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Dioden (166326)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT)
MBR2535CT-1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR2535CT-1 - - -
RFQ
 ECAD 5513 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Rohr Veraltet K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MBR2535 Schottky To-262-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 35 V 15a 820 mv @ 30 a 200 µA @ 35 V -65 ° C ~ 150 ° C.
SB53AFC-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. SB53AFC-AU_R1_000A1 0,4700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-221AC, SMA Flat Leads SB53 Schottky Smaf-C Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 3757-SB53AFC-AU_R1_000A1DKR Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 540 mv @ 5 a 100 µa @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a 159PF @ 10V, 1 MHz
BZX84C27TS-7-F Diodes Incorporated BZX84C27TS-7-F 0,2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv ± 7,04% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bzx84 200 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 2 Unabhängig 900 mv @ 10 mA 100 Na @ 18,9 V. 27 v 80 Ohm
BYC8-600,127 WeEn Semiconductors BYC8-600,127 0,9300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 BYC8 Standard To-220ac Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 2,9 V @ 8 a 52 ns 150 µa @ 600 V 150 ° C (max) 8a - - -
PZU13BL315 Nexperia USA Inc. Pzu13BL315 - - -
RFQ
 ECAD 1625 0.00000000 Nexperia USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1
VT2060C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT2060C-E3/4W 0,6197
RFQ
 ECAD 2261 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 VT2060 Schottky To-220ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen VT2060CE34W Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 60 v 10a 650 mv @ 10 a 850 µa @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C.
CMZ5935B TR13 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp CMZ5935B TR13 Zinn/Blei 0,0905
RFQ
 ECAD 2628 0.00000000 Central Semiconductor Corp - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA CMZ5935 500 MW SMA Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 200 Ma 1 µA @ 20,6 V 27 v 23 Ohm
AZ23B20-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B20-HE3_A-18 - - -
RFQ
 ECAD 5371 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101, AZ23 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 300 MW SOT-23-3 Herunterladen 112-AZ23B20-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 1 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 50 na @ 14 v 20 v 55 Ohm
VS-65EPF12L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-65Eff12L-M3 3.3080
RFQ
 ECAD 6837 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Rohr Aktiv K. Loch To-247-2 65eff12 Standard To-247ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1200 V 1,42 V @ 65 a 480 ns 100 µA @ 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C. 65a - - -
JANTX1N970DUR-1/TR Microchip Technology JantX1N970DUR-1/Tr 17.3964
RFQ
 ECAD 9300 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/117 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantx1n970dur-1/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 500 NA @ 18 V. 24 v 33 Ohm
2EZ33D10E3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ33D10E3/TR8 - - -
RFQ
 ECAD 8897 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 2EZ33 2 w DO-204AL (DO-41) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1.500 1,2 V @ 200 Ma 500 NA @ 25.1 V. 33 v 23 Ohm
RS2DA-13 Diodes Incorporated RS2DA-13 - - -
RFQ
 ECAD 2326 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA RS2D Standard SMA Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 1,3 V @ 1,5 a 150 ns 5 µa @ 200 V. -65 ° C ~ 150 ° C. 1,5a 30pf @ 4v, 1 MHz
VFT10200C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VFT10200C-E3/4W 1.1000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division TMBS® Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte Vft10200 Schottky ITO-220AB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 5a 1,6 V @ 5 a 150 µa @ 200 V. -40 ° C ~ 150 ° C.
HZS36-1LTD-E Renesas Electronics America Inc Hzs36-1ltd-e 0,1100
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Renesas Electronics America Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1
SZMMBZ5242BLT1 onsemi SZMMBZ5242BLT1 0,0700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Onsemi Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 225 MW SOT-23-3 (to-236) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 4,438 900 mv @ 10 mA 1 µa @ 9,1 V 12 v 30 Ohm
MBRB3060CT Yangjie Technology MBRB3060CT 0,4960
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Yangjie -technologie - - - Rohr Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Schottky D2pak - - - ROHS -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 4617-MBRB3060CT Ear99 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 60 v 30a 726 mv @ 15 a 1 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C.
VS-VSKJ250-16PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKJ250-16PBF 155.3500
RFQ
 ECAD 7533 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg 3-magn-a-pak ™ VSKJ250 Standard Magn-a-Pak® Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen VSVSKJ25016PBF Ear99 8541.10.0080 2 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 1600 v 125a 50 mA @ 1600 V -40 ° C ~ 150 ° C.
NSD350HT1G onsemi NSD350HT1G 0,3500
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 NSD350 Standard SOD-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 350 V 1,1 V @ 100 mA 55 ns 5 µa @ 350 V -55 ° C ~ 150 ° C. 200 ma 5PF @ 0V, 1MHz
RHRP4120CC Harris Corporation RHRP4120cc - - -
RFQ
 ECAD 2053 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 400
AZ23C3V9-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C3V9-HE3_A-18 - - -
RFQ
 ECAD 3895 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101, AZ23 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 300 MW SOT-23-3 Herunterladen 112-AZ23C3V9-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 1 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 3 µa @ 1 V 3,9 v 90 Ohm
1SS427,L3M Toshiba Semiconductor and Storage 1SS427, L3m 0,2700
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOD-923 1SS427 Standard SOD-923 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0070 10.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 80 v 1,2 V @ 100 mA 1,6 ns 500 na @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C. 100 ma 0,3PF @ 0V, 1 MHz
RF 1B Sanken RF 1B - - -
RFQ
 ECAD 4363 0.00000000 Sanken - - - Schüttgut Veraltet K. Loch Axial Standard - - - Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 800 V 2 V @ 1 a 400 ns 10 µa @ 800 V -40 ° C ~ 150 ° C. 600 mA - - -
STTH10LCD06CT STMicroelectronics STTH10LCD06CT 1.3539
RFQ
 ECAD 7555 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 Stth10 Standard To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 600 V 5a 2 V @ 5 a 50 ns 1 µa @ 600 V 175 ° C (max)
JANTXV1N5540D-1/TR Microchip Technology Jantxv1N5540D-1/Tr 26.0414
RFQ
 ECAD 7961 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/437 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv1N5540D-1/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 10 na @ 18 v 20 v 100 Ohm
JANTX1N4617D-1/TR Microchip Technology JantX1N4617D-1/Tr 14.1778
RFQ
 ECAD 5008 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/435 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantx1N4617D-1/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1 µa @ 1 V 2,4 v 1400 Ohm
1N4475US Semtech Corporation 1N4475us - - -
RFQ
 ECAD 4072 0.00000000 Semtech Corporation - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic ± 4,81% -55 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung SQ-Melf 1N4475 1,5 w - - - Herunterladen Nicht Anwendbar Ear99 8541.10.0050 1 50 na @ 21.6 v 27 v 18 Ohm
SF1200-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division SF1200-tr 0,2673
RFQ
 ECAD 1681 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv K. Loch SOD-57, axial SF1200 Standard SOD-57 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 25.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1200 V 3,4 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a - - -
JANS1N6347US/TR Microchip Technology JANS1N6347US/Tr 154.0106
RFQ
 ECAD 6789 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/533 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SQ-Melf, b 500 MW B, SQ-Melf Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jans1N6347us/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,4 V @ 1 a 50 na @ 69 v 91 V 270 Ohm
JANTXV1N4111C-1 Microchip Technology JantXV1N4111C-1 23.1600
RFQ
 ECAD 1286 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/435 Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N4111 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 50 na @ 13 v 17 v 100 Ohm
BZX384-C20/DG/B3X Nexperia USA Inc. BZX384-C20/DG/B3X - - -
RFQ
 ECAD 6246 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX384 Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 BZX384 300 MW SOD-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 934067354115 Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 50 na @ 14 v 20 v 55 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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