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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JantX2N6287 | 60.3700 | ![]() | 80 | 0.00000000 | Macom Technology Solutions | Militär, MIL-PRF-19500/505 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 175 w | To-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 20 a | 1ma | PNP - Darlington | 3v @ 200 Ma, 20a | 1000 @ 6a, 3v | - - - | |||||||
2SC5930 (TPF2, F, M) | - - - | ![]() | 9534 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | SC-71 | 2SC5930 | 1 w | MSTM | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 600 V | 1 a | 100 µA (ICBO) | Npn | 1v @ 75 mA, 600 mA | 40 @ 200 Ma, 5V | - - - | |||||||
![]() | Dta143zet1g | 0,1700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta143 | 200 MW | SC-75, SOT-416 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 4.7 Kohms | 47 Kohms | ||||
![]() | 2SC4691J0L | - - - | ![]() | 7393 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | 2SC4691 | 125 MW | Ssmini3-f1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 60 @ 10 ma, 1V | 450 MHz | ||||||
![]() | MPS6717G | - - - | ![]() | 6536 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | MPS671 | 1 w | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MPS6717GOS | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 80 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 10 mA, 250 mA | 50 @ 250 mA, 1V | - - - | ||||
![]() | DTC123JUAT106 | 0,2600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DTC123 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | |||
![]() | 2SB1275TLP | 1.0500 | ![]() | 653 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SB1275 | 10 w | CPT3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 160 v | 1,5 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 2v @ 100 mA, 1a | 82 @ 100 mA, 5V | 50 MHz | ||||
BD678G | - - - | ![]() | 6268 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | BD678 | 40 w | To-126 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 60 v | 4 a | 500 ähm | PNP - Darlington | 2,5 V @ 30 Ma, 1,5a | 750 @ 1,5a, 3V | - - - | |||||
![]() | KSD1943TU | - - - | ![]() | 7465 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | KSD1943 | 40 w | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 60 v | 3 a | 100 µA (ICBO) | Npn | 1v @ 50 Ma, 2a | 400 @ 500 mA, 4V | - - - | |||||
![]() | MPS2111 | - - - | ![]() | 7622 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | FJD5555TM | 0,9000 | ![]() | 9264 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | FJD5555 | 1,34 w | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400 V | 5 a | - - - | Npn | 1,5 V @ 1a, 3,5a | 20 @ 800 mA, 3V | - - - | ||||
![]() | RN1423TE85LF | 0,4200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | RN1423 | 200 MW | S-mini | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 800 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250mv @ 1ma, 50 mA | 70 @ 100 mA, 1V | 300 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||
![]() | DDTA114WE-7-F | 0,3500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DDTA114 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 24 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 10 Kohms | 4.7 Kohms | |||
![]() | NSCT3906LT1G | - - - | ![]() | 8112 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | NSCT39 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 200 ma | - - - | PNP | 400mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 250 MHz | |||||
![]() | SMUN5114T1 | 0,0400 | ![]() | 276 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||
![]() | DDTC123TE-7 | 0,3500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DDTC123 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | ||||
![]() | BC550ABU | 0,0200 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 300 MHz | |||||||
![]() | BC338-40 A1 | - - - | ![]() | 9077 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 625 MW | To-92 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC338-40A1TB | Veraltet | 1 | 25 v | 800 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 250 @ 100 mA, 5V | 100 MHz | |||||||
![]() | XN0F25600L | - - - | ![]() | 8059 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | Xn0f25 | 300 MW | Mini6-G1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 20V | 600 mA | - - - | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 80 MV @ 2,5 mA, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 4.7kohm | - - - | |||||
![]() | NSVDTA115EET1G | 0,0630 | ![]() | 1157 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | NSVDTA115 | 200 MW | SC-75, SOT-416 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2832-NSVDTA115EET1GTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 100 Kohms | 100 Kohms | |||
![]() | 2SA933AS-S-BP | - - - | ![]() | 9484 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Kurzkörper | 2SA933 | 200 MW | To-92s | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 353-2SA933AS-S-BP | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100 mA, 2a | 270 @ 100 mA, 2V | 120 MHz | ||||
![]() | 2N4402BU | - - - | ![]() | 2346 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 2N4402 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 40 v | 600 mA | - - - | PNP | 750 MV @ 50 Ma, 500 mA | 50 @ 150 mA, 2V | - - - | |||||
![]() | CP235-2N3715-CT | - - - | ![]() | 3205 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Sterben | CP235 | 150 w | Sterben | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 1514-CP235-2N3715-CT | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 10 a | 1ma | Npn | 800mv @ 500 mA, 5a | 50 @ 1a, 2v | 4MHz | |||||
![]() | RXT2907AT100 | 0,2267 | ![]() | 5271 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Box (TB) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | RXT2907 | 500 MW | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 60 v | 600 mA | 100na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 200 MHz | ||||
![]() | 2N4234 | - - - | ![]() | 4439 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N423 | 6 w | To-39 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 40 v | 1 a | - - - | PNP | 600mv @ 125 mA, 1a | 30 @ 250 mA, 1V | - - - | ||||
![]() | DMA564020R | - - - | ![]() | 6967 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | DMA56402 | 150 MW | Smini6-F3-B | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 250 mV @ 500 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 10V | - - - | 22kohm | 22kohm | ||||
![]() | 90024-04TX | - - - | ![]() | 2759 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | To-204aa, to-3 | To-204ad (to-3) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-90024-04TX | 50 | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - | |||||||||||
![]() | PDTB143EU115 | 0,0400 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | DTD143ECHZGT116 | 0,2500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTD143 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 500 mA | - - - | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 47 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||
![]() | IMD8AT108 | 0,1154 | ![]() | 6766 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | IMD8 | 300 MW | SMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | - - - | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | - - - | 47kohm | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus