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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SS1060FL_R1_00001 | 0,3700 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | SS1060 | Schottky | SOD-123FL | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-SS1060FL_R1_00001TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 700 mv @ 1 a | 30 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | |||||||||
![]() | JantX1N3331RB | - - - | ![]() | 1303 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/358 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 50 w | Do-5 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1N3331RB | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µA @ 38,8 V. | 50 v | 5 Ohm | ||||||||||||
![]() | RBR3L60BTE25 | 0,2752 | ![]() | 2826 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | RBR3L60 | Schottky | PMDs | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 560 mv @ 3 a | 150 µa @ 60 V | 150 ° C (max) | 3a | - - - | ||||||||||
JantX1N3043B-1 | 10.0650 | ![]() | 7314 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N3043 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µA @ 69.2 V. | 91 V | 250 Ohm | ||||||||||||
![]() | 1N4493 | - - - | ![]() | 8435 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Axial | 1N4493 | 1,5 w | Axial | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1N4493s | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 250 NA @ 120 V | 150 v | 700 Ohm | |||||||||||||
![]() | 1 PMT4130E3/TR7 | 0,4950 | ![]() | 9914 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | PowerMite® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.00130 | 1 w | Do-216 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 51.68 V. | 68 v | 250 Ohm | |||||||||||
![]() | Jantxv1n5969 | - - - | ![]() | 2561 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | E, axial | 5 w | E, axial | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 2266-Jantxv1n5969 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 1 ma @ 4.74 v | 6.2 v | 1 Ohm | ||||||||||||
![]() | BZT55C3V9 L0G | 0,0350 | ![]() | 6496 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 10 mA | 2 µa @ 1 V | 3,9 v | 85 Ohm | |||||||||||
![]() | FMU-14s | 0,8600 | ![]() | 220 | 0.00000000 | Sanken Electric USA Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Standard | To-220f | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | FMU-14S DK | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 400 V | 5a | 1,5 V @ 2,5 a | 400 ns | 50 µa @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | BZX79B4V3 A0G | - - - | ![]() | 9617 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX79 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 100 mA | 1 ma @ 5 v | 4.3 v | 90 Ohm | |||||||||||
![]() | TZQ5245B-GS18 | 0,0303 | ![]() | 3491 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-80-Variale | TZQ5245 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 11 v | 15 v | 16 Ohm | |||||||||||
![]() | Jan1N4978us | - - - | ![]() | 5444 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/356 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf | 1N4978 | 5 w | - - - | Herunterladen | Jan1N4978Uss | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 51,7 V | 68 v | 50 Ohm | ||||||||||||||
![]() | CZ5345B BK PBFREE | 0,4526 | ![]() | 6332 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-201aa, Do-27, axial | CZ5345 | 5 w | Do-201 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 500 | 1,2 V @ 1 a | 100 µa @ 6,6 V | 8,7 v | 2 Ohm | |||||||||||
![]() | MBR3035CT-E3/45 | - - - | ![]() | 4522 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | MBR30 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 35 V | 15a | 600 mv @ 15 a | 1 ma @ 35 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | MMSZ5244B | - - - | ![]() | 1573 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ524 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 10 v | 14 v | 15 Ohm | ||||||||||||
![]() | 1n2284r | 2.5000 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard, Umgekehrte Polarität | Do-5 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-1n2284r | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,19 V @ 90 a | 10 µa @ 500 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 40a | - - - | ||||||||||
![]() | S1mfl | - - - | ![]() | 5225 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | Standard | SOD-123FL | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,1 V @ 1 a | 1 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 7pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
![]() | SB540 | 0,1316 | ![]() | 3846 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | SB540 | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 650 mv @ 5 a | 1 ma @ 40 v | -55 ° C ~ 125 ° C. | 5a | 200pf @ 5v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | 1N6479-E3/97 | 0,1246 | ![]() | 5930 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N6479 | Standard | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,1 V @ 1 a | 10 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | CDS5187 | - - - | ![]() | 2184 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS5187 | 50 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SI-E8000-4 | 200.0300 | ![]() | 9345 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Kasten | Aktiv | Chassis -berg | Modul | Standard | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | 2796-SI-E8000-4 | 8541.10.0000 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 24000 v | 12 V @ 4 a | 1,5 µs | 5 µa @ 24000 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 4a | - - - | ||||||||||||
![]() | 1N5357ce3/tr8 | 3.3900 | ![]() | 8741 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5357 | 5 w | T-18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 14.4 V. | 20 v | 3 Ohm | |||||||||||
Jan1N5535D-1 | 17.6700 | ![]() | 4553 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5535 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 13,5 V. | 15 v | 100 Ohm | ||||||||||||
![]() | M1MA141WAT1G | 0,1800 | ![]() | 1074 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | M1MA141 | Standard | SC-70-3 (SOT323) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 40 v | 100 mA (DC) | 1,2 V @ 100 mA | 10 ns | 100 na @ 35 V | 150 ° C (max) | |||||||||
![]() | CDLL4574 | 29.6700 | ![]() | 9840 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | 0 ° C ~ 75 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | CDLL4574 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 100 Ohm | ||||||||||||||
![]() | 1SMA4744 | 0,4000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1 w | SMA (Do-214AC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 11,4 V | 15 v | 14 Ohm | ||||||||||||
![]() | 1N5378B/TR12 | - - - | ![]() | 4468 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5378 | 5 w | T-18 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 72 V | 100 v | 90 Ohm | |||||||||||
![]() | SZMMSZ12T1G | 0,4600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | SZMMSZ12 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 8 v | 12 v | 25 Ohm | |||||||||||
![]() | RGP30GL-5003E3/72 | - - - | ![]() | 3301 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | * | Band & Box (TB) | Veraltet | RGP30 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
![]() | 1n5539b/tr | 2.8861 | ![]() | 2699 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5539b/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 17.1 V. | 19 v | 106 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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