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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Mun5135DW1T1 | - - - | ![]() | 8577 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Mun51 | 250 MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | - - - | 2.2ko | 47kohm | |||||
![]() | Ztx753stoa | - - - | ![]() | 4851 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX753 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 100 v | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 200 Ma, 2a | - - - | 140 MHz | |||||||
![]() | MPSH10-BP | - - - | ![]() | 7670 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | MPSH10 | 350 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 353-mpsh10-BP | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | - - - | 25 v | 50 ma | Npn | 60 @ 4ma, 10V | 650 MHz | - - - | ||||||
PBSS4350T-QR | 0,0864 | ![]() | 2246 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 1,2 w | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1727-PBSS4350T-qrtr | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 50 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 370mv @ 300 mA, 3a | 300 @ 1a, 2v | 100 MHz | ||||||||
![]() | L6221CD | - - - | ![]() | 5224 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 20-Soic (0,295 ", 7,50 mm Breit) | L6221 | - - - | 20-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | 60 v | 1.2a | - - - | 4 NPN Darlington (Quad) | - - - | - - - | - - - | ||||||
![]() | PBSS5612PA, 115 | - - - | ![]() | 8491 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Powerudfn | PBSS5612 | 2.1 w | 3-Huson (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 12 v | 6 a | 100na | PNP | 300mv @ 300 mA, 6a | 190 @ 2a, 2v | 60 MHz | ||||||
![]() | MPS6652RLRPG | - - - | ![]() | 6586 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | MPS665 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 40 v | 1 a | 100na | PNP | 600mv @ 100 mA, 1a | 50 @ 500 mA, 1V | 100 MHz | |||||||
![]() | RN1911Fete85Lf | - - - | ![]() | 8032 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | RN1911 | 100 MW | Es6 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 100NA (ICBO) | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 120 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 10kohm | - - - | ||||||
![]() | BC846C-TP | 0,1400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC846 | 225 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 V | 100 ma | 100na | Npn | 1,1 V @ 5 Ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
![]() | KSD2058YTSTU | - - - | ![]() | 8804 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | KSD2058 | 1,5 w | To-220f-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 v | 3 a | 10 µA (ICBO) | Npn | 1,5 V @ 200 Ma, 2a | 100 @ 500 mA, 5V | 400 kHz | |||||||
![]() | CXT5401-TP | 0,0862 | ![]() | 8511 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | CXT5401 | 500 MW | SOT-89 | Herunterladen | 353-CXT5401-TP | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 150 v | 500 mA | 50na (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 1ma, 5v | 300 MHz | ||||||||
![]() | NTE2370 | 1.0900 | ![]() | 500 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Kurzkörper | NTE23 | 200 MW | To-92s | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2368-NTE2370 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||||
![]() | 2SC3851a | - - - | ![]() | 8080 | 0.00000000 | Sanken | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | 25 w | To-220f | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2SC3851A DK | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 4 a | 100 µA (ICBO) | Npn | 500mv @ 200 Ma, 2a | 40 @ 1a, 4V | 15 MHz | |||||||
![]() | Fjt44tf | 0,5400 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FJT44 | 2 w | SOT-223-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 400 V | 300 ma | 500NA | Npn | 750 mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 10 ma, 10V | - - - | ||||||
![]() | Mun5113t1 | - - - | ![]() | 8526 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Mun5113 | 202 MW | SC-70-3 (SOT323) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||||
![]() | DDTC115gua-7 | 0,4000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | DDTC115 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||
![]() | KSC5042MSTU | - - - | ![]() | 9870 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | KSC5042 | 6 w | To-126-3 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.920 | 900 V | 100 ma | 10 µA (ICBO) | Npn | 5v @ 4ma, 20 mA | 30 @ 10ma, 5v | - - - | |||||||
TIP112 | 0,8800 | ![]() | 7205 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TIP112 | 2 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 2 a | 2ma | NPN - Darlington | 2,5 V @ 8ma, 2a | 1000 @ 1a, 4V | - - - | |||||||
![]() | BSP 51 E6327 | - - - | ![]() | 5006 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BSP 51 | 1,5 w | PG-SOT223-4 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 v | 1 a | 10 µA | NPN - Darlington | 1,8 V @ 1ma, 1a | 2000 @ 500 mA, 10V | 200 MHz | |||||||
![]() | 2N4402_D81Z | - - - | ![]() | 9406 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N4402 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 40 v | 600 mA | - - - | PNP | 750 MV @ 50 Ma, 500 mA | 50 @ 150 mA, 2V | - - - | |||||||
![]() | 2N6517 | - - - | ![]() | 1950 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | 2N6517 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2N6517OS | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 350 V | 500 mA | 50na (ICBO) | Npn | 1v @ 5 ma, 50 mA | 20 @ 50 Ma, 10 V | 200 MHz | |||||
![]() | PN100RM | - - - | ![]() | 3335 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PN100 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 500 mA | 50na | Npn | 400mv @ 20 mA, 200 mA | 100 @ 150 mA, 5V | 250 MHz | |||||||
![]() | Jantxv2N2920 | 38.5301 | ![]() | 7335 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | 200 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2n2920 | - - - | To-78-6 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 30 ma | - - - | 2 NPN (Dual) | - - - | - - - | - - - | ||||||
![]() | KST06MTF | - - - | ![]() | 8474 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | KST06 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 80 v | 500 mA | 100na | Npn | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 50 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||
![]() | 2SB765K-E | 1.4400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | BCX53-16R13 | 0,0726 | ![]() | 4894 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 500 MW | SOT-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2796-BCX53-16R13TR | 8541.21.0000 | 1.000.000 | 80 v | 1 a | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 250 @ 150 mA, 2V | 50 MHz | ||||||||||
![]() | DTC144GKAT146 | 0,0463 | ![]() | 9903 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | DTC144G | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTC144 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | ||||||
![]() | BC639 | - - - | ![]() | 3093 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150 mA, 2V | 200 MHz | |||||||||
JantX2N4150 | 12.1163 | ![]() | 7138 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/394 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 2N4150 | 1 w | To-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 70 V | 10 a | 10 µA | Npn | 2,5 V @ 1a, 10a | 40 @ 5a, 5V | - - - | |||||||
![]() | Umz1n | 0,0290 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Umz1 | 150 MW | SOT-363 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-umz1ntr | Ear99 | 3.000 | 50V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN, PNP | 400mv @ 5 mA, 50 mA / 500mv @ 5 mA, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 180 MHz, 140 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus