SIC
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Dioden (168966)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT)
MMSZ5241C-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5241C-HE3-18 0,0454
RFQ
 ECAD 3641 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Lets Kaufen ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 MMSZ5241 500 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 2 µa @ 8,4 V 11 v 22 Ohm
SMBJ4756E3/TR13 Microchip Technology SMBJ4756E3/TR13 0,4350
RFQ
 ECAD 1500 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB SMBJ4756 2 w Smbj (do-214aa) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 Ma 5 µA @ 35,8 V. 47 v 80 Ohm
1N7052UR-1 Microchip Technology 1N7052ur-1 9.3000
RFQ
 ECAD 7416 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 10% - - - Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf (GLAS) 1N7052 250 MW Do-213AB (Melf, LL41) - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 4,8 v 35 Ohm
1N3163R Powerex Inc. 1N3163R - - -
RFQ
 ECAD 7807 0.00000000 Powerex Inc. - - - Schüttgut Aktiv 1N3163 - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 1
1PMT5938AE3/TR13 Microchip Technology 1 PMT5938AE3/TR13 0,7350
RFQ
 ECAD 2150 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-216aa 13.5938 3 w Do-216aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 12.000 1,2 V @ 200 Ma 1 µa @ 27,4 V 36 v 38 Ohm
HZM15NB1TR-E Renesas Hzm15nb1tr-e 0,1600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet ± 2,19% 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 200 MW 3-mpak - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-Hzm15nb1tr-e Ear99 8541.10.0050 1 2 µa @ 11 V 14.15 v 40 Ohm
JANTXV1N6343CUS Microchip Technology JantXV1N6343CUS 57.1050
RFQ
 ECAD 5651 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/533 Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SQ-Melf, b 500 MW B, SQ-Melf - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv1n6343cus Ear99 8541.10.0050 1 1,4 V @ 1 a 50 na @ 47 V 62 v 125 Ohm
SZMM5Z36VT1G onsemi SZMM5Z36VT1G 0,4300
RFQ
 ECAD 9866 0.00000000 Onsemi Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 SZMM5 500 MW SOD-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 50 NA @ 25.2 V. 36 v 90 Ohm
JANTX1N4371AUR-1 MACOM Technology Solutions JantX1N4371aur-1 - - -
RFQ
 ECAD 7725 0.00000000 Macom Technology Solutions Militär, Mil-PRF-19500/127 Schüttgut Abgebrochen bei Sic ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AA (GLAS) 500 MW Do-213aa Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 60 µa @ 1 V 2,7 v 30 Ohm
BZD27C36P-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C36P-HE3-18 0,1536
RFQ
 ECAD 5900 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automotive, AEC-Q101, BZD27C Band & Rollen (TR) Aktiv - - - -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-219AB BZD27C36 800 MW Do-219AB (SMF) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 50.000 1,2 V @ 200 Ma 1 µa @ 27 V 36 v 40 Ohm
CTLHR10-06 TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp CTLHR10-06 TR13 PBFREE 1.8300
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Central Semiconductor Corp - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 3-smd, flaches blei CTLHR10 Standard TLM364 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,7 V @ 10 a 25 ns 10 µa @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 10a 42pf @ 4v, 1 MHz
JANTX1N3017D-1/TR Microchip Technology JantX1N3017D-1/Tr 28.4620
RFQ
 ECAD 7073 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/115 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1 w Do-41 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantx1n3017d-1/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 100 µA @ 5,7 V 7,5 v 4 Ohm
1N5365C/TR12 Microchip Technology 1N5365C/TR12 3.3900
RFQ
 ECAD 7741 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. K. Loch T-18, axial 1N5365 5 w T-18 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 1 a 500 NA @ 25.9 V. 36 v 11 Ohm
JANTX1N3043B-1 Microchip Technology JantX1N3043B-1 10.0650
RFQ
 ECAD 7314 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/115 Schüttgut Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N3043 1 w Do-41 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 10 µA @ 69.2 V. 91 V 250 Ohm
BZX384C2V7-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C2V7-HG3-08 0,3900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 200 MW SOD-323 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 20 µa @ 1 V 2,7 v 75 Ohm
MMSZ5236B RHG Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5236B RHG 0,0433
RFQ
