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Bipolar (BJT) (35082)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Gewinnen Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
SN75469DR Texas Instruments SN75469DR 0,8800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Texas Instrumente Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) SN75469 - - - 16-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 100V 500 mA - - - 7 NPN Darlington 1,6 V @ 500 µA, 350 mA - - - - - -
BD435STU onsemi BD435stu - - -
RFQ
 ECAD 2882 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-225aa, to-126-3 BD435 36 w To-126-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2832-BD435stu Ear99 8541.29.0095 1.920 32 v 4 a 100 µA Npn 500mv @ 200 Ma, 2a 40 @ 10ma, 5V 3MHz
PN3645_D27Z onsemi PN3645_D27Z - - -
RFQ
 ECAD 8389 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads PN364 625 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 60 v 800 mA 35na PNP 400mv @ 15ma, 150 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
UNR32AA00L Panasonic Electronic Components UNR32AA00L - - -
RFQ
 ECAD 7936 0.00000000 Panasonische Elektronische Komponenten - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SOT-723 UNR32 100 MW SSSMINI3-F1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 10.000 50 v 80 Ma 500NA NPN - VORGEPANNT 250 mV @ 300 µA, 10 mA 80 @ 5ma, 10V 150 MHz 100 Kohms 100 Kohms
TIP29C-BP Micro Commercial Co TIP29C-BP - - -
RFQ
 ECAD 3270 0.00000000 Micro Commercial co - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 TIP29 30 w To-220ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen TIP29CBP Ear99 8541.29.0095 5.000 100 v 1 a 300 µA Npn 700 MV @ 125 Ma, 1a 15 @ 1a, 4V 3MHz
2SD21330SA Panasonic Electronic Components 2SD21330SA - - -
RFQ
 ECAD 7018 0.00000000 Panasonische Elektronische Komponenten - - - Klebeband (CT) Schneiden Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch 3-sip 2SD2133 1,5 w MT-3-A1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0075 1.000 50 v 1 a 100NA (ICBO) Npn 400 mv @ 50 mA, 500 mA 170 @ 500 mA, 10V 200 MHz
MSD2714AT1G onsemi MSD2714AT1G - - -
RFQ
 ECAD 9264 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MSD27 225 MW SC-59 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 - - - 25 v - - - Npn 90 @ 1ma, 6v 650 MHz - - -
KSD1020GBU onsemi KSD1020GBU - - -
RFQ
 ECAD 9567 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Kurzkörper KSD1020 350 MW To-92s Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 25 v 700 Ma 100NA (ICBO) Npn 400 mV @ 70 mA, 700 mA 200 @ 100ma, 1V 170 MHz
2N3725 onsemi 2N3725 - - -
RFQ
 ECAD 7171 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet - - - K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 2N3725 800 MW To-5 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 200 50 v 1 a 10 µA Npn 950 mv @ 100 mA, 1a 60 @ 100 mA, 1V - - -
RN2706,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2706, LF 0,3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2706 200 MW USV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 500NA 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 200 MHz 4.7kohm 47kohm
JAN2N5416UA Microchip Technology Jan2N5416UA 174.8418
RFQ
 ECAD 3399 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/485 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 2N5416 750 MW To-5 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 300 V 1 a 1ma PNP 2v @ 5ma, 50 mA 30 @ 50 Ma, 10 V - - -
2N1480 PBFREE Central Semiconductor Corp 2N1480 pbfree 4.1000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Central Semiconductor Corp - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 5 w To-39 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 55 v 1,5 a 10 µA (ICBO) Npn 1,4 V @ 20 Ma, 200 Ma 20 @ 200 Ma, 4V 1,5 MHz
MMUN2230LT1 onsemi MMun2230lt1 - - -
RFQ
 ECAD 8128 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMun2230 246 MW SOT-23-3 (to-236) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 250mv @ 5ma, 10 mA 3 @ 5ma, 10V 1 Kohms 1 Kohms
PMBT3904,215 NXP USA Inc. PMBT3904,215 - - -
RFQ
 ECAD 2896 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv PMBT3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000
2SC4140 Sanken 2SC4140 - - -
RFQ
 ECAD 7973 0.00000000 Sanken - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 130 w To-3p Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2SC4140 DK Ear99 8541.29.0095 500 400 V 18 a 100 µA (ICBO) Npn 500mv @ 2a, 10a 10 @ 10a, 4V 10 MHz
RN2103ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2103ACT (TPL3) 0,0527
