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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DTC043ZUBTL | 0,3000 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-85 | DTC043 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | - - - | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | ||
![]() | DTC143ZM3T5G | 0,3400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | DTC143 | 260 MW | SOT-723 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||
![]() | BCR191WH6327XTSA1 | 0,0553 | ![]() | 6577 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BCR191 | 250 MW | Pg-SOT323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 50 @ 5ma, 5V | 200 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | ||
![]() | PDTC144TMB315 | 0,0200 | ![]() | 189 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | Pdtb143eux | 0,0680 | ![]() | 6523 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | PDTB143 | 300 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 100 MV @ 2,5 mA, 50 mA | 60 @ 50 Ma, 5V | 140 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||
Dta143zua | 0,0240 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Dta143 | 200 MW | SOT-323 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-DTA143ZUATR | Ear99 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VORGEPANNT + DIODE | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | |||||
![]() | DTA043ZBTL | 0,1900 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | DTA043 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | - - - | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | ||
![]() | RN1105MFV, L3F (CT | 0,1800 | ![]() | 38 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | RN1105 | 150 MW | VESM | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 2.2 Kohms | 47 Kohms | |||||
![]() | DTC123EEEE3HZGTL | 0,4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC123 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-DTC123EEEE3HZGTLCT | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 20 Ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | ||
![]() | DTA143ZUBHZGTL | 0,2200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-85 | Dta143 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 ma | - - - | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||
![]() | PDTB123TK, 115 | - - - | ![]() | 3372 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTB123 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 5V | 2.2 Kohms | ||||
![]() | FJNS3202RTA | - - - | ![]() | 5508 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Kurzkörper | Fjns32 | 300 MW | To-92s | - - - | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||
![]() | PDTA114YQC-QZ | 0,2900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 3-xdfn exponiert Pad | PDTA114 | 360 MW | DFN1412D-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 50 v | 100 ma | 100na | PNP - VoreInensmen | 100 mv @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 5ma, 5v | 180 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | ||
![]() | PDTA114EK115 | 0,0300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | Reichweiite Betroffen | 2156-PDTA114EK115-954 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | BCR158 | - - - | ![]() | 2078 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BCR15 | 250 MW | PG-SOT323-3-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 200 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | ||
![]() | Fjy3015r | 0,0200 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | FJY301 | SOT-523F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | |||||
![]() | Mun5232t1 | - - - | ![]() | 1203 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Mun5232 | 202 MW | SC-70-3 (SOT323) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 15 @ 5ma, 10V | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||
Dta123jua | 0,0240 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Dta123 | 200 MW | SOT-323 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-DTA123JUATR | Ear99 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VORGEPANNT + DIODE | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | |||||
![]() | UP0KG8D00L | - - - | ![]() | 3014 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-665 | Up0kg8 | 125 MW | Ssmini5-f2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50 v | 80 Ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 80 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||
PDTA143ZT, 235 | 0,1700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTA143 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 100 mv @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 10ma, 5V | 4.7 Kohms | 47 Kohms | ||||
![]() | DDTA123EUA-7 | 0,3900 | ![]() | 75 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | DDTA123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1034-DDTA123EUA-7DKR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||
![]() | NSVMUN5131T1G | 0,3400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | NSVMUN5131 | 202 MW | SC-70-3 (SOT323) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250mv @ 5ma, 10 mA | 8 @ 5ma, 10V | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | |||
![]() | PDTC123EM, 315 | 0,0300 | ![]() | 25 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | * | Schüttgut | Aktiv | PDTC123 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-PDTC123EM, 315-954 | 15.000 | |||||||||||||||||
ADTA113ZCAQ-13 | - - - | ![]() | 3234 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ADTA113 | 310 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-atta113zcaq-13tr | Veraltet | 10.000 | 50 v | 100 ma | - - - | PNP - VoreInensmen | - - - | 33 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 1 Kohms | 10 Kohms | |||
![]() | RN1409, LF | 0,1900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | RN1409 | 200 MW | S-mini | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 70 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 47 Kohms | 22 Kohms | |||
![]() | DTC144TETL | 0,0707 | ![]() | 6994 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | DTC144T | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC144 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 47 Kohms | |||
![]() | Dta114tmfhat2l | 0,0668 | ![]() | 9056 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOT-723 | Dta114 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 10 Kohms | |||
![]() | RN2103CT (TPL3) | - - - | ![]() | 1846 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | RN2103 | 50 MW | CST3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 20 v | 50 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 10ma, 5V | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||
PDTC123ET, 215 | 0,1700 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTC123 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 20 Ma, 5V | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | ||||
![]() | DRC2143T0L | - - - | ![]() | 8650 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DRC2143 | 200 MW | Mini3-g3-b | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 500 µA, 10 mA | 160 @ 5ma, 10V | 4.7 Kohms |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus