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Dioden (166326)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CZRB3051-G | - - - |  | 4404 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | - - - | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | CZRB3051 | 3 w | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 500 NA @ 38,8 V. | 51 v | 45 Ohm | ||||||||||||||
 | BZX85C20 | 1.0000 | | 2810 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | - - - | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | BZX85C20 | 1,3 w | DO-41G | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 15 V. | 20 v | 24 Ohm | ||||||||||||||
 | Jantxv1n4114cur-1/Tr | 25.6690 | | 1684 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n4114cur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 15,2 V. | 20 v | 150 Ohm | |||||||||||||||
 | MBR20200PT | 0,7430 | | 180 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | Schottky | To-247 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-MBR20200PTTR | Ear99 | 1.800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 20a | 900 mv @ 10 a | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||
 | SK59C R6 | - - - | | 9429 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Schottky | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-sk59cr6tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 90 v | 850 mv @ 5 a | 300 µa @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | |||||||||||||
 | BZD27C6V8PHRVG | - - - | | 6893 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,88% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 3 V | 6,8 v | 3 Ohm | ||||||||||||||
| CZRW4705-G | - - - | | 7247 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 350 MW | SOD-123 | Herunterladen | 641-CZRW4705-GTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 13.6 V. | 18 v | ||||||||||||||||||
 | 1N5370AE3/TR13 | 0,9900 | | 8163 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5370 | 5 w | T-18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,250 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 40.3 V. | 56 v | 35 Ohm | ||||||||||||||
 | BZX84C3V9W-TP | 0,0426 | | 7717 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BZX84C3V9 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | 353-BZX84C3V9W-TP | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 100 mA | 3 µa @ 1 V | 3,9 v | 90 Ohm | ||||||||||||||||
 | RB168VYM-40FHTR | 0,4300 | | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | RB168 | Schottky | Tumd2m | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 790 mv @ 1 a | 6.7 ns | 500 NA @ 40 V. | 150 ° C (max) | 1a | - - - | ||||||||||||
 | MMSZ5251BHE3-TP | 0,3200 | | 6 | 0.00000000 | Micro Commercial co | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5251 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 17 v | 22 v | 29 Ohm | ||||||||||||||
 | DAP202UMTL | 0,3400 | | 168 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-85 | DAP202 | Standard | Umd3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 80 v | 100 ma | 1,2 V @ 100 mA | 4 ns | 100 na @ 70 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||
| 1N4982 | - - - | | 5191 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Axial | 1N4982 | 5 w | Axial | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1N4982s | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 76 V | 100 v | 110 Ohm | ||||||||||||||||
 | CMOZ27V TR PBFREE | 0,5800 | | 5 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | CMOZ27 | 300 MW | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 18,9 v | 27 v | 80 Ohm | ||||||||||||||
 | Rd7.5es-t1-Az | 0,0900 | | 288 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
 | PDZ33B-AU_R1_000A1 | 0,0297 | | 3339 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,48% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Pdz33b | 400 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.330.000 | 50 na @ 25 v | 33 v | 40 Ohm | |||||||||||||||
 | SML4759-E3/61 | 0,4800 | | 4681 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SML4759 | 1 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 5 µA @ 47,1 V. | 62 v | 125 Ohm | |||||||||||||||
| Sml4751ahe3_a/h | 0,5600 | | 7375 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SML4751 | 1 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 5 µA @ 22,8 V. | 30 v | 40 Ohm | |||||||||||||||
 | 1SMB3EZ13-AU_R1_000A1 | 0,4900 | | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | 1Smb3 | 3 w | SMB (Do-214AA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 800 | 500 NA @ 9.9 V. | 13 v | 5 Ohm | |||||||||||||||
 | ZMM5235B-7 | - - - | | 3705 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | Zmm52 | 500 MW | Do-213AA (GL34) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 3 µa @ 5 V | 6,8 v | 5 Ohm | |||||||||||||||
| Jantxv1n4980us | - - - | | 8353 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/356 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf | 1N4980 | 5 w | - - - | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 62,2 V. | 82 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||||
 | Jantxv1n971c-1/tr | 8.0332 | | 7106 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N971C-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 21 V | 27 v | 41 Ohm | |||||||||||||||
 | UG18DCT-5410HE3/45 | - - - | | 7584 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | UG18 | Standard | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 18a | 1,1 V @ 9 a | 30 ns | 10 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||
| 1N5919CE3/TR13 | - - - | | 4220 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5919 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 3 V | 5.6 v | 2 Ohm | ||||||||||||||
 | CD6311 | 2.1014 | | 1295 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | - - - | Oberflächenhalterung | Sterben | Sterben | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD6311 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | 1n5915a/tr | 2.8462 | | 2155 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1,25 w | Do-41 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5915a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 25 µa @ 1 V | 3,9 v | 7,5 Ohm | |||||||||||||||
| Jantxv1N982C-1/Tr | 6.8628 | | 7488 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N982C-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 56 V | 75 V | 270 Ohm | |||||||||||||||
 | 2BZX84C7V5 | 0,0363 | | 5497 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2796-2BZX84C7V5TR | 8541.10.0000 | 3.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 1 µa @ 5 V | 7,5 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||
 | KBJ406 | 0,6000 | | 2922 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-ESIP, KBJ | Standard | 4KBJ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 1.000 | 1 V @ 2 a | 5 µa @ 600 V | 4 a | Einphase | 600 V | ||||||||||||||||
| MSASC75H15F/Tr | - - - | | 5512 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSASC75H15F/Tr | 100 |
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