SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit Strom - Max Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Ausfluss @ if, f
1N6624 Microchip Technology 1N6624 - - -
RFQ
ECAD 1575 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Tasche Abgebrochen bei Sic K. Loch A, axial Standard A, axial Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Q2110192 Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 990 v 1,55 V @ 500 mA 60 ns 500 NA @ 900 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 10v, 1 MHz
USL1B-AQ Diotec Semiconductor USL1B-AQ 0,1290
RFQ
ECAD 4139 0.00000000 DITEC -halbleiter - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOD-123F Standard SOD-123F (SMF) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2796-usl1b-Aqtr 8541.10.0000 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 1 V @ 1 a 50 ns 1 µa @ 100 V. -50 ° C ~ 150 ° C. 1a - - -
DDZ9691T-7 Diodes Incorporated DDZ9691T-7 0,4500
RFQ
ECAD 9595 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 DDZ9691 150 MW SOD-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 1 µa @ 5 V 6.2 v
FSQS05A065 KYOCERA AVX FSQS05A065 0,4050
RFQ
ECAD 6535 0.00000000 Kyocera avx - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 Full Pack Schottky To-220-2 Full-Mold Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 65 V 580 mv @ 5 a 400 µa @ 65 V -40 ° C ~ 150 ° C. 5a - - -
BZX55C10-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C10-TR 0,2300
RFQ
ECAD 47 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automotive, AEC-Q101, BZX55 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial BZX55C10 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 1,5 V @ 200 Ma 100 Na @ 7,5 V. 10 v 15 Ohm
1N1186RA Solid State Inc. 1N1186RA 2.5000
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Solid State Inc. - - - Kasten Aktiv Bolzenhalterung DO-203AA, DO-4, Stud Standard, Umgekehrte Polarität Do-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 2383-1n1186ra Ear99 8541.10.0080 10 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1,2 V @ 30 a -65 ° C ~ 200 ° C. 12a - - -
1N4752AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4752at/r 0,0600
RFQ
ECAD 15 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1 w Do-41 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2439-1n4752at/rtr 8541.10.0000 5.000 1,2 V @ 200 Ma 5 µA @ 25,1 V. 33 v 45 Ohm
R4260IL Microchip Technology R4260IL 102.2400
RFQ
ECAD 8448 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv Bolzenhalterung DO-205AA, DO-8, Stud Standard, Umgekehrte Polarität DO-205AA (DO-8) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-R4260IL Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 600 V 1,2 V @ 200 a 50 µa @ 600 V -65 ° C ~ 200 ° C. 125a - - -
BZT52C20SHE3-TP Micro Commercial Co BZT52C20SHE3-TP 0,3000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Micro Commercial co Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 BZT52C20 300 MW SOD-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 na @ 14 v 20 v 55 Ohm
MBRF5150H Taiwan Semiconductor Corporation MBRF5150H - - -
RFQ
ECAD 6639 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobil, AEC-Q101 Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 Full Pack Schottky ITO-220AC - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1801-MBRF5150H Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 150 v 1,02 V @ 5 a 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a - - -
MSRT25060A GeneSiC Semiconductor MSRT25060A 54.2296
RFQ
ECAD 1769 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MSRT25060 Standard Drei -Turf - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 25 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 600 V 250a (DC) 1,2 V @ 250 a 15 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBR1060CT Diodes Incorporated MBR1060CT - - -
RFQ
ECAD 1716 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 MBR106 Schottky To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 60 v 10a 950 mv @ 10 a 100 µa @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C.
1N4256SM Microchip Technology 1N4256SM 12.9000
RFQ
ECAD 5945 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SQ-Melf, s Standard S, SQ-Melf Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 150-1N4256SM Ear99 8541.10.0070 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 2500 V 3,5 V @ 100 Ma 1 µa @ 2500 V -65 ° C ~ 175 ° C. 250 Ma - - -
PN411411 Powerex Inc. PN411411 - - -
RFQ
ECAD 6981 0.00000000 Powerex Inc. - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg POW-R-BLOK ™ -MODUL Standard POW-R-BLOK ™ -MODUL Herunterladen ROHS -KONFORM Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 1400 v 1200a 1,25 V @ 3000 a 22 µs 200 mA @ 1400 V -40 ° C ~ 150 ° C.
