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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | UG18DCT-5410HE3/45 | - - - | ![]() | 7584 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | UG18 | Standard | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 18a | 1,1 V @ 9 a | 30 ns | 10 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||
![]() | 1N5919CE3/TR13 | - - - | ![]() | 4220 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5919 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 3 V | 5.6 v | 2 Ohm | ||||||||||||||
![]() | CD6311 | 2.1014 | ![]() | 1295 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | - - - | Oberflächenhalterung | Sterben | Sterben | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD6311 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
1n5915a/tr | 2.8462 | ![]() | 2155 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1,25 w | Do-41 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5915a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 25 µa @ 1 V | 3,9 v | 7,5 Ohm | ||||||||||||||||
Jantxv1N982C-1/Tr | 6.8628 | ![]() | 7488 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N982C-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 56 V | 75 V | 270 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | 2BZX84C7V5 | 0,0363 | ![]() | 5497 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2796-2BZX84C7V5TR | 8541.10.0000 | 3.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 1 µa @ 5 V | 7,5 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | KBJ406 | 0,6000 | ![]() | 2922 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-ESIP, KBJ | Standard | 4KBJ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 1.000 | 1 V @ 2 a | 5 µa @ 600 V | 4 a | Einphase | 600 V | ||||||||||||||||
![]() | MSASC75H15F/Tr | - - - | ![]() | 5512 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSASC75H15F/Tr | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB352W-BP | - - - | ![]() | 2610 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4 Quadratmeter, MB-35W | MB352 | Standard | MB-35W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1,2 V @ 17.5 a | 10 µA @ 200 V. | 35 a | Einphase | 200 v | ||||||||||||||
![]() | ZPD36 | 0,0211 | ![]() | 35 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | 2796-Zpd36tr | 8541.10.0000 | 10.000 | 100 na @ 26 V | 36 v | 40 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | Smzj3803ahe3/5b | - - - | ![]() | 1345 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Smzj38 | 1,5 w | Do-214AA (SMBJ) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.200 | 5 µA @ 29.7 V. | 39 v | 45 Ohm | |||||||||||||||
![]() | RD16F-T8-Az | 0,1700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
Es1ljh | 0,0779 | ![]() | 3591 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Es1l | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 1 a | 35 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 18PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | 1N1199ar | 4.2345 | ![]() | 2646 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N1199ar | Standard, Umgekehrte Polarität | Do-4 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1242-1028 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,1 V @ 12 a | 10 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 12a | - - - | |||||||||||||
![]() | UZ7780R | 468.9900 | ![]() | 7872 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Bolzenhalterung | Zucht | 10 w | Axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-uz7780r | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µa @ 60,8 V | 80 v | 60 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | 1SMA4754-AU_R1_000A1 | 0,4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1SMA4754 | 1 w | SMA (Do-214AC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 100 NA @ 29.7 V. | 39 v | 60 Ohm | |||||||||||||||
![]() | Hzm10nb2jtr-e | 0,1400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SR304-BP | 0,1555 | ![]() | 4806 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | SR304 | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | 353-SR304-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 3 a | 500 µa @ 40 V | -50 ° C ~ 125 ° C. | 3a | 180pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | SF15G R1G | - - - | ![]() | 1591 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | SF15 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,3 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | SDM1650LCS_S2_00001 | 0,3591 | ![]() | 2809 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SDM1650 | Schottky | To-252 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 117.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 50 v | 8a | 570 mv @ 8 a | 210 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||
![]() | MMSZ5256BQ-7-F | 0,0365 | ![]() | 2812 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 370 MW | SOD-123 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-mmsz5256bq-7-Ftr | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 23 v | 30 v | 49 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n4480 | - - - | ![]() | 3607 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 4,88% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1,5 w | Axial | Herunterladen | 600-Jantxv1N4480 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 50 NA @ 34.4 V. | 43 v | 40 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | ZGL41-190A-E3/96 | 0,2020 | ![]() | 4620 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | ZGL41 | 1 w | GL41 (Do-213AB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 144.4 V. | 190 v | 1050 Ohm | ||||||||||||||
![]() | V8PL63-m3/h | 0,6500 | ![]() | 1726 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | V8PL63 | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 580 mv @ 8 a | 180 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 1400pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | Pzu 5.6b3,115 | 0,2500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Pzu5.6 | 310 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 1 µa @ 2,5 V | 5.6 v | 40 Ohm | ||||||||||||||
S1gl RFG | - - - | ![]() | 3245 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | S1g | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 1 a | 1,8 µs | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 9pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | PZ1AH30B-AU_R1_000A1 | 0,0756 | ![]() | 8017 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123H | PZ1AH30 | 1 w | SOD-123HE | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 501.000 | 1 µA @ 22 V. | 30 v | 15 Ohm | |||||||||||||||
Jantx1n4981dus | 30.7500 | ![]() | 7568 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 1N4981 | 5 w | D-5b | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 69.2 V. | 91 V | 90 Ohm | |||||||||||||||
![]() | CDLL3829 | 10.1250 | ![]() | 6738 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | CDLL3829 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 3n250 | - - - | ![]() | 8227 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | K. Loch | 4-sip, kbpm | 3n25 | Standard | Kbpm | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 1 V @ 1 a | 5 µa @ 600 V | 1,5 a | Einphase | 600 V |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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