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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1 PMT5944/TR7 | 2.2200 | ![]() | 1740 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5944 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 47,1 V | 62 v | 100 Ohm | |||||||||
Jantx1n6491dus | - - - | ![]() | 1573 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | A, SQ-Melf | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 500 na @ 2 v | 5.6 v | 5 Ohm | ||||||||||||
![]() | VS-15EWX06FNTRL-M3 | 0,6181 | ![]() | 9922 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 15EWX06 | Standard | D-Pak (to-252aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS15EWX06FNTRLM3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,05 V @ 15 a | 220 ns | 10 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - - - | ||||||
![]() | CD5259b | 1.4497 | ![]() | 9510 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD5259b | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 30 v | 39 v | 80 Ohm | ||||||||||
BZX84B22-E3-18 | 0,0324 | ![]() | 1616 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Bzx84 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84B22 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 50 na @ 15.4 v | 22 v | 55 Ohm | |||||||||||
![]() | 1N4731A_T50R | - - - | ![]() | 7834 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4731 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 10 µa @ 1 V | 4.3 v | 9 Ohm | |||||||||||
![]() | 1N5379B/TR12 | - - - | ![]() | 9321 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5379 | 5 w | T-18 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 79.2 V. | 110 v | 125 Ohm | |||||||||
![]() | SL03-M-08 | 0,4500 | ![]() | 1782 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | SL03 | Schottky | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 430 MV @ 1.1 a | 10 ns | 130 µa @ 30 V | 125 ° C (max) | 1.1a | - - - | |||||||
VT3045BP-M3/4W | 1.6100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | TMBS® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | VT3045 | Schottky | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VT3045BPM34W | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 700 mv @ 30 a | 2 ma @ 45 v | 200 ° C (max) | 30a | - - - | ||||||||
BZD17C43P M2G | - - - | ![]() | 8221 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,97% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 33 V | 43 v | 45 Ohm | ||||||||||
![]() | LSM1100JE3/TR13 | 0,4350 | ![]() | 9849 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | LSM1100 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | |||||||||||||||||||
![]() | BAV21W-HE3-18 | 0,3000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BAV21 | Standard | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 100 mA | 50 ns | 100 NA @ 150 V | 175 ° C (max) | 250 Ma | 1,5PF @ 0V, 1 MHz | |||||||
![]() | 1N4248GPHE3/73 | - - - | ![]() | 4622 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4248 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,2 V @ 1 a | 1 µa @ 800 V | -65 ° C ~ 160 ° C. | 1a | 8PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||
![]() | EU02W | - - - | ![]() | 2501 | 0.00000000 | Sanken | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Axial | EU02 | Standard | - - - | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | EU02W DK | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,4 V @ 1 a | 400 ns | 10 µa @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | |||||||
![]() | SMSZ1600-31T3DS | 0,0200 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||
JantX1N5536D-1/Tr | 19.5776 | ![]() | 6502 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-JantX1N5536D-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 14.4 v | 16 v | 100 Ohm | |||||||||||
![]() | 1N4448WHE3-TP | 0,1800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Micro Commercial co | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 1N4148 | Standard | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1 V @ 100 mA | 4 ns | 2,5 µa @ 75 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 250 Ma | 4PF @ 0V, 1MHz | |||||||
1N4992us | 16.3350 | ![]() | 9207 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 1N4992 | 5 w | D-5b | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 206 V | 270 v | 800 Ohm | |||||||||||
![]() | Jantx1n5530cur-1/Tr | 33.9815 | ![]() | 8768 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n5530cur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 9.1 V. | 10 v | 60 Ohm | ||||||||||
![]() | SMBG5339C/TR13 | - - - | ![]() | 7701 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | DO-215AA, SMB Möwenflügel | SMBG5339 | 5 w | SMBG (Do-215AA) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 1 µa @ 2 V. | 5.6 v | 1 Ohm | |||||||||
![]() | 1N4249us | 7.3650 | ![]() | 4800 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf | Standard | Melf-1 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4249us | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,3 V @ 3 a | 5 µs | 1 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | |||||||||
![]() | BZT52B33JSHE3-TP | 0,3500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Micro Commercial co | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZT52B33 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 45 na @ 23 v | 33 v | 75 Ohm | |||||||||
![]() | 1N3736 | 21.0000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | Bolzenhalterung | Do-205AB, Do-9, Stud | Standard | Do-9 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-1n3736 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,3 V @ 300 a | 75 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 190 ° C. | 275a | - - - | ||||||||
![]() | BZT03C20-TAP | 0,2970 | ![]() | 5545 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZT03 | Band & Box (TB) | Aktiv | ± 6% | 175 ° C (TJ) | K. Loch | SOD-57, axial | BZT03C20 | 1,3 w | SOD-57 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 25.000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µa @ 15 V | 20 v | 15 Ohm | |||||||||
![]() | SMBG4739/TR13 | - - - | ![]() | 5311 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | DO-215AA, SMB Möwenflügel | SMBG4739 | 2 w | SMBG (Do-215AA) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 7 V. | 9.1 v | 5 Ohm | |||||||||
![]() | SMBJ5945A/TR13 | 1.5600 | ![]() | 4878 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5945 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 51,2 V. | 68 v | 120 Ohm | |||||||||
BZD27C51P M2G | - - - | ![]() | 2139 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,88% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 39 V | 51 v | 60 Ohm | ||||||||||
![]() | UFT3060 | 62.1000 | ![]() | 5111 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-204aa, to-3 | Standard | To-204aa (to-3) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-UFT3060 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 930 mv @ 15 a | 35 ns | 15 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 30a | 140pf @ 10v, 1 MHz | |||||||||
![]() | Tzx27a-tr | 0,2300 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, TZX | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | TZX27 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µa @ 21 V | 27 v | 80 Ohm | |||||||||
![]() | PMEG3020EGW115 | 0,0500 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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