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Dioden (166326)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT)
1N5245B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5245b-tr 0,2300
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% - - - K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N5245 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 1,1 V @ 200 Ma 100 na @ 11 v 15 v 16 Ohm
BZG03C10TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C10TR - - -
RFQ
 ECAD 6039 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division BZG03C Band & Rollen (TR) Veraltet ± 6% - - - Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA BZG03 1,25 w Do-214AC (SMA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1.500 1,2 V @ 500 mA 10 µa bei 7,5 V 10 v 4 Ohm
BZX84C5V1-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C5V1-E3-08 0,2300
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Bzx84 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5,88% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BZX84C5V1 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 2 µa @ 2 V 5.1 v 60 Ohm
MMSZ4695-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4695-E3-08 0,2700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% - - - Oberflächenhalterung SOD-123 MMSZ4695 500 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1 µa @ 6,6 V 8,7 v
SML4744A-E3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4744A-E3/61 0,5000
RFQ
 ECAD 52 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% - - - Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA SML4744 1 w Do-214AC (SMA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1.800 5 µa @ 11,4 V 15 v 14 Ohm
TZM5236B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5236B-GS08 0,2300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5236 500 MW SOD-80 Minimelf Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 2.500 1,1 V @ 200 Ma 3 µa @ 6 V 7,5 v 6 Ohm
TZM5240B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5240B-GS08 0,2300
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5240 500 MW SOD-80 Minimelf Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 2.500 1,1 V @ 200 Ma 3 µa @ 8 V 10 v 17 Ohm
TZMC5V6-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC5v6-GS08 0,2300
RFQ
 ECAD 86 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101, TZM Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZMC5v6 500 MW SOD-80 Minimelf Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 2.500 1,5 V @ 200 Ma 100 na @ 1 v 5.6 v 40 Ohm
ZM4733A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZM4733A-GS18 0,3900
RFQ
 ECAD 103 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% - - - Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf (GLAS) ZM4733 1 w Do-213ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 5.000 10 µa @ 1 V 5.1 v 7 Ohm
ZM4735A-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZM4735A-GS08 0,3900
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf (GLAS) ZM4735 1 w Do-213ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1.500 10 µa @ 3 V 6.2 v 2 Ohm
ZM4742A-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZM4742A-GS08 0,3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf (GLAS) ZM4742 1 w Do-213ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1.500 5 µa @ 9,1 V 12 v 9 Ohm
ZM4744A-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZM4744A-GS08 0,3900
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf (GLAS) ZM4744 1 w Do-213ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1.500 5 µa @ 11,4 V 15 v 14 Ohm
MDB10S onsemi MDB10s 0,4600
RFQ
 ECAD 152 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel MDB10 Standard 4-microdip/smd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 5.000 1,1 V @ 1 a 10 µa @ 1000 V 1 a Einphase 1 kv
MDB6S onsemi MDB6S 0,4600
RFQ
 ECAD 5811 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel MDB6 Standard 4-microdip/smd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 5.000 1,1 V @ 1 a 10 µa @ 600 V 1 a Einphase 600 V
PB3508-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division PB3508-E3/45 3.7100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-sip, pb PB3508 Standard ISOCINK+™ PB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 20 1,1 V @ 17.5 a 10 µa @ 800 V 35 a Einphase 800 V
TDZ12J,115 Nexperia USA Inc. TDZ12J, 115 0,3500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotive, AEC-Q101, TDZXJ Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-90, SOD-323F TDZ12 500 MW SOD-323F Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 100 na @ 8 v 12 v 10 Ohm
TDZ3V9J,115 Nexperia USA Inc. TDZ3V9J, 115 0,3400
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotive, AEC-Q101, TDZXJ Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-90, SOD-323F Tdz3v9 500 MW SOD-323F Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 3 µa @ 1 V 3,9 v 90 Ohm
STPS50U100CR STMicroelectronics STPS50U100CR - - -
RFQ
 ECAD 8642 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Rohr Veraltet K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa STPS50 Schottky I2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 497-12341 Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 25a 730 MV @ 25 a 200 µA @ 100 V. 150 ° C (max)
DDZ6V8BSF-7 Diodes Incorporated Ddz6v8bsf-7 0,2000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-90, SOD-323F Ddz6v8 500 MW SOD-323F Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 7,5 µa @ 4 V. 6.66 v 30 Ohm
DDZ18ASF-7 Diodes Incorporated Ddz18asf-7 0,1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-90, SOD-323F DDZ18 500 MW SOD-323F Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 70 NA @ 15.4 V. 16.64 v 45 Ohm
STPS20SM80CT STMicroelectronics STPS20SM80CT - - -
RFQ
 ECAD 8132 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 STPS20 Schottky To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 80 v 10a 780 mv @ 10 a 25 µa @ 80 V 175 ° C (max)
JANTX1N4476 Microchip Technology JantX1N4476 6.8000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/406 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N4476 1,5 w DO-204AL (DO-41) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 1 a 50 na @ 24 v 30 v 20 Ohm
JANTX1N4489 Microchip Technology JantX1N4489 14.4400
RFQ
 ECAD 637 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/406 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N4489 1,5 w DO-204AL (DO-41) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 1 a 250 na @ 80 V 100 v 250 Ohm
JANTX1N4624UR-1 Microchip Technology JantX1N4624ur-1 11.5500
RFQ
 ECAD 4769 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/435 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213aa 1N4624 500 MW Do-213aa Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 10 µa @ 3 V 4,7 v 1550 Ohm
JANTX1N4970 Microchip Technology JantX1N4970 6.4800
RFQ
 ECAD 508 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/356 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch E, axial 1N4970 5 w - - - Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 1 a 2 µA @ 25,1 V. 33 v 10 Ohm
JANTX1N4973 Microchip Technology JantX1N4973 7.9000
RFQ
 ECAD 822 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/356 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch E, axial 1N4973 5 w - - - Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 1 a 2 µA @ 32,7 V. 43 v 20 Ohm
JANTX1N4980 Microchip Technology JantX1N4980 8.9200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/356 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch E, axial 1N4980 5 w - - - Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 1 a 2 µA @ 62,2 V. 82 v 80 Ohm
JANTX1N6326 Microchip Technology JantX1N6326 13.6600
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/533 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N6326 500 MW Do-35 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,4 V @ 1 a 1 µa @ 9 V 12 v 7 Ohm
JANTX1N975BUR-1 Microchip Technology JantX1N975BUR-1 - - -
RFQ
 ECAD 4624 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/117 Schüttgut Abgebrochen bei Sic ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213aa 1N975 500 MW Do-213aa Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 500 na @ 30 v 39 v 90 Ohm
JANTX1N825-1 Microchip Technology JantX1N825-1 5.1200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/159 Schüttgut Aktiv - - - -55 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N825 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3 V 5.9 v 15 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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