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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PG152_R2_00001 | 0,0417 | ![]() | 4940 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | PG152 | Standard | Do-15 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 60.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,1 V @ 1,5 a | 1 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 25pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | YBS3010A | 0,4100 | ![]() | 6702 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, flaches blei | Standard | YBS | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 3.000 | 1 V @ 1,5 a | 5 µA @ 1000 V | 3 a | Einphase | 1 kv | ||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5257B_D87Z | - - - | ![]() | 8878 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ52 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 Na @ 25 V. | 33 v | 58 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | VS-MURB1620CTTRRP | - - - | ![]() | 5517 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Murb1620 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 8a | 975 mv @ 8 a | 35 ns | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||
![]() | S1D-13-F | 0,2800 | ![]() | 139 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | S1d | Standard | SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | Sbs808m-tl-e | - - - | ![]() | 4414 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | SBS808 | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG4754A/TR13 | - - - | ![]() | 2905 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | DO-215AA, SMB Möwenflügel | SMBG4754 | 2 w | SMBG (Do-215AA) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 29.7 V. | 39 v | 60 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | VS-10ETS12FP-M3 | 2.3200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | 10ets12 | Standard | To-220-2 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS-10ETS12FP-M3GI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 1,1 V @ 10 a | 50 µa @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | ||||||||||||||
![]() | Mmbz5250b-7-g | - - - | ![]() | 3952 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MMBZ5250B-7-GDI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRB1545CT-TP | 0,4637 | ![]() | 5365 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRB1545 | Schottky | D2pak | Herunterladen | 353-MBRB1545CT-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 15a | 840 mv @ 15 a | 100 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||
![]() | MBRA120LT3 | - - - | ![]() | 9415 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | MBRA120 | Schottky | SMA | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 395 mv @ 1 a | 200 µa @ 20 V | 1a | - - - | ||||||||||||||||
![]() | MBR680CT_T0_00001 | 0,7695 | ![]() | 5628 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | MBR680 | Schottky | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-MBR680CT_T0_00001 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 80 v | 6a | 800 mV @ 3 a | 50 µa @ 80 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||
CDll3035a | 15.3000 | ![]() | 7909 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL3035 | 1 w | Do-213ab | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 32.7 V. | 43 v | 70 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | 1N3293RA | 15.5000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-205AA, DO-8, Stud | Standard, Umgekehrte Polarität | Do-8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-1n3293ra | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 200 a | 50 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 150a | - - - | |||||||||||||||
![]() | BZG03C51TR3 | - - - | ![]() | 7972 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZG03C | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG03 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µa @ 39 V | 51 v | 60 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | SS2PH9HM3/84A | - - - | ![]() | 2396 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-220aa | SS2PH9 | Schottky | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 90 v | 800 mV @ 2 a | 1 µa @ 90 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 65PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | CDLL4901 | 29.7750 | ![]() | 2776 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | CDLL4901 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µa @ 8 V | 12,8 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | 8EWF04Strr | - - - | ![]() | 4928 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 8EWF04 | Standard | D-Pak (to-252aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,2 V @ 8 a | 140 ns | 100 µA @ 200 V. | -40 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||||||
![]() | BZX84B16_R1_00001 | 0,1900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 410 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-BZX84B16_R1_00001CT | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 NA @ 11.2 V. | 16 v | 40 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | SS19-M3/5AT | - - - | ![]() | 9550 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SS19 | Schottky | Do-214AC (SMA) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 90 v | - - - | 1a | - - - | |||||||||||||||||
![]() | 1 PMT4101CE3/TR13 | - - - | ![]() | 5486 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | PowerMite® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.00101 | 1 w | Do-216 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 6,24 V. | 8.2 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||
Jantxv1n6344us/tr | 22.4550 | ![]() | 5935 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | 150-Jantxv1n6344us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 52 v | 68 v | 155 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | M3Z16VC | 0,0294 | ![]() | 3276 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | M3Z16 | 200 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-M3Z16VCTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 100 Na @ 12 V. | 16 v | 40 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | 1SMA5922-AU_R1_000A1 | 0,4800 | ![]() | 125 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1SMA5922 | 1,5 w | SMA (Do-214AC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 5 µa @ 6 V | 7,5 v | 3 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | MSASC100H45HX/Tr | - - - | ![]() | 7178 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Thinkey ™ 1 | Schottky, Umgekehrte Polarität | Thinkey ™ 1 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSASC100H45HX/Tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 650 mv @ 100 a | 10 mA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 100a | - - - | |||||||||||||||||
![]() | GC15006-150E | - - - | ![]() | 2692 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tablett | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | Chip | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-GC15006-150E | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 0,14PF @ 20V, 1 MHz | Einzel | 22 v | 13 | C0/C20 | 1200 @ 4V, 50 MHz | ||||||||||||||||||
ER302_R2_00001 | 0,1296 | ![]() | 4349 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | ER302 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-ER302_R2_00001CT | Ear99 | 8541.10.0080 | 60.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 1 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 35PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | 70HF20 | 3.6600 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | Do-5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-70HF20 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,3 V @ 70 a | 200 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 70a | - - - | |||||||||||||||
MMBZ5246B-G3-08 | - - - | ![]() | 4364 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5246 | 225 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 100 Na @ 12 V. | 16 v | 17 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | BAS1602VH6327XTSA1 | 0,4300 | ![]() | 69 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BAS1602 | Standard | PG-SC79-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 80 v | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µa @ 75 V | 150 ° C (max) | 200 ma | 2PF @ 0V, 1MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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