 ECAD 9552 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOD-123F MMSZ5236 500 MW SOD-123F Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 3 µa @ 6 V 7,5 v 6 Ohm
SZNZ3F33VT1G onsemi SZNZ3F33VT1G - - -
RFQ
 ECAD 7622 0.00000000 Onsemi Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6,06% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-90, SOD-323F SZNZ3 800 MW SOD-323FL Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,3 V @ 10 mA 50 NA @ 23.2 V. 33 v 140 Ohm
JAN1N6940UTK3AS/TR Microchip Technology Jan1N6940UTK3AS/Tr 408.7950
RFQ
 ECAD 3645 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Thinkey ™ 3 SIC (Silicon Carbide) Schottky Thinkey ™ 3 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jan1N6940utk3as/tr Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 15 v 500 mV @ 150 a 5 ma @ 15 V -65 ° C ~ 175 ° C. 150a
BZX384B5V1-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B5V1-E3-08 0,2700
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division BZX384 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 BZX384B5V1 200 MW SOD-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 2 µa @ 2 V 5.1 v 60 Ohm
LS412660 Powerex Inc. LS412660 196.4300
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Powerex Inc. - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg POW-R-BLOK ™ -MODUL Standard POW-R-BLOK ™ -MODUL Herunterladen ROHS -KONFORM Nicht Anwendbar 835-1202 Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 2600 v 1,18 V @ 1500 a 40 mA @ 2600 V -40 ° C ~ 150 ° C. 600a - - -
SS29LHMTG Taiwan Semiconductor Corporation SS29LHMTG - - -
RFQ
 ECAD 3010 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-219AB SS29 Schottky Sub SMA Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 7.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 90 v 850 mV @ 2 a 100 µa @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a - - -
1N4931 Microchip Technology 1N4931 63.9600
RFQ
 ECAD 2099 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -25 ° C ~ 100 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N4931 500 MW Do-35 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 19,2 v 36 Ohm
BZX84B33-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B33-HE3_A-08 0,0498
RFQ
 ECAD 5851 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automotive, AEC-Q101, BZX84 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 300 MW SOT-23-3 Herunterladen 112-BZX84B33-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15.000 50 na @ 23.1 v 33 v 80 Ohm
SR503 R0G Taiwan Semiconductor Corporation SR503 R0G - - -
RFQ
 ECAD 3858 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic K. Loch Do-201ad, axial SR503 Schottky Do-201ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1,250 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 550 mV @ 5 a 500 µa @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C. 5a - - -
BZX84C43-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C43-G3-08 0,0353
RFQ
 ECAD 5148 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Bzx84-g Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BZX84C43 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 15.000 50 NA @ 30.1 V. 43 v 150 Ohm
JANS1N6334D Microchip Technology JANS1N6334D 350.3400
RFQ
 ECAD 7796 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/533 Schüttgut Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jans1N6334d Ear99 8541.10.0050 1 1,4 V @ 1 a 50 na @ 21 v 27 v 27 Ohm
JANTXV1N6643 Microchip Technology Jantxv1N6643 10.7700
RFQ
 ECAD 7007 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/578 Schüttgut Aktiv K. Loch D, axial 1N6643 Standard D-5d Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 75 V 1,2 V @ 100 mA 20 ns 500 NA @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C. 300 ma 5PF @ 0V, 1MHz
DSA2I100SB IXYS DSA2I100SB - - -
RFQ
 ECAD 9182 0.00000000 Ixys - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB DSA2I100 Schottky SMB (Do-214AA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 790 mv @ 2 a 10 µa @ 100 V. -55 ° C ~ 175 ° C. 2a - - -
1PMT5944/TR7 Microchip Technology 1 PMT5944/TR7 2.2200
RFQ
 ECAD 1740 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 20% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-216aa 13.5944 3 w Do-216aa Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 Ma 1 µA @ 47,1 V 62 v 100 Ohm
JANTX1N6491DUS Microchip Technology Jantx1n6491dus - - -
RFQ
 ECAD 1573 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/406 Schüttgut Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SQ-Melf, a 1,5 w A, SQ-Melf - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 1 a 500 na @ 2 v 5.6 v 5 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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