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Dioden (168966)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT)
ZM4729A L0G Taiwan Semiconductor Corporation ZM4729A L0G 0,0830
RFQ
 ECAD 6315 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf ZM4729 1 w Melf Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 5.000 100 µa @ 1 V 3.6 V 10 Ohm
ESH3B-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH3B-E3/57T 0,3208
RFQ
 ECAD 7039 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC Esh3 Standard Do-214AB (SMC) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 850 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 900 mv @ 3 a 40 ns 5 µa @ 100 V. -55 ° C ~ 175 ° C. 3a - - -
BZT55B62 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B62 0,0385
RFQ
 ECAD 7764 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOD-80-Variale 500 MW Qmmelf Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 1801-BZT55B62TR Ear99 8541.10.0050 10.000 1 V @ 10 mA 100 NA @ 47 V 62 v 150 Ohm
CDLL5525 Microchip Technology CDLL5525 6.4800
RFQ
 ECAD 6098 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 20% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf CDLL5525 500 MW Do-213ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 1 µA @ 4,5 V. 6.2 v 30 Ohm
JANTXV1N5518CUR-1/TR Microchip Technology Jantxv1n5518cur-1/tr 44.0363
RFQ
 ECAD 7361 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/437 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AA (GLAS) 500 MW Do-213aa - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv1n5518cur-1/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 5 µa @ 1 V 3.3 v 26 Ohm
GP10YHM3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10YHM3/73 - - -
RFQ
 ECAD 6585 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Band & Box (TB) Veraltet K. Loch Do-204Al, Do-41, axial GP10 Standard DO-204AL (DO-41) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1600 v 1,1 V @ 1 a 3 µs 5 µa @ 1600 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 5PF @ 4V, 1 MHz
MBR1050HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1050HC0G - - -
RFQ
 ECAD 8851 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobil, AEC-Q101 Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 MBR1050 Standard To-220ac Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 800 mV @ 10 a 100 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a - - -
BZX84C12CC-HF Comchip Technology BZX84C12CC-HF 0,0492
RFQ
 ECAD 7266 0.00000000 Comchip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5,42% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BZX84C12 350 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 641-BZX84C12CC-HFTR Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 a 100 na @ 8 v 12 v 25 Ohm
MM3Z56VT1 onsemi Mm3z56vt1 - - -
RFQ
 ECAD 3185 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Aktiv ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 300 MW SOD-323 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 50 NA @ 39.2 V. 56 v 200 Ohm
MUR305S R7 Taiwan Semiconductor Corporation MUR305S R7 - - -
RFQ
 ECAD 3548 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC Standard Do-214AB (SMC) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1801-MUR305SR7TR Ear99 8541.10.0080 850 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 875 mv @ 3 a 25 ns 5 µa @ 50 V -55 ° C ~ 175 ° C. 3a - - -
1N5364B/TR12 Microchip Technology 1N5364B/TR12 2.6850
RFQ
 ECAD 3718 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. K. Loch T-18, axial 1N5364 5 w T-18 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 1 a 500 NA @ 23.8 V. 33 v 10 Ohm
BZT52C75S Yangjie Technology BZT52C75S 0,0170
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Yangjie -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - ROHS -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 4617-BZT52C75str Ear99 3.000
S4PGHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division S4pghm3_a/i 0,1980
RFQ
 ECAD 9796 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automotive, AEC-Q101, ESMP® Band & Rollen (TR) Lets Kaufen Oberflächenhalterung To-277, 3-Powerdfn S4p Standard To-277a (SMPC) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 6.500 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 400 V 1,1 V @ 4 a 2,5 µs 10 µa @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 4a 30pf @ 4v, 1 MHz
1SMA5941BT3G onsemi 1SMA5941BT3G 0,4700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA 1SMA5941 1,5 w SMA Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 200 Ma 500 NA @ 35.8 V. 47 v 67 Ohm
MMBZ5234B-7-F Diodes Incorporated MMBZ5234B-7-F 0,1700
RFQ
 ECAD 388 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBZ5234 350 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 5 µa @ 4 V 6.2 v 7 Ohm
SMBG4763E3/TR13 Microsemi Corporation SMBG4763E3/TR13 - - -
RFQ
 ECAD 2580 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung DO-215AA, SMB Möwenflügel SMBG4763 2 w SMBG (Do-215AA) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 Ma 5 µA @ 69.2 V. 91 V 250 Ohm
ZGL41-200A-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZGL41-200A-E3/96 0,2020
RFQ
 ECAD 8641 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf ZGL41 1 w GL41 (Do-213AB) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1.500 1,5 V @ 200 Ma 1 µa @ 152 V 200 v 1200 Ohm
BZX84W-C30F Nexperia USA Inc. BZX84W-C30F 0,0245
RFQ
 ECAD 2272 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX84W Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 934660448135 Ear99 8541.10.0050 10.000 900 mv @ 10 mA 50 na @ 21 v 30 v 80 Ohm
SJPB-D4VR Sanken SJPB-D4VR - - -
RFQ
 ECAD 7559 0.00000000 Sanken - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 2-smd, j-Lead SJPB-D4 Schottky SJP Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 1.800 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 550 mV @ 1 a 100 µa @ 40 V -40 ° C ~ 150 ° C. 1a - - -
SMAZ5944B-E3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMAZ5944B-E3/5A 0,4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA SMAZ5944 500 MW Do-214AC (SMA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 7.500 1,5 V @ 200 Ma 1 µA @ 47,1 V 62 v 100 Ohm
BZT52C39 Diotec Semiconductor BZT52C39 0,0304
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 DITEC -halbleiter - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOD-123F 500 MW SOD-123F Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2796-BZT52C39TR 8541.10.0000 3.000 2 µa @ 30 V 39 v 100 Ohm
CDBFR0230R Comchip Technology CDBFR0230R 0,0805
RFQ
 ECAD 8206 0.00000000 Comchip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 1005 (2512 Metrik) CDBFR0230 Schottky 1005/SOD-323F Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 4.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 30 v 600 MV @ 200 Ma 1 µa @ 10 V 125 ° C (max) 200 ma - - -
1N5365AE3/TR8 Microchip Technology 1N5365AE3/TR8 2.6250
RFQ
 ECAD 3542 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C. K. Loch T-18, axial 1N5365 5 w T-18 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1.000 1,2 V @ 1 a 500 NA @ 25.9 V. 36 v 11 Ohm
JAN1N755D-1 Microchip Technology Jan1N755D-1 6.4950
RFQ
 ECAD 3092 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/127 Schüttgut Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N755 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 2 µa @ 5 V 7,5 v 6 Ohm
UDZS3V9B Taiwan Semiconductor Corporation UDZS3V9B 0,0416
RFQ
 ECAD 9325 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-90, SOD-323F UDZS3V9 200 MW SOD-323F Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 1801-udzs3v9btr Ear99 8541.10.0050 6.000 2,7 µa @ 1 V 3,9 v 90 Ohm
D1381S45TXPSA1 Infineon Technologies D1381S45TXPSA1 3.0000
RFQ
 ECAD 7651 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv Chassis -berg Do-200ad D1381S45 Standard - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 2 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 4500 v 2,6 V @ 2500 a 100 mA @ 4500 V -40 ° C ~ 140 ° C. 1630a - - -
JANTX1N4966 Microchip Technology JantX1N4966 7.7400
RFQ
 ECAD 7836 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/356 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch E, axial 1N4966 5 w Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 1 a 2 µa @ 16,7 V 22 v 5 Ohm
GDZ2V7B-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ2V7B-G3-08 0,0445
RFQ
 ECAD 1903 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Gdz-g Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 Gdz2v7 200 MW SOD-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 15.000 100 µa @ 1 V 2,7 v 110 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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