SIC
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Dioden (166326)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT)
JANTX1N6777 Microchip Technology JantX1N6777 - - -
RFQ
 ECAD 2878 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-257-3 Standard To-257 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 1,15 V @ 15 a 35 ns 10 µa @ 800 mV -65 ° C ~ 150 ° C. 15a 300PF @ 5V, 1 MHz
PTV20B-E3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division PTV20B-E3/84A - - -
RFQ
 ECAD 8810 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division ESMP® Band & Rollen (TR) Veraltet ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-220aa PTV20 600 MW DO-220AA (SMP) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,5 V @ 200 Ma 10 µa @ 15 V 21.2 v 14 Ohm
MMBZ5223BTS-7-F Diodes Incorporated MMBZ5223BTS-7-F 0,1300
RFQ
 ECAD 8955 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMBZ5223 200 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 3 Unabhängig 900 mv @ 10 mA 75 µa @ 1 V 2,7 v 30 Ohm
C6D10065E-TR Wolfspeed, Inc. C6D10065E-tr 2.7999
RFQ
 ECAD 3711 0.00000000 Wolfspeed, Inc. Z-REC® Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 C6D10065 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-252-2 - - - 1697-c6d10065e-tr 800 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,5 V @ 10 a 0 ns 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 35a 611pf @ 0v, 1 MHz
S3J V7G Taiwan Semiconductor Corporation S3J V7G 0,8200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Klebeband (CT) Schneiden Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC S3J Standard Do-214AB (SMC) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 850 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 600 V 1,15 V @ 3 a 1,5 µs 10 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 60pf @ 4v, 1 MHz
3EZ47D2/TR12 Microsemi Corporation 3EZ47D2/TR12 - - -
RFQ
 ECAD 5196 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 3EZ47 3 w DO-204AL (DO-41) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 4.000 1,2 V @ 200 Ma 500 NA @ 35.6 V. 47 v 38 Ohm
MMBZ4707-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4707-G3-08 - - -
RFQ
 ECAD 1779 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBZ4707 350 MW SOT-23-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 15.000 10 Na @ 15,2 V. 20 v
1N4965US/TR Microchip Technology 1N4965us/tr 8.3125
RFQ
 ECAD 5573 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung SQ-Melf, e 5 w D-5b - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-1n4965us/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 1 a 2 µa @ 15,2 V 20 v 4,5 Ohm
1PGSMC5358 V7G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5358 V7G - - -
RFQ
 ECAD 3629 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC 1PGSMC 5 w Do-214AB (SMC) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1801-1pgsmc5358v7gtr Ear99 8541.10.0050 850 500 NA @ 16.7 V. 22 v 4 Ohm
CD754D Microchip Technology CD754d - - -
RFQ
 ECAD 8186 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Sterben 500 MW Sterben - - - UnberÜHrt Ereichen 150-cd754d Ear99 8541.10.0050 223 1,5 V @ 200 Ma 2 µa @ 4 V. 6,8 v 5 Ohm
CD4687 Microchip Technology CD4687 2.3408
RFQ
 ECAD 3889 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Sterben 500 MW Sterben Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-CD4687 Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 200 Ma 4 µa @ 2 V. 4.3 v
VS-HFA16TB120SRHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA16TB120SRHM3 2.2505
RFQ
 ECAD 2645 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automotive, AEC-Q101, Hexfred® Rohr Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab HFA16 Standard To-263ab (d²pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 800 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1200 V 3 V @ 16 a 90 ns 20 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 16a - - -
NTE5994 NTE Electronics, Inc NTE5994 10.8000
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 NTE Electronics, Inc. - - - Tasche Aktiv Bolzenhalterung DO-203AA, DO-5, Stud Standard Do-5 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 2368-NTE5994 Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 600 V 1,3 V @ 40 a 9 ma @ 600 V -65 ° C ~ 190 ° C. 40a - - -
MMSZ4713-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4713-G3-08 0,0409
RFQ
 ECAD 1929 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 MMSZ4713 500 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 15.000 10 NA @ 22,8 V. 30 v
SK15BHR5G Taiwan Semiconductor Corporation SK15BHR5G - - -
RFQ
 ECAD 6207 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB SK15 Schottky Do-214AA (SMB) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 850 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 750 mV @ 1 a 500 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a - - -
1N3331RB Solid State Inc. 1N3331RB 8.5000
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Solid State Inc. - - - Kasten Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Bolzenhalterung DO-203AB, DO-5, Stud 50 w Do-5 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 2383-1n3331RB Ear99 8541.10.0080 10 1,5 V @ 10 a 5 µa @ 38 V 50 v 5 Ohm
MBR200150CTR GeneSiC Semiconductor MBR200150Ctr 90.1380
RFQ
 ECAD 1591 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Twin Tower MBR200150 Schottky Twin Tower Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 40 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 150 v 100a 880 mv @ 100 a 3 ma @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C.
