SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT)
UGA15120H Taiwan Semiconductor Corporation UGA15120H - - -
RFQ
ECAD 4578 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobil, AEC-Q101 Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 Standard To-220ac - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1801-uga15120h Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1200 V 2,9 V @ 15 a 65 ns 5 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 15a - - -
AZ23C6V8-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C6V8-HE3_A-08 - - -
RFQ
ECAD 5671 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101, AZ23 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 300 MW SOT-23-3 Herunterladen 112-AZ23C6V8-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 1 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 2 µa @ 4 V. 6,8 v 15 Ohm
BAS20-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. Bas20-au.r1_000a1 0,0189
RFQ
ECAD 4639 0.00000000 Panjit International Inc. Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bas20 Standard SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 120.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 150 v 1 V @ 100 mA 50 ns 1 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 200 ma 1,5PF @ 0V, 1 MHz
BZX84B10-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B10-HE3-08 0,2600
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automotive, AEC-Q101, BZX84 Band & Rollen (TR) Lets Kaufen ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BZX84B10 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 200 na @ 7 V 10 v 20 Ohm
SMBJ5387CHE3-TP Micro Commercial Co SMBJ5387CHE3-TP - - -
RFQ
ECAD 4195 0.00000000 Micro Commercial co - - - Schüttgut Veraltet ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB SMBJ5387 5 w Do-214AA (SMB) - - - 353-smbj5387che3-tp Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 1 a 500 na @ 144 v 190 v 450 Ohm
SS18-LTP Micro Commercial Co SS18-LTP 0,2300
RFQ
ECAD 34 0.00000000 Micro Commercial co - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA SS18 Schottky Do-214AC (SMA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 80 v 850 mV @ 1 a 50 µa @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 35PF @ 4V, 1 MHz
GBU401H Taiwan Semiconductor Corporation GBU401H - - -
RFQ
ECAD 5127 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobil, AEC-Q101 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-ESIP, GBU Standard GBU Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1801-GBU401H Ear99 8541.10.0080 1.000 1,1 V @ 4 a 5 µa @ 50 V 4 a Einphase 50 v
G1JS Yangjie Technology G1JS 0,0180
RFQ
ECAD 300 0.00000000 Yangjie -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - ROHS -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 4617-G1Jstr Ear99 3.000
SBR05M100BLP-7 Diodes Incorporated SBR05M100BLP-7 0,7900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-Powerudfn SBR05 Superbarriere U-DFN3030-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 630 MV @ 500 mA 25 µa @ 100 V 500 mA Einphase 100 v
VS-96-1028PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-96-1028PBF - - -
RFQ
ECAD 1597 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 112-VS-96-1028pbftr Veraltet 800
SZMMBZ5252BLT1G onsemi SZMMBZ5252BLT1G 0,2000
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Onsemi Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 SZMMBZ5252 225 MW SOT-23-3 (to-236) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 Na @ 18 V. 24 v 33 Ohm
SZ3C130 Diotec Semiconductor SZ3C130 0,1133
RFQ
ECAD 6887 0.00000000 DITEC -halbleiter - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf 3 w Melf Do-213ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2796-SZ3C130TR 8541.10.0000 5.000 1 µa @ 60 V 130 v 90 Ohm
MSDM200-16 Microsemi Corporation MSDM200-16 - - -
RFQ
ECAD 8372 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg M3-1 Standard M3-1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 1,45 V @ 200 a 500 µA @ 1600 V 200 a DRIPHASE 1,6 kv
JANTX1N3023CUR-1/TR Microchip Technology JantX1N3023CUR-1/Tr 33.2500
RFQ
ECAD 5021 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/115 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf (GLAS) 1 w Do-213AB (Melf, LL41) - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantx1n3023cur-1/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 10 µa @ 9,9 V 13 v 10 Ohm
CDLL6309 Microchip Technology CDLL6309 14.0250
RFQ
ECAD 6450 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213aa CDLL6309 500 MW Do-213aa - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen CDLL6309-mil Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 100 µa @ 1 V 2,4 v 30 Ohm
VUO55-18NO7 IXYS Vuo55-18no7 - - -
RFQ
ECAD 8167 0.00000000 Ixys - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg PWS-B Vuo55 Standard PWS-B Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 10 1,03 V @ 20 a 100 µa @ 1800 V 58 a DRIPHASE 1,8 kv
