SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT)
1SS294-TP Micro Commercial Co 1SS294-TP 0,0621
RFQ
ECAD 2989 0.00000000 Micro Commercial co - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 1SS294 Schottky SOT-23 Herunterladen 353-1SS294-TP Ear99 8541.10.0070 1 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 40 v 540 mv @ 100 mA 5 µa @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 100 ma 18PF @ 0V, 1 MHz
BZX84J-B24,115 Nexperia USA Inc. BZX84J-B24,115 0,3600
RFQ
ECAD 291 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-90, SOD-323F BZX84J-B24 550 MW SOD-323F Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 50 Na @ 16,8 V. 24 v 30 Ohm
MMBZ5237B-7-F Diodes Incorporated MMBZ5237B-7-F 0,1700
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBZ5237 350 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 3 µA @ 6,5 V. 8.2 v 8 Ohm
MBRF10150 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF10150 C0G - - -
RFQ
ECAD 3063 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Rohr Abgebrochen bei Sic K. Loch To-220-2 Full Pack MBRF1015 Schottky ITO-220AC Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 150 v 1,05 V @ 10 a 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a - - -
PDZ3.6B,115 NXP Semiconductors Pdz3.6b, 115 0,0200
RFQ
ECAD 24 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv ± 2% 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 400 MW SOD-323 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-PDZ3.6B, 115-954 Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 100 mA 5 µa @ 1 V 3.6 V 90 Ohm
1N2131A Microchip Technology 1n2131a 74.5200
RFQ
ECAD 2061 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv Bolzenhalterung DO-203AB, DO-5, Stud Standard DO-5 (DO-203AB) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 150-1n2131a Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 200 v 1,25 V @ 200 a 25 µA @ 200 V. -65 ° C ~ 200 ° C. 70a - - -
DZ23C9V1 Yangjie Technology DZ23C9V1 0,0240
RFQ
ECAD 300 0.00000000 Yangjie -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 300 MW SOT-23 - - - ROHS -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 4617-DZ23C9V1TR Ear99 3.000 1 Paar Gemeinsamer Kathode 9.1 v 10 Ohm
SBR2M30P1-7 Diodes Incorporated SBR2M30P1-7 0,4400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung PowerDI®123 SBR2M30 Superbarriere PowerDi ™ 123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 30 v 460 mv @ 2 a 200 µA @ 30 V. -65 ° C ~ 175 ° C. 2a - - -
SDT15150VP5-7 Diodes Incorporated SDT15150VP5-7 0,2610
RFQ
ECAD 8782 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung PowerDi ™ 5 Schottky PowerDi ™ 5 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-SDT15150VP5-7TR Ear99 8541.10.0080 1.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 150 v 1 V @ 15 a 80 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 15a - - -
PZ1AH7V5B_R1_00001 Panjit International Inc. PZ1AH7V5B_R1_00001 0,0648
RFQ
ECAD 5421 0.00000000 Panjit International Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOD-123H PZ1AH7V5 1 w SOD-123HE Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 501.000 10 µa @ 3 V 7,5 v 2 Ohm
BZX284-C30,115 NXP USA Inc. BZX284-C30,115 - - -
RFQ
ECAD 3462 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-110 Bzx284 400 MW SOD-110 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 50 na @ 21 v 30 v 40 Ohm
50WQ04FNTR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 50WQ04FNTR - - -
RFQ
ECAD 9180 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 50 WQ04 Schottky D-Pak (to-252aa) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 2.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 510 mv @ 5 a 3 ma @ 40 v -40 ° C ~ 150 ° C. 5.5a 405PF @ 5V, 1 MHz
JANTX1N3050BUR-1/TR Microchip Technology JantX1N3050BUR-1/Tr - - -
RFQ
ECAD 2097 0.00000000 Mikrochip -technologie MIL-PRF-19500/115 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf (GLAS) 1,5 w Do-213AB (Melf, LL41) - - - 150-Jantx1n3050bur-1/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 500 NA @ 136,8 V. 180 v 1200 Ohm
S5A R6 Taiwan Semiconductor Corporation S5A R6 - - -
RFQ
ECAD 8672 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC Standard Do-214AB (SMC) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1801-s5ar6tr Ear99 8541.10.0080 3.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 50 v 1,15 V @ 5 a 1,5 µs 10 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a 60pf @ 4v, 1 MHz
40HF140 Solid State Inc. 40HF140 3.1500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Solid State Inc. - - - Schüttgut Aktiv Bolzenhalterung DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 2383-40HF140 Ear99 8541.10.0080 10 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1400 v 1,3 V @ 40 a 100 µa @ 1400 V -65 ° C ~ 150 ° C. 40a - - -
PTV33B-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division PTV33B-M3/84A 0,4200
RFQ
ECAD 9673 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division ESMP® Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6% 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-220aa PTV33 600 MW DO-220AA (SMP) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,5 V @ 200 Ma 10 µa @ 25 V. 35 V 18 Ohm
BZX84C27Q Yangjie Technology BZX84C27Q 0,0250
RFQ
ECAD 300 0.00000000 Yangjie -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - ROHS -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 4617-BZX84C27qtr Ear99 3.000
DPAD2 TO-72 4L Linear Integrated Systems, Inc. DPAD2 TO-72 4L 6.6800
RFQ
ECAD 1788 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. DPAD Schüttgut Aktiv K. Loch To-206af, bis 72-4 Metall Kann Standard To-72-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0080 500 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 2 Unabhängig 45 V 50 ma 1,5 V @ 1 mA 2 pa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
DZ23C15-7-F Diodes Incorporated DZ23C15-7-F 0,4500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DZ23 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1 Paar Gemeinsamer Kathode 15 v 30 Ohm
MUR1560 Good-Ark Semiconductor MUR1560 1.0100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Guten Halbler - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 Standard To-220ac Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 4786-MUR1560 Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,9 V @ 15 a 50 ns 10 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 15a - - -
JAN1N3339RB Microchip Technology Jan1N3339RB - - -
RFQ
ECAD 3883 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/358 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Bolzenhalterung DO-203AB, DO-5, Stud 50 w Do-5 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 10 a 10 µA @ 69.2 V. 91 V 15 Ohm
1N5987B_T50A onsemi 1N5987B_T50A - - -
RFQ
ECAD 9193 0.00000000 Onsemi - - - Band & Box (TB) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N5987 500 MW Do-35 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 5.000 1,2 V @ 200 Ma 50 µa @ 1 V 3 v 95 Ohm
MP685-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MP685-E3/54 - - -
RFQ
ECAD 9923 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Veraltet K. Loch Do-204Al, Do-41, axial MP685 Standard DO-204AL (DO-41) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 5.500 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 600 V - - - 1a - - -
1N3912R Microchip Technology 1N3912R 48.5400
RFQ
ECAD 2681 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv Bolzenhalterung DO-203AB, DO-5, Stud 1N3912 Standard, Umgekehrte Polarität DO-203AB (DO-5) Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 300 V 1,4 V @ 50 a 200 ns 15 µa @ 300 V -65 ° C ~ 150 ° C. 50a - - -
BZX79-B5V6,113 Nexperia USA Inc. BZX79-B5V6,113 0,2100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial BZX79-B5V6 400 MW ALF2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 900 mv @ 10 mA 1 µa @ 2 V. 5.6 v 40 Ohm
VS-S1585 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-S1585 - - -
RFQ
ECAD 4662 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Schüttgut Lets Kaufen S1585 - - - 112-VS-S1585 1
SMSZ4689 Good-Ark Semiconductor SMSZ4689 0,1800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Guten Halbler Automotive, AEC-Q101, SMSZ4XXX Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOD-123 500 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 900 mv @ 10 mA 10 µa @ 3 V 5.1 v
UDZSTE-1736B Rohm Semiconductor Udzste-1736b 0,0687
RFQ
ECAD 4389 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs ± 3% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-90, SOD-323F Udzste 200 MW Umd2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 100 na @ 27 V 36 v 300 Ohm
SB1290 Diotec Semiconductor SB1290 0,6588
RFQ
ECAD 3172 0.00000000 DITEC -halbleiter - - - Band & Rollen (TR) Aktiv K. Loch Axial Schottky Axial Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar 2796-SB1290TR 8541.10.0000 1,250 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 90 v 830 mv @ 12 a 500 µa @ 90 V -50 ° C ~ 150 ° C. 12a - - -
JAN1N3828A-1 Microchip Technology Jan1n3828a-1 6.8400
RFQ
ECAD 4715 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/115 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TA) K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1 w Do-41 - - - UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 3 µa @ 3 V 6.2 v 2 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus