SIC
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Dioden (166326)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT)
NXPSC16650B6J WeEn Semiconductors NXPSC16650B6J 4.0425
RFQ
 ECAD 8520 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Lets Kaufen Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab NXPSC SIC (Silicon Carbide) Schottky D2pak Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 800 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 16 a 0 ns 100 µA @ 650 V 175 ° C (max) 16a 534PF @ 1V, 1 MHz
VS-8EWF04STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWF04STRLPBF - - -
RFQ
 ECAD 5316 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 8EWF04 Standard D-Pak (to-252aa) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1,2 V @ 8 a 200 ns -40 ° C ~ 150 ° C. 8a - - -
CD758C Microchip Technology CD758c - - -
RFQ
 ECAD 2403 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Sterben 500 MW Sterben - - - UnberÜHrt Ereichen 150-CD758c Ear99 8541.10.0050 278 1,5 V @ 200 Ma 1 µa @ 8 V. 10 v 17 Ohm
SF2L8G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF2L8G A0G - - -
RFQ
 ECAD 5164 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Box (TB) Aktiv K. Loch DO-204AC, DO-15, Axial SF2L8 Standard DO-204AC (Do-15) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,7 V @ 2 a 35 ns 1 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 20pf @ 4v, 1 MHz
1N755ATR Fairchild Semiconductor 1N755ATR 0,0200
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 200 Ma 100 na @ 1 v 7,5 v 6 Ohm
JANS1N4964US Microchip Technology JANS1N4964US 92.9250
RFQ
 ECAD 7731 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/356 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SQ-Melf, e 5 w D-5b - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 1 a 5 µa @ 13,7 V 18 v 4 Ohm
BZD27C16PHRTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C16PHRTG - - -
RFQ
 ECAD 3889 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5,55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-219AB BZD27 1 w Sub SMA Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 7.500 1,2 V @ 200 Ma 1 µa @ 12 V 16,2 v 15 Ohm
1N5947B Microchip Technology 1n5947b 3.4050
RFQ
 ECAD 3985 0.00000000 Mikrochip -technologie MIL-PRF-19500 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch DO-204AL, DO041, Axial 1N5947 1,25 w Do-41 Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 1 µA @ 62,2 V. 82 v 160 Ohm
JAN1N7050-1 Microchip Technology Jan1N7050-1 7.6500
RFQ
 ECAD 2593 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv 1N7050 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1
BZX55C4V3 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C4V3 A0G - - -
RFQ
 ECAD 9679 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Box (TB) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 5.000 1 V @ 100 mA 1 µa @ 1 V 4.3 v 75 Ohm
SML4742A-E3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4742A-E3/61 0,5000
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% - - - Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA SML4742 1 w Do-214AC (SMA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1.800 5 µa @ 9,1 V 12 v 9 Ohm
MSRTA300120AD GeneSiC Semiconductor MSRTA300120AD 113.5544
RFQ
 ECAD 4573 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MSRTA300 Standard Drei -Turf - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 18 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 1200 V 300a 1,2 V @ 300 a 25 µA @ 200 V. -55 ° C ~ 150 ° C.
BZX55A5V6-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55A5V6-TAP - - -
RFQ
 ECAD 3509 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet ± 1% 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial BZX55 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 1,5 V @ 200 Ma 100 na @ 1 v 5.6 v 25 Ohm
MD1890A-BM2MM Littelfuse Inc. MD1890A-BM2mm - - -
RFQ
 ECAD 2601 0.00000000 Littelfuse Inc. - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg A-3-Modul Standard A3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 70 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 1800 v 90a 1,6 V @ 280 a 500 µa @ 1800 V -40 ° C ~ 150 ° C.
GLL4739A-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GLL4739a-e3/97 0,3168
RFQ
 ECAD 1027 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf GLL4739 1 w Melf Do-213ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 5.000 10 µa @ 7 V. 9.1 v 5 Ohm
VS-8EWS10STRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWS10STRPBF - - -
RFQ
 ECAD 7804 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 8ews10 Standard D-Pak (to-252aa) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 2.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1000 v 1,1 V @ 8 a 50 µa @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a - - -
JANTXV1N6486D Microchip Technology Jantxv1n6486d - - -
RFQ
 ECAD 8754 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/406 Schüttgut Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1,5 w Do-41 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 1 a 50 µa @ 1 V 3.6 V 10 Ohm
BZX84C30TS-7-F Diodes Incorporated BZX84C30TS-7-F - - -
RFQ
 ECAD 7821 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bzx84 200 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 3 Unabhängig 900 mv @ 10 mA 100 na @ 21 V 30 v 80 Ohm
US1M Diotec Semiconductor US1M 0,0691
RFQ
 ECAD 4949 0.00000000 DITEC -halbleiter - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA Standard Do-214AC, SMA Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 8541.10.0000 7.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1000 v 1,7 V @ 1 a 75 ns 5 µA @ 1000 V -50 ° C ~ 150 ° C. 1a - - -
VS-80-6193 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80-6193 - - -
RFQ
 ECAD 1494 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Schüttgut Lets Kaufen 80-6193 - - - 112-VS-80-6193 1
SBR30M100CTFP-JT Diodes Incorporated SBR30M100CTFP-JT - - -
RFQ
 ECAD 6839 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte SBR30 Superbarriere ITO-220AB Herunterladen 1 (unbegrenzt) 31-SBR30M100CTFP-JT Ear99 8541.10.0080 50 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 15a 850 mv @ 15 a 12 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 175 ° C.
1N4685 (DO35) Microsemi Corporation 1N4685 (DO35) - - -
RFQ
 ECAD 4008 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N4685 500 MW Do-35 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 7,5 µa @ 2 V 3.6 V
JANTXV1N4372DUR-1/TR Microchip Technology Jantxv1n4372dur-1/Tr 29.2334
RFQ
 ECAD 9496 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/435 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AA (GLAS) 500 MW Do-213aa - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv1n4372dur-1/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 30 µa @ 1 V 3 v 29 Ohm
SBL1040HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBL1040HE3/45 - - -
RFQ
 ECAD 7043 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Rohr Veraltet K. Loch To-220-2 SBL1040 Schottky To-220ac Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 600 mv @ 10 a 1 ma @ 40 v -40 ° C ~ 125 ° C. 10a - - -
R9G04412XX Powerex Inc. R9G04412XX - - -
RFQ
 ECAD 8345 0.00000000 Powerex Inc. - - - Schüttgut Aktiv Klemmen Do-200ab, B-Puk R9G04412 Standard Do-200ab, B-Puk Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 4400 v 1,45 V @ 1500 a 25 µs 150 mA @ 4400 V. 1200a - - -
DL5263B-TP Micro Commercial Co DL5263B-TP - - -
RFQ
 ECAD 4187 0.00000000 Micro Commercial co - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 DL5263 500 MW Mini Melf Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 2.500 1,1 V @ 200 Ma 100 na @ 43 v 56 v 150 Ohm
PZS5119BCH_R1_00001 Panjit International Inc. PZS5119BCH_R1_00001 0,0324
RFQ
 ECAD 6240 0.00000000 Panjit International Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-90, SOD-323F PZS5119 500 MW SOD-323HE Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.250.000 50 na @ 14.4 v 19 v
SR1640 Taiwan Semiconductor Corporation SR1640 - - -
RFQ
 ECAD 3699 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Rohr Abgebrochen bei Sic K. Loch To-220-3 SR1640 Schottky To-220ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 40 v 16a 550 mV @ 8 a 500 µa @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C.
SS19L RFG Taiwan Semiconductor Corporation SS19L RFG - - -
RFQ
 ECAD 7497 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-219AB SS19 Schottky Sub SMA Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 90 v 800 mV @ 1 a 50 µa @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a - - -
DD400S33KL2CNOSA1 Infineon Technologies DD400S33KL2CNOSA1 - - -
RFQ
 ECAD 4746 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg Modul Standard A-IHV73-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 4 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 3300 v - - - 2,6 V @ 400 a 530 A @ 1800 V. -40 ° C ~ 125 ° C.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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