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Dioden (166326)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MPG06BHE3_A/53 | 0,1487 |  | 4717 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Mpg06, axial | MPG06 | Standard | MPG06 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,1 V @ 1 a | 600 ns | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
 | SBR10U200CTFP | 0,9380 | | 7215 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SBR10 | Superbarriere | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 5a | 820 mv @ 5 a | 30 ns | 200 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||
 | 1n5257b | - - - | | 2178 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | ± 5% | 200 ° C | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 Na @ 24 V. | 33 v | 58 Ohm | ||||||||||||||
 | JantX1N3826D-1 | 27.4650 | | 3292 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N3826 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 3 µa @ 1 V | 5.1 v | 7 Ohm | ||||||||||||
 | CDLL4768/Tr | 130.0050 | | 8956 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 0 ° C ~ 75 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4768/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µa @ 6 V | 9.1 v | 350 Ohm | ||||||||||||||
 | 1SMA4749_R1_00001 | 0,3900 | | 7 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1SMA4749 | 1 w | SMA (Do-214AC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-1SMA4749_R1_00001TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 100 Na @ 18,2 V. | 24 v | 25 Ohm | ||||||||||||
 | BZT52C5v6s | 0,0170 | | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | 200 MW | SOD-323 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-BZT52C5v6str | Ear99 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 1 µa @ 2 V. | 5.6 v | 40 Ohm | ||||||||||||||
 | BZG05B5V1-M3-08 | 0,1980 | | 3581 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZG05B-M | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1,96% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05B5V1 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 1,5 V | 5.1 v | 10 Ohm | ||||||||||||
 | CR5-100 bk | - - - | | 8926 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | CR5-010 | Kasten | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | Standard | Do-201ad | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | CR5-100BK | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1,2 V @ 5 a | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 25pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||
 | 1n5238a | 1.8600 | | 5225 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5238 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 3 µA @ 6,5 V. | 8,7 v | 8 Ohm | |||||||||||||
 | BZX84W-C24X | 0,0313 | | 8209 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | BZX84W | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BZX84W | 275 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 Na @ 16,8 V. | 24 v | 70 Ohm | ||||||||||||
 | 1N5379E3/TR8 | - - - | | 3394 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5379 | 5 w | T-18 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 79.2 V. | 110 v | 125 Ohm | |||||||||||||
 | GLL4740-E3/97 | 0,2970 | | 8321 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | GLL4740 | 1 w | Melf Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 10 µa @ 7,6 V | 10 v | 7 Ohm | |||||||||||||
 | NRVBSS34FA | 0,9800 | | 2 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | NRVBSS34 | Schottky | SOD-123FL | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 3 a | 12 ns | 500 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | 152pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
 | V2F22-m3/h | 0,4500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | Schottky | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 870 mv @ 2 a | 60 µA @ 200 V. | -40 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 160pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
| RB751V-40 | 0,0150 | | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | RB751 | Schottky | SOD-323 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-RB751V-40TR | Ear99 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 370 mv @ 1 mA | 500 na @ 30 v | 125 ° C. | 30 ma | 2PF @ 1V, 1MHz | ||||||||||||
 | F1827RD1400 | 134.2810 | | 9222 | 0.00000000 | Sensata-Cryom | - - - | Schüttgut | Nicht für Designs | Chassis -berg | Modul | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS -KONFORM | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 1400 v | 25a (DC) | 1,55 V @ 75 a | -40 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||||||
 | CMSZ5235B BK PBFREE | 0,0494 | | 9231 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | CMSZ5235 | 275 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 5 V | 6,8 v | 5 Ohm | ||||||||||||
 | DS2-12a | - - - | | 6789 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Veraltet | K. Loch | Axial | DS2 | Standard | Axial | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | -Ds2-12a | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 1,25 V @ 7 a | 2 ma @ 1200 V | -40 ° C ~ 180 ° C. | 3.6a | - - - | ||||||||||
 | MBRF10100CT-E3/4W | 0,5770 | | 4019 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | MBRF1010 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 5a | 850 mv @ 5 a | 100 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
 | SS16-HF | 0,0500 | | 1883 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SS16 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 700 mv @ 1 a | 300 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 80pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
| Jan1N7054-1 | 7.6500 | | 7439 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 1N7054 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | TZX5V1C-TAP | 0,2300 | | 35 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, TZX | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | TZX5V1 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 5 µa @ 2 V. | 5.1 v | 100 Ohm | ||||||||||||
 | SMD210HE-TP | - - - | | 8802 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOD-123H | SMD210 | Schottky | SOD-123HE | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 850 mV @ 2 a | 500 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||||
 | SF25G B0G | - - - | | 8741 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | SF25 | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,3 V @ 2 a | 35 ns | 5 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 20pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
 | GS5G | 0,4500 | | 4533 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 5 a | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 33pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||
 | VS-43CTQ100-011HN3 | - - - | | 2461 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | 43ctq100 | Schottky | To-220-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 900 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 20a | 810 mv @ 20 a | 1 ma @ 100 v | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||
 | DZ23C11-HE3_A-18 | - - - | | 4729 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, DZ23 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 112-DZ23C11-HE3_A-18TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 Na @ 8,5 V. | 11 v | 6 Ohm | |||||||||||||||
 | MMSZ5257B-AU_R1_000A1 | 0,0270 | | 5608 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5257 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.252.000 | 100 Na @ 25 V. | 33 v | 58 Ohm | |||||||||||||
| MTZJ22SD | 0,0305 | | 1658 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AG, Do-34, axial | MTZJ22 | 500 MW | Do-34 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-MTZJ22SDTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 200 na @ 17 V | 22.08 v | 30 Ohm |
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