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-101, SOT-883 RN2103 100 MW CST3 - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 10.000 50 v 80 Ma 500NA PNP - VoreInensmen 150 mV @ 250 ua, 5 mA 70 @ 10ma, 5V 22 Kohms 22 Kohms
BFG591,115 NXP USA Inc. BFG591,115 - - -
RFQ
 ECAD 9602 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa BFG59 2W SC-73 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 - - - 15 v 200 ma Npn 60 @ 70 mA, 8v 7GHz - - -
2SA1020-Y(T6TR,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-y (T6TR, A, F. - - -
RFQ
 ECAD 1681 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SA1020 900 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 Ma, 1a 70 @ 500 mA, 2V 100 MHz
PDTC123ES,126 NXP USA Inc. PDTC123ES, 126 - - -
RFQ
 ECAD 1267 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Box (TB) Veraltet K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads PDTC123 500 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 50 v 100 ma 1 µA NPN - VORGEPANNT 150 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 20 Ma, 5V 2.2 Kohms 2.2 Kohms
SSM2212RZ-RL Analog Devices Inc. SSM2212RZ-RL 5.5500
RFQ
 ECAD 2584 0.00000000 Analog Devices Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) SSM2212 - - - 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.500 40V 20 ma 500pa 2 NPN (Dual) Matchieres Paar 200 mv @ 100 ua, 1 mA - - - 200 MHz
MPS751ZL1G onsemi MPS751ZL1G - - -
RFQ
 ECAD 7359 0.00000000 Onsemi - - - Band & Box (TB) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) MPS751 625 MW To-92 (to-226) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 60 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200 Ma, 2a 75 @ 1a, 2v 75 MHz
MMBT5343-Y Micro Commercial Co MMBT5343-y - - -
RFQ
 ECAD 8399 0.00000000 Micro Commercial co - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBT5343 200 MW SOT-23 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 150 Ma 100NA (ICBO) Npn 250mv @ 10 mA, 100 mA 120 @ 2a, 6v 80MHz
BC868-25-QX Nexperia USA Inc. BC868-25-QX 0,1710
RFQ
 ECAD 9694 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa 500 MW SOT-89 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 1727-BC868-25-QXTR Ear99 8541.21.0095 1.000 20 v 2 a 100NA (ICBO) Npn 600mv @ 200 Ma, 2a 160 @ 500 mA, 1V 170 MHz
DCP69-13 Diodes Incorporated DCP69-13 0,1139
RFQ
 ECAD 5282 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa DCP69 1 w SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.500 20 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100 mA, 1a 85 @ 500 mA, 1V 200 MHz
SSM2212CPZ-R7 Analog Devices Inc. SSM2212CPZ-R7 8.8900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Analog Devices Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 16-WFQFN Exposed Pad, CSP SSM2212 - - - 16-LFCSP (3x3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.500 40V 20 ma - - - 2 NPN (Dual) - - - 300 @ 1ma, 15 V 200 MHz
MMPQ2222A TR13 Central Semiconductor Corp MMPQ2222A TR13 - - -
RFQ
 ECAD 4018 0.00000000 Central Semiconductor Corp - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) MMPQ2222 1W 16-soic - - - 1514-MMPQ222ATR13 Ear99 8541.29.0075 1 40V 500 mA 10na 4 NPN (Quad) 1v @ 50 mA, 500 mA 100 mA @ 150 mA, 10 V. 300 MHz
CMPT2369 TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMPT2369 TR PBFREE 0,3900
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Central Semiconductor Corp - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 CMPT2369 350 MW SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 15 v 500 mA 400NA (ICBO) Npn 250 mV @ 1ma, 10 mA 40 @ 10 Ma, 1V 500 MHz
2SC5930(TPF2,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5930 (TPF2, F, M) - - -
RFQ
 ECAD 9534 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch SC-71 2SC5930 1 w MSTM Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 600 V 1 a 100 µA (ICBO) Npn 1v @ 75 mA, 600 mA 40 @ 200 Ma, 5V - - -
PDTA114YS,126 NXP USA Inc. Pdta114ys, 126 - - -
RFQ
 ECAD 7644 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Box (TB) Veraltet K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads PDTA114 500 MW To-92-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 50 v 100 ma 1 µA PNP - VoreInensmen 100 mv @ 250 ua, 5 mA 100 @ 5ma, 5v 10 Kohms 47 Kohms
2N4403 PBFREE Central Semiconductor Corp 2N4403 PBFREE 0,4900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Central Semiconductor Corp - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 625 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.500 40 v 600 mA - - - PNP 750 MV @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 2V 200 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerlager

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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