16F140 Solid State Inc. 16f140 1.6670
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Solid State Inc. - - - Schüttgut Aktiv Bolzenhalterung DO-203AA, DO-4, Stud Standard Do-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 2383-16f140 Ear99 8541.10.0080 10 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1400 v 1,2 V @ 16 a 10 µa @ 1400 V -65 ° C ~ 150 ° C. 16a - - -
VIT3060C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vit3060C-E3/4W 0,6326
RFQ
 ECAD 6685 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division TMBS® Rohr Aktiv K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa Vit3060 Schottky To-262aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Vit3060C-E3/4WGI Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 60 v 15a 700 mv @ 15 a 1,2 mA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C.
BZX585B33 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B33 RKG - - -
RFQ
 ECAD 9510 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 BZX585B3 200 MW SOD-523F Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 45 na @ 23 v 33 v 80 Ohm
IDC51D120T6MX1SA3 Infineon Technologies IDC51D120T6MX1SA3 - - -
RFQ
 ECAD 7807 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung Sterben IDC51D120 Standard Sägen auf Folie Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP000375000 Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1200 V 2.05 V @ 100 a 18 µa @ 1200 V -40 ° C ~ 175 ° C. 100a - - -
1PGSMB5955H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5955H 0,1798
RFQ
 ECAD 8988 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB 3 w Do-214AA (SMB) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 136,8 V. 180 v 900 Ohm
BZX55C7V5_T50R onsemi BZX55C7V5_T50R - - -
RFQ
 ECAD 3300 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial BZX55C7 500 MW Do-35 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 5.000 1,3 V @ 100 mA 100 na @ 5 v 7,5 v 7 Ohm
1PMT4122C/TR13 Microchip Technology 1 PMT4122C/TR13 1.2450
RFQ
 ECAD 2716 0.00000000 Mikrochip -technologie PowerMite® Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-216aa 1PMT4122 1 w Do-216 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 12.000 1,1 V @ 200 Ma 10 NA @ 27.38 V. 36 v 200 Ohm
GDZ12LP3Q-7 Diodes Incorporated GDZ12LP3Q-7 0,0498
RFQ
 ECAD 5930 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 0201 (0603 Metrik) 250 MW X3-DFN0603-2 Herunterladen 31-GDZ12LP3Q-7 Ear99 8541.10.0050 10.000 100 na @ 8 v 12 v
AZ23C6V2Q Yangjie Technology AZ23C6v2q 0,0460
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Yangjie -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Herunterladen ROHS -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 4617-AZ23C6v2qtr Ear99 3.000
BZX84-C9V1/DG/B3,2 Nexperia USA Inc. BZX84-C9V1/DG/B3,2 - - -
RFQ
 ECAD 7763 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 250 MW To-236ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 934065288235 Ear99 8541.10.0050 10.000 900 mv @ 10 mA 500 na @ 6 v 9.05 v 15 Ohm
BZT52C43-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C43-E3-18 0,0360
RFQ
 ECAD 2760 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division BZT52 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 BZT52C43 410 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 100 na @ 32 V 43 v 97 Ohm
BZT52-C75,118 Nexperia USA Inc. BZT52-C75,118 - - -
RFQ
 ECAD 8061 0.00000000 Nexperia USA Inc. * Schüttgut Aktiv BZT52 Herunterladen 0000.00.0000 1
1SMA4753-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. 1SMA4753-AU_R1_000A1 0,0648
RFQ
 ECAD 2441 0.00000000 Panjit International Inc. Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA 1SMA4753 1 w SMA (Do-214AC) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 180.000 100 NA @ 27,4 V. 36 v 50 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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196-LFBGA Expositionspad

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