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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JantX1N6332US/Tr | 18.2400 | ![]() | 4010 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | 150-Jantx1n6332us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 17 v | 22 v | 20 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | MTZJ7V5SC | 0,0305 | ![]() | 4150 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AG, Do-34, axial | Mtzj7 | 500 MW | Do-34 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-MTZJ7V5SCTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 500 na @ 4 v | 7,5 v | 20 Ohm | |||||||||||||||
![]() | GBU1004HD2G | - - - | ![]() | 4271 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBU | GBU1004 | Standard | GBU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1,1 V @ 10 a | 5 µa @ 400 V | 10 a | Einphase | 400 V | ||||||||||||||
![]() | Hzu11c1ltrf-e | 0,1400 | ![]() | 120 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MR751 | - - - | ![]() | 7867 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Geschmack, axial | MR75 | Standard | Mikrode -taste | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 900 mv @ 6 a | 25 µa @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 6a | - - - | |||||||||||||
![]() | R10S_R2_00001 | - - - | ![]() | 7769 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | R10s | Standard | 4-mdi | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1,15 V @ 500 mA | 5 µA @ 1000 V | 800 mA | Einphase | 1 kv | |||||||||||||||
![]() | EMD3S | 0,3300 | ![]() | 6017 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | Standard | Md-s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-emd3str | Ear99 | 8541.10.0080 | 24.000 | 1,05 V @ 500 mA | 10 µA @ 150 V | 1 a | Einphase | 150 v | |||||||||||||||
![]() | GBJ806 | 0,3640 | ![]() | 75 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | Gbj | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | 4-SIP, GBJ | Standard | Gbj | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-GBJ806 | Ear99 | 750 | 1 V @ 4 a | 5 µa @ 600 V | 8 a | Einphase | 600 V | ||||||||||||||||
![]() | SCAJ05FF | - - - | ![]() | 3349 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | 4 Quadratmeter | SCAJ05 | Standard | - - - | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,2 V @ 1,5 a | 2 µa @ 50 V | 1,5 a | Einphase | 50 v | |||||||||||||||
GBPC5004-G | 3.9000 | ![]() | 7747 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC -terminal | 4 Quadratmeter, GBPC | GBPC5004 | Standard | GBPC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 25 a | 10 µa @ 400 V | 50 a | Einphase | 400 V | |||||||||||||||
GBPC50005W-G | 3.9000 | ![]() | 1135 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Tablett | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4 Quadratmeter, gbpc-w | GBPC50005 | Standard | Gbpc-w | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 25 a | 10 µa @ 50 V | 50 a | Einphase | 50 v | |||||||||||||||
![]() | M100M-E3/54 | - - - | ![]() | 4641 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | M100 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,1 V @ 1 a | 2 µs | 1 µA @ 1000 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||
![]() | B6S-E3/80 | 0,5900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-269aa, 4-Besop | B6S | Standard | To-269aa (MBS) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 1 V @ 500 mA | 5 µa @ 600 V | 500 mA | Einphase | 600 V | ||||||||||||||
![]() | BZX584C33HE3-TP | 0,0515 | ![]() | 1769 | 0.00000000 | Micro Commercial co | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 6,06% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BZX584 | 150 MW | SOD-523 | Herunterladen | 353-BZX584C33HE3-TP | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 100 NA @ 23.1 V. | 20 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | HER207G | 0,0430 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | Standard | Do-15 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-Her207GTB | Ear99 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,7 V @ 2 a | 75 ns | 5 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 30pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | RBU2004m | 0,8900 | ![]() | 9680 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, RBU | Standard | RBU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RBU2004m | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | 1,1 V @ 10 a | 5 µa @ 400 V | 20 a | Einphase | 400 V | |||||||||||||||
![]() | BZX384-C18-QX | 0,0390 | ![]() | 4751 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZX384 | 300 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1727-BZX384-C18-QXTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 12.565 V. | 17.95 v | 45 Ohm | ||||||||||||||
DBLS154G C1G | - - - | ![]() | 1858 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DBLS154 | Standard | DBLS | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 1,5 a | 2 µa @ 400 V | 1,5 a | Einphase | 400 V | |||||||||||||||
JantX1N4954C | 18.2850 | ![]() | 3828 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | E, axial | 5 w | E, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n4954c | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 150 µa @ 5,2 V | 6,8 v | 1 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | BBY53-02VH6327 | 0,1400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | PG-SC79-2 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.325 | 3.1pf @ 3v, 1 MHz | Einzel | 6 v | 2.2 | C1/C3 | - - - | |||||||||||||||
![]() | SCBH15ff | - - - | ![]() | 3803 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | 4 Quadratmeter | SCBH15 | Standard | - - - | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 970 mv @ 5 a | 20 µA @ 150 V | 5 a | Einphase | 150 v | |||||||||||||||
GBPC2508-G | 2.9250 | ![]() | 4901 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC -terminal | 4 Quadratmeter, GBPC | GBPC2508 | Standard | GBPC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 12.5 a | 10 µa @ 800 V | 25 a | Einphase | 800 V | |||||||||||||||
![]() | BZT52B2V0-HF | 0,0418 | ![]() | 5495 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52 | 500 MW | SOD-123 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 641-BZT52B2V0-HFTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 120 µA @ 500 mV | 2 v | 100 Ohm | |||||||||||||||
1N5712-1/Tr | 4.8150 | ![]() | 8375 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/444 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | Schottky | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5712-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 20 v | 1 V @ 35 mA | 150 NA @ 16 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 75 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||
![]() | BZM55B5V1-tr | 0,3200 | ![]() | 6201 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, BZM55 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 175 ° C. | Oberflächenhalterung | 2-smd, Keine Frotung | BZM55B5V1 | 500 MW | Mikrokomelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 1 v | 5.1 v | 60 Ohm | ||||||||||||||
![]() | SBS25HRGG | - - - | ![]() | 9116 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | SBS25 | Standard | ABS | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | 500 mV @ 2 a | 100 µa @ 50 V | 2 a | Einphase | 50 v | ||||||||||||||
GBPC3504-G | 2.9946 | ![]() | 4232 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC -terminal | 4 Quadratmeter, GBPC | GBPC3504 | Standard | GBPC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 17.5 a | 10 µa @ 400 V | 35 a | Einphase | 400 V | |||||||||||||||
GBPC2510-G | 2.9250 | ![]() | 1983 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC -terminal | 4 Quadratmeter, GBPC | GBPC2510 | Standard | GBPC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 12.5 a | 10 µa @ 1000 V | 25 a | Einphase | 1 kv | |||||||||||||||
![]() | SD090SB45B.T1 | 0,6491 | ![]() | 8751 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Tablett | Aktiv | Oberflächenhalterung | Sterben | SD090 | Schottky | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0040 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 640 mv @ 7,5 a | 200 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 7.5a | 400PF @ 5V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | CDBHD160L-G | 1.5600 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-269aa, 4-Besop | CDBHD160 | Schottky | Mini-DIP (to-269aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | 625 mv @ 1 a | 500 µa @ 60 V | 1 a | Einphase | 60 v |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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