US5F-TP Micro Commercial Co US5F-TP 0,0954
RFQ
ECAD 5951 0.00000000 Micro Commercial co - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC US5F Standard SMC (Do-214AB) Herunterladen 353-us5f-tp Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 300 V 1,3 V @ 5 a 50 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a - - -
SMBJ5934B-TP Micro Commercial Co SMBJ5934B-TP 0,0890
RFQ
ECAD 7783 0.00000000 Micro Commercial co - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB SMBJ5934 1,5 w Do-214AA (SMB) Herunterladen 353-smbj5934b-tp Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 200 Ma 1 µA @ 18,2 V. 24 v 19 Ohm
SDT12A120P5Q-7D Diodes Incorporated SDT12A120P5Q-7D - - -
RFQ
ECAD 2117 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung PowerDi ™ 5 Schottky PowerDi ™ 5 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 1.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 120 v 800 mV @ 12 a 500 µA @ 120 V -55 ° C ~ 150 ° C. 12a - - -
CDZFHT2RA11B Rohm Semiconductor CDZFHT2RA11B 0,4100
RFQ
ECAD 250 0.00000000 Rohm Semiconductor Automotive, AEC-Q101, CDZFH Band & Rollen (TR) Nicht für Designs ± 2,09% 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOD-923 CDZFHT2 100 MW Vmn2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 8.000 100 na @ 8 v 10.99 v 30 Ohm
JAN1N3016C-1/TR Microchip Technology Jan1N3016C-1/Tr 21.1736
RFQ
ECAD 6103 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/115 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1 w Do-41 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jan1N3016C-1/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 150 µa @ 5,2 V 6,8 v 3,5 Ohm
BZD27B8V2P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B8V2P-M3-08 0,4200
RFQ
ECAD 51 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division BZD27B-M Band & Rollen (TR) Aktiv - - - -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-219AB BZD27B8V2 800 MW Do-219AB (SMF) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 Ma 10 µa @ 3 V 8.2 v 2 Ohm
GSR3000 Good-Ark Semiconductor GSR3000 0,3700
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Guten Halbler - - - Band & Rollen (TR) Aktiv K. Loch DO-204AC, DO-15, Axial Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit DO-204AC (Do-15) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 4.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 3000 v 3000 V @ 200 V | V. 200 mA @ 4 v K. Loch 200 ma 15PF @ 4V, 1 MHz
1N3613/TR Microchip Technology 1N3613/tr 5.2800
RFQ
ECAD 3552 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv K. Loch A, axial Standard A, axial Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-1n3613/tr Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 600 V 1,1 V @ 1 a 1 µa @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a - - -
3SBMC2F Semtech Corporation 3SBMC2f - - -
RFQ
ECAD 6111 0.00000000 Semtech Corporation - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic - - - K. Loch 4-sip 3SBM Standard - - - Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 1 1,1 V @ 3 a 2 µa @ 200 V. 3 a Einphase 200 v
MUR30040CT GeneSiC Semiconductor MUR30040CT 118.4160
RFQ
ECAD 2350 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower Mur30040 Standard Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) MUR30040CTGN Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 400 V 150a 1,5 V @ 100 a 90 ns 25 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GSIB1580-5402E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GSIB1580-5402E3/45 - - -
RFQ
ECAD 5210 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, GSIB-5S GSIB1580 Standard GSIB-5S - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 1 950 MV @ 7,5 a 10 µa @ 800 V 3.5 a Einphase 800 V
TS15P07G-K D2G Taiwan Semiconductor Corporation TS15P07G-K D2G - - -
RFQ
ECAD 9225 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, TS-6P Standard TS-6P Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen TS15P07G-KD2G Ear99 8541.10.0080 15 1,1 V @ 15 a 10 µa @ 1000 V 15 a Einphase 1 kv
AZ23B33HE3-TP Micro Commercial Co AZ23B33HE3-TP 0,4400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Micro Commercial co Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2,06% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 AZ23B33 300 MW SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 353-AZ23B33HE3-TPTR Ear99 8541.10.0050 3.000 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 100 NA @ 23.1 V. 33 v 80 Ohm
B380C800DM-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division B380C800DM-E3/45 0,6400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) K. Loch 4-EDIP (0,300 ", 7,62 mm) B380 Standard DFM Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 1 V @ 900 mA 10 µa @ 600 V 900 Ma Einphase 600 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus