SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT)
STPR1620 Diodes Incorporated STPR1620 0,7588
RFQ
ECAD 6481 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 STPR16 Standard To220ab (Typ WX) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-STPR1620 Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 8a 1,1 V @ 8 a 30 ns 10 µA @ 200 V. -55 ° C ~ 150 ° C.
1N4006G SMC Diode Solutions 1N4006G 0,0318
RFQ
ECAD 7609 0.00000000 Smc -Diodenlösungen - - - Band & Rollen (TR) Aktiv K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N400 Standard Do-41 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen 1N4006GSMC Ear99 8541.10.0080 5.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 800 V 1 V @ 1 a 5 µa @ 800 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 8PF @ 4V, 1 MHz
1N3518A Microchip Technology 1N3518a 2.4900
RFQ
ECAD 5408 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N3518 500 MW Do-35 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 1 v 7 Ohm
1N6026UR/TR Microchip Technology 1N6026ur/tr 3.7350
RFQ
ECAD 3384 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-213aa 500 MW Do-213aa - - - 150-1n6026ur/tr Ear99 8541.10.0050 264 1,1 V @ 200 Ma 120 v
PLZ11A-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ11A-HG3_A/H. 0,3600
RFQ
ECAD 7031 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101, Plz Band & Rollen (TR) Aktiv ± 3% 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-219AC PLZ11 500 MW Do-219AC (microSMF) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 4.500 900 mv @ 10 mA 200 na @ 8 v 11 v 10 Ohm
PZS5243BCH_R1_00001 Panjit International Inc. PZS5243BCH_R1_00001 0,3200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-90, SOD-323F PZS5243 500 MW SOD-323HE Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 3757-PZS5243BCH_R1_00001DKR Ear99 8541.10.0050 5.000 100 na @ 32 V 43 v 100 Ohm
RBR30NS60AFHTL Rohm Semiconductor RBR30NS60AFHTL 1.5700
RFQ
ECAD 680 0.00000000 Rohm Semiconductor Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab RBR30 Schottky LPDs Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 60 v 30a 670 mv @ 15 a 600 µa @ 60 V 150 ° C (max)
JAN1N4970CUS Microchip Technology Jan1N4970CUS 23.5500
RFQ
ECAD 1640 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/356 Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung SQ-Melf, e 1N4970 5 w D-5b Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 1 a 2 µA @ 25,1 V. 33 v 10 Ohm
BZX84-B33/DG/B2,21 Nexperia USA Inc. BZX84-B33/DG/B2,21 - - -
RFQ
ECAD 3335 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 250 MW To-236ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 934062526215 Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 50 na @ 23.1 v 33 v 80 Ohm
SS12HE3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS12HE3/61T - - -
RFQ
ECAD 9777 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA SS12 Schottky Do-214AC (SMA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.800 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 20 v 500 mV @ 1 a 200 µa @ 20 V -65 ° C ~ 125 ° C. 1a - - -
JANTX1N6772 Microchip Technology JantX1N6772 - - -
RFQ
ECAD 6737 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-257-3 Standard To-257 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 400 V 1,6 V @ 8 a 60 ns 10 µa @ 320 V - - - 8a 200pf @ 5v, 1 MHz
BZX84C39HE3-TP Micro Commercial Co BZX84C39HE3-TP 0,2700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Micro Commercial co Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BZX84C39 350 MW SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 353-BZX84C39HE3-TPTR Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 NA @ 27,3 V. 39 v 130 Ohm
1N5380AE3/TR12 Microsemi Corporation 1N5380AE3/TR12 - - -
RFQ
ECAD 7431 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C. K. Loch T-18, axial 1N5380 5 w T-18 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 1 a 500 NA @ 86.4 V. 120 v 170 Ohm
G3S12040B Global Power Technology-GPT G3S12040B 46.4400
RFQ
ECAD 4306 0.00000000 Global Power Technology-GPT - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv K. Loch To-247-3 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247ab Herunterladen 1 (unbegrenzt) Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 1200 V 64,5a (DC) 1,7 V @ 15 a 0 ns 50 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
VS-MBR1635-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBR1635-M3 0,7077
RFQ
ECAD 4287 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 MBR1635 Schottky To-220ac Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 35 V 630 mv @ 16 a 200 µA @ 35 V -65 ° C ~ 150 ° C. 16a 1400pf @ 5v, 1 MHz
BZX384C2V7-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C2V7-G3-18 0,0389
RFQ
ECAD 5651 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Bzx384-g Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 BZX384C2V7 200 MW SOD-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 20 µa @ 1 V 2,7 v 100 Ohm
BZX84C4V3-7-F Diodes Incorporated BZX84C4V3-7-F 0,1500
RFQ
ECAD 82 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bzx84 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 3 µa @ 1 V 4.3 v 90 Ohm
1N5542A/TR Microchip Technology 1n5542a/tr 3.2550
RFQ
ECAD 5068 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-1n5542a/tr Ear99 8541.10.0050 290 1,1 V @ 200 Ma 10 na @ 20 V 24 v
SMD310HE1-TP Micro Commercial Co Smd310he1-tp 0,0705
RFQ
ECAD 4747 0.00000000 Micro Commercial co - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SOD-123H SMD310 Schottky SOD-123HE1 Herunterladen 353-smd310he1-tp Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 800 mV @ 3 a 10 µa @ 100 V. -55 ° C ~ 125 ° C. 3a - - -
ST3060A Microchip Technology ST3060A 63,3000
RFQ
ECAD 8193 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-204aa, to-3 ST3060 Standard To-204aa (to-3) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-St3060a Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 600 V 30a 5 µs 25 µa @ 600 V - - -
1N6315US/TR Microchip Technology 1N6315us/tr 12.9941
RFQ
ECAD 6121 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/533 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SQ-Melf, b 500 MW B, SQ-Melf Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-1n6315us/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,4 V @ 1 a 2 µa @ 1 V 4.3 v 20 Ohm
JAN1N4618D-1 Microchip Technology Jan1N4618D-1 11.8350
RFQ
ECAD 8441 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/435 Schüttgut Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N4618 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 500 na @ 1 v 2,7 v 1500 Ohm
BZG03B33-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B33-HM3-18 0,2310
RFQ
ECAD 5284 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101, BZG03B-M Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA BZG03B33 1,25 w Do-214AC (SMA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 6.000 1,2 V @ 500 mA 1 µA @ 24 V. 33 v 15 Ohm
S2090 Microchip Technology S2090 33.4500
RFQ
ECAD 8148 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-s2090 1
TZX3V6B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX3V6B-TAP 0,0290
RFQ
ECAD 2819 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automotive, AEC-Q101, TZX Band & Box (TB) Aktiv - - - -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial Tzx3v6 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 30.000 1,5 V @ 200 Ma 5 µa @ 1 V 3.6 V 100 Ohm
UZ1616/TR Microchip Technology UZ1616/Tr 69.1500
RFQ
ECAD 9387 0.00000000 Mikrochip -technologie * Band & Rollen (TR) Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-uz1616/tr Ear99 8541.10.0050 100
CPH5513-TL-E onsemi CPH5513-TL-E 0,2700
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Onsemi * Schüttgut Aktiv Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000
HZ5A3-E Renesas Electronics America Inc Hz5a3-e 0,1100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Renesas Electronics America Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1
SRAF1640 Taiwan Semiconductor Corporation SRAF1640 - - -
RFQ
ECAD 5946 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 Full Pack Schottky ITO-220AC - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1801-SRAF1640 Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 550 mv @ 16 a 500 µa @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 16a - - -
BZT52B6V2JSHE3-TP Micro Commercial Co BZT52B6V2JSHE3-TP 0,3500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Micro Commercial co Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 BZT52B6 200 MW SOD-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 353-BZT52B6V2JSHE3-TPTR Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 3 µa @ 4 V. 6.2 v 10 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus