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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NTE289AMP | 3.9800 | ![]() | 11 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 600 MW | To-92 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2368-NTE289AMP | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 500 mA | 1 µA (ICBO) | Npn | 600mv @ 40 mA, 400 mA | 100 @ 50 Ma, 5V | 120 MHz | ||||||||
DDTC115ECA-7 | - - - | ![]() | 2588 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC115 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 82 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 100 Kohms | 100 Kohms | ||||||
![]() | BFP840FESDH6327XTSA1 | 0,5800 | ![]() | 52 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Flache Leitungen | BFP840 | 75 MW | PG-TSFP-4-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 35 dB | 2,6 v | 35 Ma | Npn | 150 @ 10 mA, 1,8 V. | 85 GHz | 0,75 dB bei 5,5 GHz | ||||||
![]() | TIP107G | 1.1300 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TIP107 | 2 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 8 a | 50 µA | PNP - Darlington | 2,5 V @ 80 Ma, 8a | 1000 @ 3a, 4V | - - - | ||||||
![]() | 2N5619 | 74.1300 | ![]() | 5971 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 58 w | To-204ad (to-3) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N5619 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 5 a | - - - | PNP | 1,5 V @ 500 µA, 2,5 mA | - - - | - - - | ||||||||
![]() | BCP49E6419 | 0,0200 | ![]() | 8810 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | 1,5 w | PG-SOT223-4 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 60 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1 V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100 mA, 5V | 200 MHz | |||||||
![]() | NSV20101JT1G | 0,6530 | ![]() | 2407 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | NSV20101 | 255 MW | SC-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 20 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 220 mv @ 100 mA, 1a | 200 @ 100 Ma, 2V | 350 MHz | ||||||
![]() | CP588-BC556B-CM | - - - | ![]() | 1712 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 1514-CP588-BC556B-CM | Ear99 | 8541.29.0040 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | NSBC123JDXV6T1G | 0,5100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | NSBC123 | 500 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | - - - | 2.2ko | 47kohm | |||||
![]() | DTC123JMFHAT2L | 0,2600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | DTC123 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 100 ma | - - - | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | ||||||
![]() | 2DC4617R-7 | - - - | ![]() | 1483 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | 2DC4617 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5ma, 50 mA | 180 @ 1ma, 6v | 180 MHz | ||||||
MMBTA42-7 | - - - | ![]() | 6227 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBTA42 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 300 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 40 @ 30 ma, 10V | 50 MHz | |||||||
![]() | BD239ATU | - - - | ![]() | 9325 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BD239 | 30 w | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 60 v | 2 a | 300 µA | Npn | 700mv @ 200 Ma, 1a | 15 @ 1a, 4V | - - - | |||||||
![]() | JantX2N2907AUBP | 26.5867 | ![]() | 8619 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/291 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 500 MW | UB | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx2N2907AUBP | 1 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 1ma, 10V | - - - | ||||||||||
![]() | PDTC114ee/dg115 | 0,0200 | ![]() | 3542 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 13.974 | |||||||||||||||||||
![]() | BFG410W, 115 | - - - | ![]() | 9341 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-82A, SOT-343 | BFG41 | 54 MW | Cmpak-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 21db | 4,5 v | 12 Ma | Npn | 50 @ 10ma, 2v | 22GHz | 0,9 dB ~ 1,2 dB @ 900 MHz ~ 2GHz | ||||||
![]() | Pumb30,115 | - - - | ![]() | 2352 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pumb30 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||
![]() | STN817A | - - - | ![]() | 5818 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | STN817 | 1,6 w | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 80 v | 1,5 a | 1ma | PNP | 500mv @ 100 mA, 1a | 30 @ 1a, 2v | 50 MHz | ||||||
![]() | BFU530XVL | 0,1380 | ![]() | 8352 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | BFU530 | 450 MW | SOT-143b | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934067707235 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 16.5db | 12V | 40 ma | Npn | 60 @ 10ma, 8v | 11GHz | 1,1 dB @ 1,8GHz | |||||
![]() | MAT02EH | 17.3000 | ![]() | 6677 | 0.00000000 | Analog Devices Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | MAT02 | 1,8W | To-78-6 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0075 | 18 | 40V | 20 ma | 3na | 2 NPN (Dual) | 100 mV @ 100 µA, 1 mA | - - - | 200 MHz | ||||||||
![]() | NJVMJD44H11T4G-VF01 | 0,9400 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NJVMJD44 | 1,75 w | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 80 v | 8 a | 1 µA | Npn | 1v @ 400 mA, 8a | 40 @ 4a, 1V | 85 MHz | ||||||
![]() | BCX5316E6327HTSA1 | - - - | ![]() | 2846 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BCX53 | 2 w | Pg-sot89 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 125 MHz | |||||||
![]() | Jantxv2N5796 | 138.7610 | ![]() | 1216 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/496 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2N5796 | 600 MW | To-78-6 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 mA | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||
![]() | ZTX1047ASTOA | - - - | ![]() | 6239 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX1047A | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 10 v | 4 a | 10na | Npn | 190mv @ 20ma, 4a | 300 @ 1a, 2v | 150 MHz | |||||||
![]() | KST06MTF | - - - | ![]() | 8474 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | KST06 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 80 v | 500 mA | 100na | Npn | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 50 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||
![]() | BC307B | - - - | ![]() | 4071 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | BC307 | 350 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 45 V | 100 ma | 15na | PNP | 250mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 280 MHz | ||||||
![]() | DTC123JEBBTL | 0,2700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | DTC123 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | |||||
![]() | 2SA2125-S-TD-H | - - - | ![]() | 9177 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SA2125 | 3,5 w | PCP | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 50 v | 3 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100 mA, 2a | 200 @ 100 Ma, 2V | 390 MHz | |||||||
![]() | BDX33CG | 1.2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BDX33 | 70 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 10 a | 500 ähm | NPN - Darlington | 2,5 V @ 6ma, 3a | 750 @ 3a, 3v | - - - | ||||||
![]() | 2pc4081s, 115 | 0,0200 | ![]() | 6934 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | 2pc40 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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