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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | XN0411300L | - - - | ![]() | 5607 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | Xn0411 | 300 MW | Mini6-G1 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 80MHz | 47kohm | 47kohm | ||||||
![]() | APT13005T-G1 | - - - | ![]() | 2501 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | APT13005 | 75 w | To-220-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | APT13005T-G1DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 450 V | 4 a | - - - | Npn | 900mv @ 1a, 4a | 8 @ 2a, 5V | 4MHz | |||||
![]() | NJVBDX33CG | 0,3000 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | NE68030-T1-R45-A | - - - | ![]() | 1051 | 0.00000000 | Cel | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | NE68030 | 150 MW | SOT-323 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 9.4db | 10V | 35 Ma | Npn | 125 @ 5MA, 3V | 10GHz | 1,9 dB @ 2GHz | |||||||
![]() | 2SC3708S-AA | 0,1100 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | BCW72T116 | 0,1088 | ![]() | 1405 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCW72 | SST3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 45 V | 100 ma | - - - | Npn | - - - | 200 @ 2MA, 5V | - - - | |||||||
![]() | BC557BTAR | - - - | ![]() | 2483 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC557 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 150 MHz | |||||||
![]() | BC850CWE6327 | 0,0200 | ![]() | 3884 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 250 MW | PG-SOT323-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.900 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 250 MHz | |||||||
![]() | BDW64D-S | - - - | ![]() | 7858 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BDW64 | 2 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 15.000 | 120 v | 6 a | 500 ähm | PNP - Darlington | 4v @ 60 mA, 6a | 750 @ 2a, 3v | - - - | |||||||
FZT749TC | 0,3205 | ![]() | 4441 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT749 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 25 v | 3 a | 100NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 300 mA, 3a | 100 @ 1a, 2v | 160 MHz | |||||||
![]() | MBT6429DW1T1 | - - - | ![]() | 2275 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MBT6429 | 150 MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 200 ma | 100na | 2 NPN (Dual) | 600mv @ 5ma, 100 mA | 500 @ 100 µA, 5V | 700 MHz | ||||||
![]() | Umb1ntn | 0,0848 | ![]() | 5871 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Umb1 | 150 MW | Umt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | - - - | 22kohm | 22kohm | |||||
![]() | BC547BU | - - - | ![]() | 2847 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | BC547 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 300 MHz | |||||||
![]() | 2SAR543DTL | 0,6045 | ![]() | 9578 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SAR543 | 10 w | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 50 v | 4 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 100 mA, 2a | 180 @ 100 Ma, 3V | 300 MHz | ||||||
![]() | MS2294 | - - - | ![]() | 8146 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MS1004 | - - - | ![]() | 7883 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | 200 ° C (TJ) | Chassis -berg | M177 | 330W | M177 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 14.5db | 55 v | 40a | Npn | 15 @ 10a, 6v | 30 MHz | - - - | ||||||||
Jan2N1613 | 103.7400 | ![]() | 9912 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/181 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N1613 | 800 MW | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 30 v | 500 mA | 10 µA (ICBO) | Npn | 1,5 V @ 15ma, 150 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||
![]() | BCP52,135 | 0,4700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BCP52 | 1 w | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 145 MHz | ||||||
JANSL2N2219A | 114.6304 | ![]() | 6052 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 800 MW | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansl2N2219A | 1 | 50 v | 800 mA | 10na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||
![]() | NSBA114YDXV6T1 | - - - | ![]() | 8709 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | NSBA114 | 500 MW | SOT-563 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | - - - | 10kohm | 47kohm | |||||
![]() | RN1109, LF (CT | 0,2000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | RN1109 | 100 MW | SSM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 70 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 47 Kohms | 22 Kohms | ||||||
![]() | Mmdt2227q-7-f | 0,4500 | ![]() | 2667 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MMDT2227 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V, 60 V | 600 mA | 10na, 50na | NPN, PNP Kopplementär | 1v @ 50 mA, 500 mA / 1,6 V @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 300 MHz, 200 MHz | ||||||
![]() | JANSR2N3634L | - - - | ![]() | 9024 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/357 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 1 w | To-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 140 v | 10 µA | 10 µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 50 Ma, 10 V | - - - | ||||||||
![]() | KSA539CYTA | - - - | ![]() | 2837 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | KSA539 | 400 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 45 V | 200 ma | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 15ma, 150 mA | 120 @ 50 Ma, 1V | - - - | ||||||
![]() | BFQ67W, 115 | - - - | ![]() | 6748 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BFQ67 | 300 MW | SC-70 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | - - - | 10V | 50 ma | Npn | 60 @ 15ma, 5V | 8GHz | 1,3 db ~ 3 dB @ 1GHz ~ 2GHz | ||||||
![]() | 2SC5359-O (q) | 3.4000 | ![]() | 74 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-3pl | 2SC5359 | 180 w | To-3p (l) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.29.0075 | 100 | 230 V | 15 a | 5 µA (ICBO) | Npn | 3v @ 800 mA, 8a | 80 @ 1a, 5V | 30 MHz | |||||||
![]() | Jan2N5003 | 416.0520 | ![]() | 1193 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/535 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Chassis, Stollenberg | To-210aa, to-59-4, Stud | 2N5003 | 2 w | To-59 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 5 a | 50 µA | PNP | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 30 @ 2,5a, 5V | - - - | ||||||
![]() | KSC1187YBU | - - - | ![]() | 6840 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | KSC1187 | 250 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 20 v | 30 ma | 100NA (ICBO) | Npn | - - - | 120 @ 2MA, 10V | 700 MHz | |||||||
![]() | BCR48PNH6433XTMA1 | 0,0975 | ![]() | 6346 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BCR48 | 250 MW | Pg-sot363-po | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50V | 70 mA, 100 mA | - - - | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 100 MHz, 200 MHz | 47kohms, 2.2kohms | 47kohm | |||||
![]() | UNR911DJ0L | - - - | ![]() | 1973 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | UNR911 | 125 MW | Ssmini3-f1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 10V | 80 MHz | 47 Kohms | 10 Kohms |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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