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Bipolar (BJT) (35082)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC857C_R1_00001 | 0,1900 |  | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | BC856 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC857 | 330 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-BC857C_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 200 MHz | |||
 | BD243CTU | - - - | | 2086 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BD243 | 65 w | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 6 a | 700 ähm | Npn | 1,5 V @ 1a, 6a | 15 @ 3a, 4V | - - - | |||||
 | BU406G | 1.6200 | | 2339 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BU406 | 60 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 200 v | 7 a | 5ma | Npn | 1v @ 500 mA, 5a | - - - | 10 MHz | ||||
 | BC556B_J35Z | - - - | | 6561 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC556 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 150 MHz | |||||
 | BC846BW/DG/B4X | - - - | | 2392 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | BC846XW | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC846 | 250 MW | SC-70 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069117115 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||
 | NSBC114EF3T5G | 0,3700 | | 53 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-1123 | NSBC114 | 254 MW | SOT-1123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 35 @ 5ma, 10 V. | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||
 | 2SD1626-TD-e | 0,5400 | | 8 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 500 MW | PCP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 50 v | 1,5 a | 100NA (ICBO) | Npn | 1,5 V @ 500 µA, 500 mA | 4000 @ 500 mA, 2V | 120 MHz | |||||
 | ZXT10N20DE6TA | 0,5600 | | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | ZXT10N20 | 1,1 w | SOT-23-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 20 v | 3.5 a | 100na | Npn | 250 MV @ 100 Ma, 3,5a | 200 @ 2a, 2v | 140 MHz | ||||
 | MMBT2222A-13p | 0,0291 | | 7937 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBT2222 | 350 MW | SOT-23 | Herunterladen | 353-MMBT2222A-13p | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 40 v | 600 mA | 10na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 300 MHz | ||||||
 | JANS2N3868 | 148.2902 | | 4413 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/350 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 1 w | To-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 3 ma | 100 µA (ICBO) | PNP | 1,5 V @ 250 mA, 2,5a | 30 @ 1,5a, 2v | - - - | ||||||
| KSA733CGTA | - - - | | 3252 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | KSA733 | 250 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 200 @ 1ma, 6v | 180 MHz | |||||
 | 2SA1038stps | - - - | | 5220 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | SC-72 Foreded Leads | 300 MW | Spt | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 120 v | 50 ma | 500NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 1ma, 10 mA | 180 @ 2ma, 6v | 140 MHz | |||||
| 2N6246 | 65.3100 | | 1986 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | To-204aa, to-3 | 125 w | To-204ad (to-3) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N6246 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 5 a | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - | ||||||
 | MJE13002B-AP | - - - | | 7894 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | MJE13002 | 900 MW | To-92 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 400 V | 800 mA | 100 µA (ICBO) | Npn | 500mv @ 40 mA, 200 mA | 9 @ 200 Ma, 10V | 5MHz | |||||
 | JantX2N3725 | - - - | | 4069 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | To-39 (bis 205ad) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | 50 v | 500 mA | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | ||||||||
 | MPQ6700 | 0,7300 | | 52 | 0.00000000 | Motorola | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 14 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | MPQ67 | 500 MW | To-116 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 40V | 200 ma | 50na (ICBO) | 2 NPN, 2 PNP | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 70 @ 10 mA, 1V | 200 MHz | ||||
 | RN2910 (T5L, F, T) | - - - | | 8410 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN2910 | 200 MW | US6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 100NA (ICBO) | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 120 @ 1ma, 5V | 200 MHz | 4.7kohm | - - - | |||||
| PDTC124XE/DG/B2115 | 0,0500 | | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 6.662 | |||||||||||||||||
 | Bu806 | - - - | | 8542 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Bu806 | 60 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 200 v | 8 a | 100 µA | NPN - Darlington | 1,5 V @ 50 Ma, 5a | - - - | - - - | ||||
 | NSBC113EDXV6T5 | - - - | | 6159 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | NSBC113 | 500 MW | SOT-563 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | NSBC113EDXV6T5OS | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 250mv @ 5ma, 10 mA | 3 @ 5ma, 10V | - - - | 1kohm | 1kohm | ||
 | 2SD22490RA | - - - | | 2844 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | 3-sip | 2SD2249 | 1 w | MT-2-A1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 20 v | 5 a | 100NA (ICBO) | Npn | 1v @ 100 mA, 3a | 230 @ 500 mA, 2V | 150 MHz | ||||||
 | DMA561080R | - - - | | 8201 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | 5-smd, Flache Leitungen | DMA56108 | 150 MW | Smini5-F3-B | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 250 mV @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 5ma, 10V | - - - | 510ohm | 5.1kohm | ||||
 | RN2102, LXHF (CT | 0,3300 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | RN2102 | 100 MW | SSM | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 50 @ 10ma, 5v | 200 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||
 | 2SA1680, T6astif (j | - - - | | 3865 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | 2SA1680 | 900 MW | To-92mod | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 2 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 Ma, 1a | 120 @ 100 mA, 2V | 100 MHz | ||||||
| 2N5291 | 519.0900 | | 5481 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | To-211ma, to-211ac, to-61-4, Stud | 116 w | To-61 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N5291 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 10 a | - - - | PNP | 1,5 V @ 1ma, 5 mA | - - - | - - - | ||||||
 | MMST2907A-7-F | 0,2800 | | 21 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MMST2907 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 600 mA | 10NA (ICBO) | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 200 MHz | ||||
 | Bub323Zt4 | - - - | | 8218 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Bub323 | 150 w | D²pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Bub323Zt4OS | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | 350 V | 10 a | 100 µA | NPN - Darlington | 1,7 V @ 250 mA, 10a | 500 @ 5a, 4,6 V. | 2MHz | |||
 | 2pb709arl, 235 | 0,1800 | | 10 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2pb709 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 45 V | 100 ma | 10NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 10 mA, 100 mA | 210 @ 2MA, 10V | 70 MHz | ||||
| Ddtd114gu-7-f | - - - | | 3379 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTD114 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 56 @ 5ma, 5V | 200 MHz | 10 Kohms | ||||
 | Smun2233t1 | 0,0200 | | 201 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Smun2233 | - - - | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 |
2000+
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