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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CPZ18-BZX5C4V7-CT | - - - | ![]() | 6606 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | ± 6,38% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 1514-CPZ18-BZX55C4V7-CT | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 1 V @ 100 mA | 500 na @ 1 v | 4,7 v | 60 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | BZX84W-C30F | 0,0245 | ![]() | 2272 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | BZX84W | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BZX84W | 275 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934660448135 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 21 v | 30 v | 80 Ohm | ||||||||||||||
![]() | JANS1N6329DUS/Tr | 527.7150 | ![]() | 5052 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N6329dus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 12 v | 16 v | 12 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | GP10D-M3/73 | - - - | ![]() | 6461 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | GP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
MMBD7000-G3-08 | 0,0371 | ![]() | 4969 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBD7000 | Standard | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 15.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 100 v | 200 Ma (DC) | 1,1 V @ 100 mA | 4 ns | 3 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||
![]() | VS-VSKEU300/12PBF | 62.3400 | ![]() | 1394 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Hexfred® | Rohr | Aktiv | Chassis -berg | INT-A-PAK (2) | Vskeu300 | Standard | Int-a-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 2,23 V @ 300 a | 233 ns | 200 µA @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 375a | - - - | |||||||||||||
![]() | DDZ9716Q-7 | - - - | ![]() | 3690 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | DDZ9716 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 29.6 V. | 39 v | ||||||||||||||||
![]() | SD101AWS-7 | - - - | ![]() | 3067 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | SD101a | Schottky | SOD-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 60 v | 1 V @ 15 mA | 1 ns | 200 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 15 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | HER303G | 0,2680 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Hy Electronic (Cayman) Limited | HER303G | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-201aa, Do-27, axial | Standard | Do-27 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 4024-Her303GTB | 5 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 3 a | 50 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 50pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | HBL2010BRP | - - - | ![]() | 5453 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | HBL2010 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5342AE3/TR13 | 0,9900 | ![]() | 4731 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5342 | 5 w | T-18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,250 | 1,2 V @ 1 a | 10 µa @ 4,9 V | 6,8 v | 1 Ohm | |||||||||||||||
![]() | 1N5949BP-TP | 0,0963 | ![]() | 7860 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5949 | 1,5 w | Do-41 | Herunterladen | 353-1n5949bp-tp | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µa @ 76 V | 100 v | 250 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | MMSZ4701-G3-08 | 0,0409 | ![]() | 2101 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ4701 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 50 NA @ 10.6 V. | 14 v | |||||||||||||||||
![]() | MS1N6392 | 1.0000 | ![]() | 1407 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | 150-MS1N6392 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84W-B5V1X | 0,0389 | ![]() | 6494 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | BZX84W | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BZX84W | 275 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934660386115 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 2 µa @ 2 V | 5.1 v | 60 Ohm | ||||||||||||||
![]() | FSV10150V | 0,8100 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | FSV10150 | Schottky | To-277-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 840 mv @ 10 a | 20 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | ||||||||||||||
![]() | MMSZ5243B-HE3_A-08 | - - - | ![]() | 1473 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | 112-mmsz5243b-he3_a-08tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 500 NA @ 9.9 V. | 13 v | 13 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | 1N5817 B0G | - - - | ![]() | 6962 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5817 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 450 mV @ 1 a | 1 ma @ 20 v | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 55PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | S3JB-13 | - - - | ![]() | 6547 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | S3J | Standard | SMB | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,15 V @ 3 a | 10 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 40pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | 1N5268a (DO-35) | - - - | ![]() | 7710 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5268 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 62 V | 82 v | 330 Ohm | |||||||||||||||
PMEG2010AEH, 115 | 0,4000 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | PMEG2010 | Schottky | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 430 mv @ 1 a | 200 µa @ 20 V | 150 ° C (max) | 1a | 70pf @ 5v, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | CZRB5375B-HF | 0,6200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | CZRB5375 | 5 w | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 62.2 V. | 82 v | 65 Ohm | |||||||||||||||
![]() | SMAJ5956BE3/TR13 | - - - | ![]() | 9434 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SMAJ5956 | 3 w | Do-214AC (SMAJ) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 152 V | 200 v | 1200 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | MMSZ4684-TP | 0,1300 | ![]() | 66 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ4684 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 950 mv @ 10 mA | 7,5 µa @ 1,5 V | 3.3 v | ||||||||||||||||
![]() | GC4221-00 | - - - | ![]() | 5734 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tablett | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Sterben | Chip | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-GC4221-00 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 10 ma | 0,1PF @ 10V, 1 MHz | Pin - Single | 250 V | 2OHM @ 20 Ma, 1 GHz | |||||||||||||||||||
JantX1N6337CUS/Tr | 39.9450 | ![]() | 8409 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | 150-JantX1N6337CUS/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 27 v | 36 v | 50 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | 1N3339a | 49.3800 | ![]() | 9871 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3339 | 50 w | Do-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µA @ 69.2 V. | 91 V | 15 Ohm | |||||||||||||||
![]() | JantX1N4109CUR-1/Tr | 19.8170 | ![]() | 5925 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n4109cur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 na @ 11.4 v | 15 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||
CDLL6327 | 14.6400 | ![]() | 3706 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL6327 | 500 MW | Do-213ab | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 9.9 V. | 13 v | 8 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | By227mgphe3/54 | - - - | ![]() | 1244 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | By227 | Standard | DO-204AC (Do-15) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1250 V | 1,5 V @ 5 a | 2 µs | 5 µa @ 1250 V | 2a | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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