
 | 2SA1706S-an | - - - | | 5136 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | SC-71 | 2SA1706 | 1 w | 3-nmp | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 50 v | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 700 mv @ 50 Ma, 1a | 100 @ 100 mA, 2V | 150 MHz | |||||
 | DMA5610M0R | - - - | | 5594 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | 6-smd (5 Leitungen), Flache Blei | DMA5610 | 150 MW | Smini5-F3-B | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 250 mV @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | - - - | 2.2ko | 47kohm | ||||
 | Mmdt3904v-tp | 0,4400 | | 5 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | Mmdt3904 | 200 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40V | 200 ma | - - - | 2 NPN (Dual) | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | ||||
 | PMP4501G, 115 | - - - | | 3653 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | PMP4501 | 300 MW | 5-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 250 MHz | ||||
 | 2SC39380RL | - - - | | 5663 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 2SC3938 | 150 MW | Smini3-G1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 90 @ 10 Ma, 1V | 450 MHz | ||||||
| 2SC1623-L6 | 0,0130 | | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 200 MW | SOT-23 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-2SC1623-L6TR | Ear99 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 200 @ 1ma, 6v | 250 MHz |
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