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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Pumb30,115 | - - - | ![]() | 2352 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pumb30 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||
![]() | STN817A | - - - | ![]() | 5818 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | STN817 | 1,6 w | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 80 v | 1,5 a | 1ma | PNP | 500mv @ 100 mA, 1a | 30 @ 1a, 2v | 50 MHz | ||||||
![]() | BFU530XVL | 0,1380 | ![]() | 8352 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | BFU530 | 450 MW | SOT-143b | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934067707235 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 16.5db | 12V | 40 ma | Npn | 60 @ 10ma, 8v | 11GHz | 1,1 dB @ 1,8GHz | |||||
![]() | MAT02EH | 17.3000 | ![]() | 6677 | 0.00000000 | Analog Devices Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | MAT02 | 1,8W | To-78-6 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0075 | 18 | 40V | 20 ma | 3na | 2 NPN (Dual) | 100 mV @ 100 µA, 1 mA | - - - | 200 MHz | ||||||||
![]() | NJVMJD44H11T4G-VF01 | 0,9400 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NJVMJD44 | 1,75 w | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 80 v | 8 a | 1 µA | Npn | 1v @ 400 mA, 8a | 40 @ 4a, 1V | 85 MHz | ||||||
![]() | BCX5316E6327HTSA1 | - - - | ![]() | 2846 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BCX53 | 2 w | Pg-sot89 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 125 MHz | |||||||
![]() | Jantxv2N5796 | 138.7610 | ![]() | 1216 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/496 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2N5796 | 600 MW | To-78-6 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 mA | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||
![]() | ZTX1047ASTOA | - - - | ![]() | 6239 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX1047A | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 10 v | 4 a | 10na | Npn | 190mv @ 20ma, 4a | 300 @ 1a, 2v | 150 MHz | |||||||
![]() | KST06MTF | - - - | ![]() | 8474 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | KST06 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 80 v | 500 mA | 100na | Npn | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 50 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||
![]() | BC307B | - - - | ![]() | 4071 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | BC307 | 350 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 45 V | 100 ma | 15na | PNP | 250mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 280 MHz | ||||||
![]() | DTC123JEBBTL | 0,2700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | DTC123 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | |||||
![]() | 2SA2125-S-TD-H | - - - | ![]() | 9177 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SA2125 | 3,5 w | PCP | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 50 v | 3 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100 mA, 2a | 200 @ 100 Ma, 2V | 390 MHz | |||||||
![]() | BDX33CG | 1.2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BDX33 | 70 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 10 a | 500 ähm | NPN - Darlington | 2,5 V @ 6ma, 3a | 750 @ 3a, 3v | - - - | ||||||
![]() | 2pc4081s, 115 | 0,0200 | ![]() | 6934 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | 2pc40 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||
![]() | MPS6729 | - - - | ![]() | 3234 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | MPS672 | 1 w | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 80 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 10 mA, 250 mA | 50 @ 250 mA, 1V | - - - | ||||||
![]() | PDTC124EU, 115 | - - - | ![]() | 5897 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTC12 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||
![]() | PBSS4240XF | 0,4000 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | PBSS4240 | 500 MW | SOT-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 4.000 | 40 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 140mv @ 50 mA, 500 mA | 300 @ 500 mA, 5V | 150 MHz | ||||||
BC846B/SNR | - - - | ![]() | 9630 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | BC846X | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC846 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934660338215 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
![]() | BCR185SH6327TR | - - - | ![]() | 3798 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BCR185 | 250 MW | PG-SOT363-6-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 100NA (ICBO) | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 200 MHz | 10kohm | 47kohm | |||||
![]() | XP0421100L | 0,4000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | XP0421 | 150 MW | Smini6-G1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 35 @ 5ma, 10 V. | 150 MHz | 10kohm | 10kohm | |||||||
![]() | NTE394 | 4.2900 | ![]() | 268 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | 100 w | To-3pn | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-NTE394 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V | 3 a | 1ma | Npn | 1,5 V @ 600 Ma, 3a | 30 @ 300 mA, 10V | - - - | ||||||||
![]() | Dta143tmfhat2l | 0,2400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | Dta143 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | ||||||
![]() | NE68133-T1B-R34-A | 2.0000 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Cel | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | NE68133 | 200 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.31.0000 | 3.000 | 13 dB | 10V | 65 Ma | Npn | 80 @ 20 ma, 8v | 9GHz | 1,2 dB @ 1 GHz | ||||||
![]() | PDTB114TR | 0,0300 | ![]() | 7334 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTB114 | 320 MW | To-236ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-PDTB114etr | Ear99 | 8541.21.0075 | 6.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | PNP - VoreInensmen | 100 MV @ 2,5 mA, 50 mA | 70 @ 50 Ma, 5V | 140 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||
![]() | 2SA608KF-NP | - - - | ![]() | 5161 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||
PDTA124et, 235 | 0,1700 | ![]() | 1150 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTA124 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 5V | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||||
![]() | BCP53TX | 0,4900 | ![]() | 7989 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BCP53 | 1,35 w | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 145 MHz | ||||||
![]() | BCM856SH6433XTMA1 | 0,1193 | ![]() | 8854 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BCM856 | 250 MW | Pg-sot363-po | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 250 MHz | ||||||
![]() | RN2903, lf | - - - | ![]() | 1909 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN2903 | 200 MW | US6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 70 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 22kohm | 22kohm | |||||||
![]() | LP395Z/LFT4 | - - - | ![]() | 8332 | 0.00000000 | Texas Instrumente | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 125 ° C (TA) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | LP395 | To-92-3 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 36 v | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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