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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 3ez4.7d/tr8 | - - - | ![]() | 7825 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 3ez4.7 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 20 µa @ 1 V | 4,7 v | 4 Ohm | |||||||||||||||
![]() | RD12E-T1-AZ | 0,1500 | ![]() | 62 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pzu6.8b2a, 115 | 0,2300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Pzu6.8 | 320 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 500 NA @ 3,5 V. | 6,8 v | 20 Ohm | |||||||||||||||
![]() | MBRBL10100CT | 0,4520 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Schottky | To-263 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-MBRBL10100CTTR | Ear99 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 10a | 720 mv @ 5 a | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||
![]() | SMZJ3790B-E3/52 | 0,1546 | ![]() | 1416 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMZJ3790 | 1,5 w | Do-214AA (SMBJ) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 10 µa @ 8,4 V | 11 v | 6 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | RHRP30120 | - - - | ![]() | 9134 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | Standard | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 3,2 V @ 30 a | 85 ns | 250 µa @ 1200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - - - | ||||||||||||||
![]() | FFPF20UP20STU | 0,4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 Full Pack | Standard | To-220f-2l | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,15 V @ 20 a | 45 ns | 100 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - - - | ||||||||||||||||
![]() | W2054NC450 | - - - | ![]() | 4120 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Abgebrochen bei Sic | Klemmen | Do-200AC, K-Puk | W2054 | Standard | W5 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 238-W2054NC450 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 4500 v | 1,7 V @ 3000 a | 50 mA @ 4500 V | -40 ° C ~ 160 ° C. | 2055a | - - - | |||||||||||||
BZX84C15-G3-08 | 0,2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Bzx84-g | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84C15 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 50 na @ 10,5 V. | 15 v | 30 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | Hz27-2j-e | 0,1100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MA40108-137 | 100.5505 | ![]() | 3418 | 0.00000000 | Macom Technology Solutions | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | SC-76, SOD-323 | MA40108 | SOD-323 | - - - | 1465-ma40108-137 | 1 | - - - | Pin - Single | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3347 | 8.5000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 50 w | Do-5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-1n3347 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1,5 V @ 10 a | 160 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | DPJ50XS1800NA | 35.6460 | ![]() | 9013 | 0.00000000 | Ixys | DPJ50XS1800NA | Rohr | Aktiv | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | DPJ50XS1800 | Standard | SOT-227B | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 238-DPJ50XS1800NA | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 1800 v | 25a | 6,99 V @ 25 a | 30 ns | 250 µa @ 1800 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
![]() | SS510FSH | 0,4800 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-128 | SS510 | Schottky | SOD-128 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 850 mv @ 5 a | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 164pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | SZ1SMB5921BT3G | 0,8300 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SZ1SMB5921 | 3 w | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 5 µA @ 5,2 V. | 6,8 v | 2,5 Ohm | |||||||||||||||
S1BL RQG | - - - | ![]() | 8783 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | S1B | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,1 V @ 1 a | 1,8 µs | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 9pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | Rsfalh | 0,1815 | ![]() | 9459 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-rsfalhtr | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,3 V @ 500 mA | 150 ns | 5 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500 mA | 4PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | IDDD08G65C6XTMA1 | 4.1400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™+ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 10-Power-Modul | IDDD08 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | PG-HDSOP-10-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.700 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 0 ns | 27 µA @ 420 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 24a | 401PF @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||
DZ23C13-7-F | 0,4100 | ![]() | 6714 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 13 v | 25 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | SFF30 | - - - | ![]() | 4010 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | Axial | Standard | Axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 3000 v | 7 V @ 175 Ma | 50 ns | 1 µa @ 3000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 360 ma | 6.5PF @ 5V, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | SZ3C68 | 0,1133 | ![]() | 5575 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 3 w | Melf Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2796-sz3c68tr | 8541.10.0000 | 5.000 | 1 µa @ 34 V | 68 v | 25 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n5804us | - - - | ![]() | 4119 | 0.00000000 | Semtech Corporation | Militär, Mil-PRF-19500/477 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SQ-Melf | 1N5804 | Standard | - - - | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 875 mv @ 1 a | 25 ns | 1 µa @ 100 V. | - - - | 1.1a | 25pf @ 5v, 1 MHz | ||||||||||||||||
![]() | UGF8HTHE3_A/P. | - - - | ![]() | 1390 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Standard | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 112-ugf8hthe3_a/p | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,75 V @ 8 a | 50 ns | 30 µa @ 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||||||
![]() | 1N4750A BK PBFREE | 0,0522 | ![]() | 6573 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 20,6 V | 27 v | 35 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | ES1A-E3/61T | 0,4000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Es1 | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 920 mv @ 1 a | 25 ns | 5 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | SCS205KGC | - - - | ![]() | 2459 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | SCS205 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,6 V @ 5 a | 0 ns | 100 µA @ 1200 V | 175 ° C (max) | 5a | 270pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | Mm5z33vt5gf | 0,2900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Mm5z | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 23.1 v | 33 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | SF1602PTHC0G | - - - | ![]() | 1461 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | SF1602 | Standard | To-247ad (to-3p) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | 85PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | DDZ18CSF-7 | 0,2100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | DDZ18 | 500 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 70 NA @ 16,5 V. | 17.88 v | 45 Ohm | |||||||||||||||
![]() | RL254M-TP | - - - | ![]() | 7410 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | RL254 | Standard | Do-15 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1 V @ 2,5 a | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2.5a | 35PF @ 4V, 1 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus