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Dioden (166326)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT)
1N4575A-1 Microchip Technology 1N4575A-1 4.0650
RFQ
 ECAD 1758 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TA) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3 V 6.4 v 50 Ohm
BA604-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BA604-GS08 - - -
RFQ
 ECAD 7549 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BA604 Standard SOD-80 Minimelf Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 2.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 1,1 V @ 50 Ma 20 ns 50 na @ 20 v -65 ° C ~ 175 ° C. 200 ma 4PF @ 0V, 1MHz
BZT52H-A13X Nexperia USA Inc. BZT52H-A13X 0,1463
RFQ
 ECAD 5573 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZT52H-A Band & Rollen (TR) Aktiv ± 1% 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 1727-BZT52H-A13XTR Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 na @ 8 v 13 v 10 Ohm
BAW56W/ZL,115 Nexperia USA Inc. BAW56W/ZL, 115 0,0300
RFQ
 ECAD 102 0.00000000 Nexperia USA Inc. * Schüttgut Aktiv BAW56W Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-BAW56W/ZL, 115-1727 1
JANTXV1N4962C Microchip Technology JantXV1N4962C 19.1850
RFQ
 ECAD 3090 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/356 Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch E, axial 5 w E, axial - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv1n4962c Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 1 a 5 µa @ 11,4 V 15 v 3,5 Ohm
1PMT5928B/TR7 Microchip Technology 1 PMT5928B/TR7 2.2200
RFQ
 ECAD 9658 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-216aa 13.5928 3 w Do-216aa Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 Ma 1 µa @ 9,9 V 13 v 7 Ohm
ACGRBT201-HF Comchip Technology ACGRBT201-HF 0,1682
RFQ
 ECAD 1371 0.00000000 Comchip -technologie Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 2-smd, Keine Frotung ACGRBT201 Standard 2114/do-214aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 960 mv @ 2 a 5 µa @ 200 V. -65 ° C ~ 175 ° C. 2a 14PF @ 4V, 1 MHz
RB481Y-40FHT2R Rohm Semiconductor RB481Y-40FHT2R - - -
RFQ
 ECAD 5924 0.00000000 Rohm Semiconductor Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SC-75-4, SOT-543 RB481 Schottky EMD4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 8.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 2 Unabhängig 40 v 200 ma 450 mV @ 100 mA 90 µa @ 40 V 150 ° C (max)
HER605G Taiwan Semiconductor Corporation HER605G 0,5136
RFQ
 ECAD 1162 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv K. Loch R-6, axial HER605 Standard R-6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 400 V 1,3 V @ 6 a 50 ns 10 µa @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 6a 80pf @ 4V, 1 MHz
1N1125R Microchip Technology 1N1125R 38.3850
RFQ
 ECAD 4252 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv Bolzenhalterung DO-203AA, DO-4, Stud Standard, Umgekehrte Polarität DO-4 (DO-203AA) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 150-1n1125r Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 300 V 1,2 V @ 30 a 10 µA @ 300 V -65 ° C ~ 200 ° C. 12a - - -
SR10100H Taiwan Semiconductor Corporation SR10100H 0,5037
RFQ
 ECAD 2038 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobil, AEC-Q101 Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 SR10100 Schottky To-220ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 1801-SR10100H Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 10a 850 mv @ 5 a 100 µa @ 100 V. -55 ° C ~ 150 ° C.
HZU12A1LTRF-E Renesas Electronics America Inc Hzu12a1ltrf-e 0,1000
RFQ
 ECAD 114 0.00000000 Renesas Electronics America Inc. * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0050 3.000
TSZU52C12 Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C12 0,0669
RFQ
 ECAD 7654 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 0603 (1608 Metrik) TSZU52 150 MW 0603 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 1801-TSZU52C12TR Ear99 8541.10.0050 20.000 900 mv @ 10 mA 100 na @ 9 V 12 v 20 Ohm
BAS70DW-04Q-7-F Diodes Incorporated BAS70DW-04Q-7-F 0,1652
RFQ
 ECAD 2661 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bas70 Schottky SOT-363 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-Bas70DW-04Q-7-Ftr Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 2 Paar Serie Verbindung 70 V 70 Ma (DC) 1 V @ 15 mA 5 ns 100 na @ 50 V -55 ° C ~ 125 ° C.
SMZJ3800B-M3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3800B-M3/52 0,1304
RFQ
 ECAD 7054 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB SMZJ3800 1,5 w Do-214AA (SMBJ) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 750 5 µA @ 22,8 V. 30 v 26 Ohm
SMA2EZ75D5-TP Micro Commercial Co SMA2EZ75D5-TP - - -
RFQ
 ECAD 3699 0.00000000 Micro Commercial co - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA SMA2EZ75 2 w Do-214AC (SMA) - - - ROHS3 -KONFORM 353-SMA2EZ75D5-TPTR Ear99 8541.10.0050 7.500 1,5 V @ 200 Ma 500 NA @ 56 V 75 V 90 Ohm
PDS540-13-52 Diodes Incorporated PDS540-13-52 0,2059
RFQ
 ECAD 3835 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung PowerDi ™ 5 PDS540 Schottky PowerDi ™ 5 Herunterladen 31-PDS540-13-52 Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 520 mv @ 5 a 250 µa @ 40 V -65 ° C ~ 150 ° C. 5a - - -
V12PM6HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V12PM6HM3/i 0,3581
RFQ
 ECAD 7803 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-277, 3-Powerdfn V12PM6 Schottky To-277a (SMPC) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 6.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 60 v 640 mv @ 12 a 1 ma @ 60 v -40 ° C ~ 175 ° C. 12a 2050pf @ 4V, 1 MHz
S1T-CT Diotec Semiconductor S1T-CT 0,3093
RFQ
 ECAD 457 0.00000000 DITEC -halbleiter - - - Streiflen Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA Standard Do-214AC (SMA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar 2721-s1t-cc 8541.10.0000 30 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1300 v 1,1 V @ 1 a 1,5 µs 5 µa @ 1,3 V -50 ° C ~ 150 ° C. 1a - - -
SSA33L-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SSA33L-M3/61T 0,1216
RFQ
 ECAD 5571 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA SSA33 Schottky Do-214AC (SMA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.800 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 450 mV @ 3 a 500 µa @ 30 V -65 ° C ~ 150 ° C. 3a - - -
1N4370A/TR Microchip Technology 1N4370a/tr 3.4363
RFQ
 ECAD 6557 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv K. Loch Do-204AH, Do-35, axial Do-35 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-1n4370a/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 100 µa @ 1 V
VS-80-5694 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80-5694 - - -
RFQ
 ECAD 8989 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Schüttgut Lets Kaufen 80-5694 - - - 112-VS-80-5694 1
HER158GH Taiwan Semiconductor Corporation HER158GH 0,1203
RFQ
 ECAD 7856 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv K. Loch DO-204AC, DO-15, Axial Standard DO-204AC (Do-15) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 1801-Her158ghtr Ear99 8541.10.0080 3.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1000 v 1,7 V @ 1,5 a 75 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1,5a 20pf @ 4v, 1 MHz
MMXZ5226B-TP Micro Commercial Co MMXZ5226B-TP 0,2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micro Commercial co - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 MMXZ5226 200 MW SOD-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 100 mA 25 µa @ 1 V 3.3 v 28 Ohm
RS3B M6 Taiwan Semiconductor Corporation RS3B M6 - - -
RFQ
 ECAD 1803 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC Standard Do-214AB (SMC) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1801-RS3BM6TR Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 1,3 V @ 3 a 150 ns 10 µa @ 100 V. -55 ° C ~ 150 ° C. 3a - - -
BAS40B5000 Infineon Technologies BAS40B5000 0,0300
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 Infineon -technologien Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bas40 Schottky Pg-SOT23 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0070 10.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 40 v 1 V @ 40 mA 1 µa @ 30 V 150 ° C. 120 Ma 3PF @ 0V, 1MHz
HS2G SURGE HS2G 0,1900
RFQ
 ECAD 2430 0.00000000 Anstieg - - - Tasche Aktiv Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB Standard Do-214AA (SMB) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 2616-HS2G 3a001 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 400 V 1,3 V @ 1,5 a 50 ns 5 µa @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1,5a 50pf @ 4v, 1 MHz
MBR2060CD-HF Comchip Technology MBR2060CD-HF 0,3676
RFQ
 ECAD 8507 0.00000000 Comchip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MBR2060 Schottky D-Pak (to-252) - - - 1 (unbegrenzt) 641-MBR2060CD-HFTR 2.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 60 v 20a 800 mV @ 10 a 50 µa @ 60 V -50 ° C ~ 150 ° C.
JANTXV1N3034BUR-1/TR Microchip Technology Jantxv1n3034bur-1/Tr 16.1196
RFQ
 ECAD 5118 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/115 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf (GLAS) 1 w Do-213AB (Melf, LL41) - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv1n3034bur-1/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 10 µA @ 29.7 V. 39 v 60 Ohm
EGL34FHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGL34FHE3_A/H - - -
RFQ
 ECAD 2686 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-213AA (GLAS) Egl34 Standard Do-213AA (GL34) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen EGL34FHE3_B/H Ear99 8541.10.0070 2.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 300 V 1,35 V @ 500 mA 50 ns 5 µA @ 300 V -65 ° C ~ 175 ° C. 500 mA 7pf @ 4v, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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