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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RBQ20T45ANZC9 | 1,5000 | ![]() | 995 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RBQ20 | Schottky | To-220fn | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 10a | 650 mv @ 10 a | 140 µa @ 45 V | 150 ° C. | ||||||||||
![]() | SML4728-E3/61 | - - - | ![]() | 4739 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SML4728 | 1 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 100 µa @ 1 V | 3.3 v | 10 Ohm | ||||||||||||
![]() | M3Z3v6c | 0,0294 | ![]() | 4606 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | M3Z3 | 200 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-M3Z3v6ctr | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 10 µa @ 1 V | 3.6 V | 85 Ohm | ||||||||||||
![]() | MMSZ4682-HE3-08 | 0,2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ4682 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µa @ 1 V | 2,7 v | |||||||||||||
MMBZ5245B-E3-08 | 0,2100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5245 | 225 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 11 v | 15 v | 600 Ohm | |||||||||||||
![]() | 1N4246us | 7.3650 | ![]() | 4629 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf | Standard | Melf-1 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4246us | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 3 a | 5 µs | 1 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||
1N6315us | 14.4600 | ![]() | 7185 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 1N6315 | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 2 µa @ 1 V | 4.3 v | 20 Ohm | |||||||||||||
Jan1N4977us | 9.2100 | ![]() | 9441 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 1N4977 | 5 w | D-5b | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 47,1 V | 62 v | 42 Ohm | ||||||||||||
![]() | BZD27B5V6P-E3-08 | 0,1155 | ![]() | 6049 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZD27B | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27B5v6 | 800 MW | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 30.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 2 V | 5.6 v | 4 Ohm | |||||||||||
![]() | V2PM6L-M3/i | 0,0820 | ![]() | 3117 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-220aa | V2PM6 | Schottky | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 112-V2PM6L-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 630 mv @ 2 a | 200 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 250pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | VBT3060G-E3/4W | 0,5483 | ![]() | 2959 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | VBT3060 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 15a | 730 MV @ 15 a | 850 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | Jantx1n4991us.tr | - - - | ![]() | 1430 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf | 5 w | - - - | Herunterladen | 600-Jantx1n4991us.tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 250 | 2 µa @ 182 V | 240 V | 650 Ohm | |||||||||||||||
S1BLHRTG | - - - | ![]() | 9643 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | S1B | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,1 V @ 1 a | 1,8 µs | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 9pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | BZG03C110TR3 | - - - | ![]() | 4512 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZG03C | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG03 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µa @ 82 V | 110 v | 250 Ohm | |||||||||||
1n5536a/tr | 1.9950 | ![]() | 1437 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5536a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 477 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 13 v | 16 v | |||||||||||||||
![]() | VS-30CPU04-N3 | 6.5200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | 30cpu04 | Standard | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 400 V | 15a | 1,25 V @ 15 a | 46 ns | 10 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||
![]() | SFA1004GHC0G | - - - | ![]() | 2063 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SFA1004 | Standard | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 975 mv @ 10 a | 35 ns | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 70pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | 3EZ3.6D10E3/TR12 | - - - | ![]() | 8303 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 3ez3.6 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 3.6 V | ||||||||||||||
![]() | JantXV1N3008RB | - - - | ![]() | 2241 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/124 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | 10 w | Do-213aa (do-4) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 a | 10 µa @ 91,2 V | 120 v | 75 Ohm | |||||||||||||
![]() | Jantxv1n968cur-1/Tr | 17.3166 | ![]() | 8670 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n968cur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 15 V. | 20 v | 25 Ohm | ||||||||||||
![]() | SZMMSZ24T1G | 0,4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | SZMMSZ24 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 Na @ 16,8 V. | 24 v | 70 Ohm | |||||||||||
![]() | PMEG3020EGW115 | 0,0500 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C20-TP | 0,2000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84C20 | 350 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 14 v | 20 v | 55 Ohm | |||||||||||
![]() | CDBER42 | 0,0667 | ![]() | 3229 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 0503 (1308 Metrik) | Schottky | 0503/SOD-723F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 4.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 1 V @ 200 Ma | 5 ns | 500 NA @ 25 V. | 125 ° C (max) | 200 ma | 10pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | JantX1N3045DUR-1 | 46.6950 | ![]() | 7317 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1n3045 | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µA @ 83,6 V | 110 v | 450 Ohm | |||||||||||
![]() | 2EZ30D10/TR12 | - - - | ![]() | 8931 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 2EZ30 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 22,5 V. | 30 v | 20 Ohm | |||||||||||
![]() | 1N4984 | 5.0000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | SOD-57, axial | 5 w | SOD-57 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-1n4984 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 2 µA @ 91,2 V. | 120 v | 170 Ohm | ||||||||||||
![]() | VS-15ETL06STRL-M3 | 0,7343 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 15tl06 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,05 V @ 15 a | 270 ns | 10 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - - - | |||||||||
![]() | SS22H | - - - | ![]() | 5899 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Schottky | Do-214AA (SMB) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-SS22HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 500 mV @ 2 a | 400 µA @ 20 V. | -55 ° C ~ 125 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||
![]() | MR1130R | 1.9500 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | Do-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-MR1130R | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1 V @ 12 a | 500 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 12a | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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