CDLL4148/TR Microchip Technology CDLL4148/Tr 3.1654
RFQ
ECAD 2319 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-213aa Standard Do-213aa - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-cdll4148/tr Ear99 8541.10.0070 1 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 75 V 1 V @ 200 Ma 20 ns 500 NA @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C. 200 ma 4PF @ 0V, 1MHz
JAN1N3823DUR-1/TR Microchip Technology Jan1n3823dur-1/tr 39.5143
RFQ
ECAD 7265 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/115 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf (GLAS) 1 w Do-213AB (Melf, LL41) - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jan1n3823dur-1/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 25 µa @ 1 V 3,9 v 9 Ohm
SB007W03C-TB-E onsemi SB007W03C-TB-E 0,1000
RFQ
ECAD 372 0.00000000 Onsemi * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 3 (168 Stunden) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0070 3.000
MMSZ15T3G onsemi MMSZ15T3G - - -
RFQ
ECAD 3252 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 MMSZ15 500 MW SOD-123 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 900 mv @ 10 mA 50 na @ 10,5 V. 15 v 30 Ohm
NTE5204A NTE Electronics, Inc NTE5204A 12.8800
RFQ
ECAD 123 0.00000000 NTE Electronics, Inc. - - - Tasche Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Chassis, Stollenberg DO-203AA, DO-4, Stud 10 w Do-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 2368-NTE5204A Ear99 8541.10.0050 1 36 v 10 Ohm
MBR7545 Solid State Inc. MBR7545 10.6670
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Solid State Inc. - - - Schüttgut Aktiv Bolzenhalterung DO-203AB, DO-5, Stud Schottky Do-5 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 2383-MBR7545 Ear99 8541.10.0080 10 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 45 V - - - 75a - - -
VS-45APS16LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-45APS16LHM3 3.9300
RFQ
ECAD 158 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Klebeband (CT) Schneiden Aktiv K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 45APS16 Standard To-247ad (to-3p) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 25 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1600 v 1,16 V @ 45 a 100 µa @ 1600 V -40 ° C ~ 150 ° C. 45a - - -
KBJL602G-BP Micro Commercial Co KBJL602G-BP - - -
RFQ
ECAD 2300 0.00000000 Micro Commercial co - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C. K. Loch 4-SIP, KBJL KBJL602 Standard KBJL - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 2.400 1 V @ 3 a 5 µa @ 200 V. 6 a Einphase 200 v
BZX84C56LT1G onsemi BZX84C56LT1G 0,1400
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Onsemi BZX84CXXXLT1G Band & Rollen (TR) Aktiv ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BZX84C56 225 MW SOT-23-3 (to-236) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 50 NA @ 39.2 V. 56 v 200 Ohm
1N5254B-TP Micro Commercial Co 1n5254b-tp - - -
RFQ
ECAD 3283 0.00000000 Micro Commercial co - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N5254 500 MW Do-35 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 1,1 V @ 200 Ma 100 na @ 21 V 27 v 41 Ohm
KBL08-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBL08-E4/51 2.9800
RFQ
ECAD 4995 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Schüttgut Aktiv -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-sip, kbl KBL08 Standard Kbl Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 300 1,1 V @ 4 a 5 µa @ 800 V 4 a Einphase 800 V
GC4430-00 Microchip Technology GC4430-00 - - -
RFQ
ECAD 7520 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Tablett Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C. Sterben Chip - - - UnberÜHrt Ereichen 150-GC4430-00 Ear99 8541.10.0040 1 50 ma 0,1PF @ 50V, 1 MHz Pin - Single 300 V 1,5OHM @ 100 mA, 100 MHz
201CMQ045 SMC Diode Solutions 201cmq045 52.9162
RFQ
ECAD 5051 0.00000000 Smc -Diodenlösungen - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg PRM4 201cmq Schottky PRM4 (Isolier) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen 201CMQ045SMC Ear99 8541.10.0080 9 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 45 V 100a 670 mv @ 100 a 10 mA @ 45 V -55 ° C ~ 175 ° C.
CD3824 Microchip Technology CD3824 4.0650
RFQ
ECAD 5857 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Sterben 1 w Sterben - - - UnberÜHrt Ereichen 150-CD3824 Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 5 µa @ 1 V 4.3 v 9 Ohm
SMMD810-SOD323 MACOM Technology Solutions SMMD810-SOD323 - - -
RFQ
ECAD 4237 0.00000000 Macom Technology Solutions - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TA) SC-76, SOD-323 SMMD810 SOD-323 - - - 1 (unbegrenzt) 1465-smmd810-SOD323 1 150 Ma 250 MW 2,5PF @ 6v, 1 MHz Pin - Single 50V - - -
JANTX1N3037B-1/TR Microchip Technology JantX1N3037B-1/Tr 9.0573
RFQ
ECAD 4716 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/115 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1 w Do-41 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-JantX1N3037B-1/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 10 µA @ 38,8 V. 51 v 95 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus